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開關電源設計中的頻率選擇（下）
本文是深入研究開關頻率設計的係列文章之下篇。上篇回顧了如何計算開關頻率的關鍵指標，以及更高頻率設計的難點所在。本文將把這些開關頻率的概念應用到實際場景當中。
2022-02-07
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IGBT和MOSFET該用誰？你選對了嗎？
半導體功率器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT屬於電壓控製型開關器件，具有開關速度快、易於驅動、損耗低等優勢。IGBT全稱是絕緣柵極型功率管，是由雙極型三極管（BJT）和MOSFET組成的複合全控型電壓驅動式半導體功率器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低導通壓降兩方麵的優點。隨著新能源汽車、智能家電、5G、軌道交通等行業的興起，MOSFET和IGBT也迎來了發展的春天。
2022-01-26
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大功率二極管晶閘管知識連載——熱特性
功率二極管晶閘管廣泛應用於AC/DC變換器，UPS，交流靜態開關，SVC和電解氫等場合，但大多數工程師對這類雙極性器件的了解不及對IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動態特性，控製特性，保護以及損耗與熱特性。內容摘來自英飛淩《雙極性半導體技術信息》。
2022-01-26
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指定電源轉換器噪聲濾波器的電感器
開關模式電源轉換器的輸入和輸出通常會加電感電容濾波器以減少反射紋波電流和輸出噪聲，同時滿足EMC的de輻fu射she和he敏min感gan性xing限xian製zhi。轉zhuan換huan器qi製zhi造zao商shang有you時shi會hui指zhi定ding推tui薦jian濾lv波bo電dian感gan值zhi，但dan是shi在zai整zheng個ge頻pin率lv範fan圍wei內nei由you不bu同tong元yuan器qi件jian供gong貨huo商shang提ti供gong的de相xiang同tong標biao稱cheng性xing能neng的de部bu件jian可ke能neng會hui有you很hen大da的de性xing能neng差cha異yi，從cong而er導dao致zhi結jie果guo不bu佳jia並bing且qie增zeng加jia傳chuan導dao和he輻fu射she幹gan擾rao。本ben文wen將jiang探tan討tao電dian感gan性xing能neng的de不bu同tong變bian化hua。
2022-01-20
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橋式電路的開關產生的電流和電壓
本文將介紹在SiC MOSFET這一係列開關動作中，SiC MOSFET的VDS和ID的變化會產生什麼樣的電流和電壓。
2022-01-19
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低邊開關導通時的Gate-Source間電壓的動作
上一篇文章中，簡單介紹了SiC MOSFET橋式結構中柵極驅動電路的開關工作帶來的VDS和ID的變化所產生的電流和電壓情況。本文將詳細介紹SiC MOSFET在LS導通時的動作情況。
2022-01-19
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為什麼貼片的開關穩壓器模塊能提高設計工程師的工作效率
製造商不願意將錢花在現成的模塊上，而是參考控製IC的應用電路，使用分立器件搭建一個開關穩壓器安裝在電路板上。這種方法在理論上是有效的，但實際上卻存在一些問題。
2022-01-18
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SiC MOSFET替代Si MOSFET，自舉電路是否適用？
自舉式懸浮驅動電路可以極大的簡化驅動電源的設計，隻需要一路電源就可以驅動上下橋臂兩個開關管的驅動，可以節省Si MOSFET功(gong)率(lv)器(qi)件(jian)方(fang)案(an)的(de)成(cheng)本(ben)。隨(sui)著(zhe)新(xin)能(neng)源(yuan)受(shou)到(dao)全(quan)球(qiu)政(zheng)府(fu)的(de)推(tui)動(dong)與(yu)支(zhi)持(chi)，與(yu)新(xin)能(neng)源(yuan)相(xiang)關(guan)的(de)半(ban)導(dao)體(ti)芯(xin)片(pian)需(xu)求(qiu)激(ji)増(増)，導(dao)致(zhi)產(chan)能(neng)緊(jin)缺(que)。綠(lv)色(se)低(di)碳(tan)技(ji)術(shu)創(chuang)新(xin)應(ying)用(yong)是(shi)實(shi)現(xian)碳(tan)中(zhong)和(he)目(mu)標(biao)的(de)重(zhong)要(yao)一(yi)環(huan)，碳(tan)化(hua)矽(gui)是(shi)應(ying)用(yong)於(yu)綠(lv)色(se)低(di)碳(tan)領(ling)域(yu)的(de)共(gong)用(yong)性(xing)技(ji)術(shu)，SiC MOSFET替代Si MOSEFET成為了許多廠商的新選擇。不過，SiC MOSFET的驅動與Si MOSFET到底有什麼區別，替代時電路設計如何調整，是工程師非常關心的。我們《SiC MOSFET替代Si MOSFET,隻有單電源正電壓時如何實現負壓？》一文中已經分享了負壓自舉的小技巧。本文SiC MOSFET驅動常規自舉電路的注意事項。
2022-01-17
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MPS攜新型AC/DC電源解決方案迎接低碳新時代
開關電源在80年代替代線性電源之後，電源效率得到了極大的提升，尺寸也大大減少。隨著開關電源在各個應用上的不斷發展和消費者對便攜性的要求，開關電源繼續朝著小型化， 輕量化的趨勢發展。
2022-01-14
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一種高精度的BQ25980輸入電流的檢測方法
近年來，隨著智能手機、平板電腦等消費電子終端對電池電量需求的不斷增長，消費者對電子產品充電速度、充電體驗的需求也在不斷提高。針對大容量鋰電池的高效率、高功率充電應用，TI推出了以BQ25980為代表的開關電容架構快速充電芯片，可以實現高達98.6%效率的快速充電方案，為消費者帶來快速穩定、高效易用的充電體驗。
2022-01-13
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隔離式DC/DC轉換器之極低噪聲濾波器
所有隔離式DC/DC轉換器都具有產生電噪聲的開關器件。功率開關器件帶感性負載時，比如變壓器，就一定避免不了和功率開關器件的寄生電感或電容產生諧振的情況。在幾百赫茲的中等開關頻率下工作的DC/DC轉換器可產生高達20MHz的噪聲。
2022-01-12
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雙極結型晶體管——MOSFET的挑戰者
數字開關通常使用MOSFET來創建，但是對於低飽和電壓的開關模(mo)型(xing)，雙(shuang)極(ji)結(jie)型(xing)晶(jing)體(ti)管(guan)已(yi)成(cheng)為(wei)不(bu)容(rong)忽(hu)視(shi)的(de)替(ti)代(dai)方(fang)案(an)。對(dui)於(yu)低(di)電(dian)壓(ya)和(he)低(di)電(dian)流(liu)的(de)應(ying)用(yong)，它(ta)們(men)不(bu)僅(jin)可(ke)以(yi)提(ti)供(gong)出(chu)色(se)的(de)電(dian)流(liu)放(fang)大(da)效(xiao)果(guo)，還(hai)具(ju)有(you)成(cheng)本(ben)優(you)勢(shi)。
2022-01-07
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