單一的LED發光區域和有效地增加流動的電流量，通過均勻分布層TCL，以達到預期的磁通。但是
，簡單地增大發光麵積不解決這個問題，散熱問題
，不能達到預期的效果和實際應用中的磁通量。

 

 

共晶焊料首先
，準備一個大的LED麵板燈芯片，並準備一個合適的尺寸，在矽襯底和矽襯底，使用金的共晶釺料層和導電層導體（超聲波金絲球窩接頭），以及使用所述移動設備的被焊接在一起共晶焊料的LED芯片和大尺寸的矽襯底。這樣的結構更加合理，不僅要考慮這個問題，考慮到光與熱的問題

，這是主流的大功率 LED生產。

 

Lumileds公司，美國在2001年開發出了不同的倒裝芯片的電源的AlGaInN（FCLED）結構
，製造過程：第一P型氮化镓外延膜沉積在頂部的層厚度超過500A，並返回的反射Niau的歐姆接觸，然後選擇性地蝕刻，使用掩模，在P型層和多量子阱有源層
，露出N型層澱積，蝕刻後形成的N型歐姆接觸層1的1mm&TImes;1mm的一側的P型歐姆接觸，N型歐姆接觸以梳狀插入其中，芯片尺寸，從而使當前的擴展距離可以縮短，以盡量減少支持和銦镓鋁氮化物擴散阻力的ESD保護二極管（ESD）的矽芯片安裝顛倒焊錫凸塊。

 

 

通用裝置的晶體結構的LED麵板燈芯片的LED芯片的下一個大的，在陶瓷板和陶瓷基板的共晶釺料層和導電層，在該區域產生的相應的引線
，焊接電極中使用水晶LEDxinpianhedaguigetaocibobanhanjiedehanjieshebei。zheyangdejiegoushixuyaokaolvdewenti，yeshixuyaokaolvdewenti，guang

，re，shiyonggaodaoretaociban，taociban
，sanrexiaoguofeichanghao，jiageyebijiaodi，gengshiheweidangqiandejibenbaozhuangcailiaohekongjianbaoliugeijianglaidejichengdianluyitihua。

 

 

在藍寶石襯底除去後的PN結的製造商
，在藍寶石襯底上生長InGaN芯片，然後再連接的傳統的四元材料，製造大型結構的藍色LED芯片的下部電極上


，通過常規的方法。

 

 

美國Cree公司是世界上唯一的碳化矽基板的AlGaInN超高亮度LED製造商，多年來生產的AlGaInN / SICA芯片的架構不斷完善和增加亮度。由於在P型和N型電極分別位於該芯片的頂部和底部，使用一個單一的引線鍵合，較好的相容性
，易用性，因而成為主流產品的發展AlGaInNLED另一個。