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CCM與DCM的區別
反激變換器常用於進行AC/DC和DC/DC轉換的開關模式電源，尤其是中低功率範圍（約2W至100W）的電源。在這個功率範圍內，反激變換器在尺寸、成本和效率比方麵都極具競爭力。 fanjibianhuanqidegongzuojiyuouhedianganqi，gaidianganqichulebangzhushixiangonglvzhuanhuan，haikeyizaibianhuanqideshuruheshuchuzhijiantigonggeligongneng。chucizhiwai，tajuyouyuqita開關變換器拓撲相同的基本元素：兩個開關（MOSFET和二極管）和一個輸出電容器。
2021-09-09
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EMC開關節點布局注意事項
開關穩壓器或功率變換器電路的開關節點是關鍵的傳導路徑，在進行PCB布局時需要特別注意。 該電路節點將一個或多個功率半導體開關（例如MOSFET或二極管）連接到磁能存儲設備（例如電感或變壓器繞組），其開關信號包含了快速切換的dV/dt電壓和dI/dt電流，它們很容易耦合到周圍的電路上並產生噪聲問題，可能導致PCB和係統無法滿足嚴格的電磁兼容性（EMC）要求。
2021-09-09
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新興汽車開關應用
自(zi)動(dong)駕(jia)駛(shi)汽(qi)車(che)人(ren)工(gong)智(zhi)能(neng)的(de)發(fa)展(zhan)正(zheng)逐(zhu)漸(jian)改(gai)變(bian)人(ren)們(men)的(de)駕(jia)乘(cheng)體(ti)驗(yan)。全(quan)自(zi)動(dong)駕(jia)駛(shi)車(che)輛(liang)將(jiang)為(wei)汽(qi)車(che)駕(jia)駛(shi)艙(cang)帶(dai)來(lai)徹(che)底(di)的(de)變(bian)革(ge)。實(shi)際(ji)上(shang)，我(wo)們(men)已(yi)經(jing)看(kan)到(dao)具(ju)備(bei)半(ban)自(zi)動(dong)駕(jia)駛(shi)功(gong)能(neng)的(de)汽(qi)車(che)的(de)出(chu)現(xian)。功(gong)能(neng)性(xing)和(he)舒(shu)適(shi)性(xing)是(shi)推(tui)動(dong)汽(qi)車(che)內(nei)部(bu)變(bian)化(hua)的(de)主(zhu)要(yao)因(yin)素(su)。考(kao)慮(lv)到(dao)車(che)輛(liang)內(nei)的(de)功(gong)能(neng)越(yue)來(lai)越(yue)多(duo)，對(dui)於(yu)聯(lian)係(xi)駕(jia)駛(shi)員(yuan)和(he)駕(jia)駛(shi)艙(cang)新(xin)環(huan)境(jing)之(zhi)間(jian)的(de)用(yong)戶(hu)界(jie)麵(mian)，設(she)計(ji)師(shi)和(he)工(gong)程(cheng)師(shi)必(bi)須(xu)花(hua)時(shi)間(jian)進(jin)行(xing)優(you)化(hua)。
2021-09-08
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仿真看世界之650V混合SiC單管的開關特性
英飛淩最近推出了係列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續流二極管，取代了傳統Si的Rapid1快速續流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進一步優化了係統效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-09-08
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大功率晶閘管參數解析之開關特性
功率二極管晶閘管廣泛應用於AC/DC變換器、UPS、交流靜態開關、SVC和電解氫等場合，但大多數工程師對這類雙極性器件的了解不及對IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動態特性，控製特性，保護以及損耗與熱特性。內容摘自英飛淩英文版應用指南AN2012-01《雙極性半導體技術信息》。
2021-09-08
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板子上的MOSFET莫名炸機，多半是這個原因！
MOSFET、IGBT是開關電源最核心也是最容易燒壞的器件！其原因大多是過壓或過流導致功耗大增，從而使器件損壞，甚至可能會伴隨爆炸。而SOA安全工作區測試，就是保障其安全工作的重要測試項目！
2021-09-07
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開關電源中的局部放電
局部放電（partial discharge，簡稱PD）現(xian)象(xiang)，通(tong)常(chang)主(zhu)要(yao)指(zhi)的(de)是(shi)高(gao)壓(ya)電(dian)氣(qi)設(she)備(bei)絕(jue)緣(yuan)層(ceng)在(zai)足(zu)夠(gou)強(qiang)的(de)電(dian)場(chang)作(zuo)用(yong)下(xia)局(ju)部(bu)範(fan)圍(wei)內(nei)發(fa)生(sheng)的(de)放(fang)電(dian)，某(mou)個(ge)區(qu)域(yu)的(de)電(dian)場(chang)強(qiang)度(du)一(yi)旦(dan)達(da)到(dao)其(qi)介(jie)質(zhi)擊(ji)穿(chuan)場(chang)強(qiang)時(shi)，該(gai)區(qu)域(yu)就(jiu)會(hui)出(chu)現(xian)放(fang)電(dian)現(xian)象(xiang)。這(zhe)種(zhong)放(fang)電(dian)以(yi)僅(jin)造(zao)成(cheng)導(dao)體(ti)間(jian)的(de)絕(jue)緣(yuan)局(ju)部(bu)短(duan)（路橋）接(jie)而(er)不(bu)形(xing)成(cheng)導(dao)電(dian)通(tong)道(dao)為(wei)限(xian)。每(mei)一(yi)次(ci)局(ju)部(bu)放(fang)電(dian)對(dui)絕(jue)緣(yuan)介(jie)質(zhi)都(dou)會(hui)有(you)一(yi)些(xie)影(ying)響(xiang)，輕(qing)微(wei)的(de)局(ju)部(bu)放(fang)電(dian)對(dui)電(dian)力(li)設(she)備(bei)絕(jue)緣(yuan)的(de)影(ying)響(xiang)較(jiao)小(xiao)，絕(jue)緣(yuan)強(qiang)度(du)的(de)下(xia)降(jiang)較(jiao)慢(man)；而強烈的局部放電，則會使絕緣強度很快下降。
2021-09-07
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負壓脈衝高？教你3招製伏
隨著5G通信與新能源車的普及，人們對高效率電源的需求越來越多。而提升電源轉換效率的關鍵因素就在於開關電源中的功率部分。
2021-09-07
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在正確的比較中了解SiC FET導通電阻隨溫度產生的變化
比較SiC開關的數據資料並非易事。由於導通電阻的溫度係數較低，SiC MOSFET似乎占據了優勢，但是這一指標也代表著與UnitedSiC FET相比，它的潛在損耗較高，整體效率低。
2021-09-07
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你的MOSFET為什麼發熱那麼嚴重？
在開關電源電路中，MOSFET作為最核心的器件，卻也是最容易發熱燒毀的，那麼MOSFET到底承受了什麼導致發熱呢？本文來帶你具體分析。
2021-09-04
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一台示波器，如何輕鬆搞定電源信號完整性測試？
開關電源的質量直接影響到產品的性能及其安全可靠性。電源測試項目多，計算量大，統計繁瑣等問題一直困擾著工程師們，本文將對開關電源的幾個重要測試項目進行講解。
2021-09-03
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利用可采用電子方式重新配置的GaN功率放大器，徹底改變雷達設計
本文首次展示了一種基於多頻段發射器設計的可靠商用大功率放大器，該放大器采用了 Charles Campbell 演示的可重新配置的 PA 專利技術 [2,3,4]。可重新配置的 PA 采(cai)用(yong)可(ke)根(gen)據(ju)每(mei)個(ge)相(xiang)關(guan)頻(pin)段(duan)的(de)控(kong)製(zhi)位(wei)設(she)置(zhi)重(zhong)新(xin)配(pei)置(zhi)的(de)單(dan)輸(shu)入(ru)和(he)單(dan)輸(shu)出(chu)匹(pi)配(pei)網(wang)絡(luo)。每(mei)個(ge)位(wei)設(she)置(zhi)針(zhen)對(dui)特(te)定(ding)頻(pin)段(duan)的(de)最(zui)優(you)性(xing)能(neng)配(pei)置(zhi)所(suo)有(you)匹(pi)配(pei)網(wang)絡(luo)，從(cong)而(er)使(shi) PA 能夠在緊湊型封裝中實現最優係統級性能。這樣就可以減少整體尺寸和重量。這種新型可重新配置的 PA 設計方法可克服傳統多頻段發射前端設計的多個缺點。最明顯的優勢就是可消除 PA 輸出的頻段選擇開關。從而將輸出損耗降低了 0.8-1.0 dB，使其與傳統設計方法相比具有明顯的優勢。如果設計采用最佳負載阻抗和智能開關布局，可重新配置 PA 則可接近通過特定的獨立調諧頻段放大器實現的性能水平。
2021-09-01
- 噪聲中提取真值！瑞盟科技推出MSA2240電流檢測芯片賦能多元高端測量場景
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