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電子供應鏈修複至少4月以上

針對日本強震對電子供應鏈的影響，美銀美林證券全球半導體研究部主管何浩銘 (Daniel Heyler)近日表示，由於BT樹脂兩大供貨商三菱瓦斯與日立化成現在已停止接單，而兩家占BT樹脂供給量的九成，使得基板供給影響比想象嚴重，目前預估這次震災對NAND、LCD麵板、太陽能等供給的影響分別為40%、10%、20%，預期這次電子供應鏈修複期至少4-6個月。

2011-03-21
日本地震影響電子元件供應與價格

日(ri)本(ben)地(di)震(zhen)與(yu)海(hai)嘯(xiao)可(ke)能(neng)導(dao)致(zhi)某(mou)些(xie)電(dian)子(zi)元(yuan)件(jian)嚴(yan)重(zhong)短(duan)缺(que)，進(jin)而(er)推(tui)動(dong)這(zhe)些(xie)元(yuan)件(jian)的(de)價(jia)格(ge)大(da)幅(fu)上(shang)漲(zhang)。雖(sui)然(ran)目(mu)前(qian)幾(ji)乎(hu)沒(mei)有(you)關(guan)於(yu)電(dian)子(zi)工(gong)廠(chang)實(shi)際(ji)損(sun)失(shi)的(de)報(bao)道(dao)，但(dan)運(yun)輸(shu)與(yu)電(dian)力(li)設(she)施(shi)受(shou)到(dao)破(po)壞(huai)將(jiang)導(dao)致(zhi)供(gong)應(ying)中(zhong)斷(duan)，造(zao)成(cheng)元(yuan)件(jian)供(gong)應(ying)短(duan)缺(que)和(he)價(jia)格(ge)上(shang)漲(zhang)。受(shou)到(dao)影(ying)響(xiang)的(de)元(yuan)件(jian)將(jiang)包(bao)括(kuo)NAND閃存、DRAM、微控製器、標準邏輯、液晶顯示器(LCD)麵板、LCD元件和材料。

2011-03-18
F-RAM會帶來RFID標簽的革命嗎？

目前市場上的存儲器種類非常多，主要有易失性的RAM和DRAM、非易失性的EEPROM、ROM、EPROM、NOR、NAND閃存、鐵電存儲器等。世界領先的低功耗鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron的MaxArias™係列無線存儲器將非易失性F-RAM存儲器技術的低功耗、高速度和高耐久性等特性與行業標準無線存取功能相結合，使創新型的數據采集能力應用更廣泛的領域。

2011-03-01
2010年半導體設備產業將勁揚113.2%

Gartner副總裁Klaus Rinnen表示：技術升級，將帶動 2010年半導體資本設備市場的成長。對40奈米和45奈米設備的需求大幅增加，帶動晶圓代工的龐大資本支出。英特爾對3x奈米的投資，NAND 記憶體製造商支出增加，以及升級至下一世代 DDR3 DRAM 記憶體，皆為主要的投資成長動能。

2010-06-21
內存晴雨表-NAND價格穩定帶來正麵環境

NAND價格持續透明，導致2009年第四季度營業收入創出最高記錄，使得多數NAND供應商對於2010年持有非常樂觀的看法。在智能手機和microSD卡等高密度應用的推動下，市場對於NAND閃存的需求不斷增長，也增強了廠商的信心。這種旺盛需求已促使廠商逐步重新啟動和重新裝備其閑置的工廠。

2010-04-02

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