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魚與熊掌皆可得？當SiC MOSFET遇上2L-SRC

事物皆有兩麵：SiC MOSFET以更快的開關速度，相比IGBT可明顯降低器件開關損耗，提升係統效率和功率密度；但是高速的開關切換，也產生了更大的dv/dt和di/dt，對一些電機控製領域的電機絕緣和EMI設計都帶來了額外的挑戰。

2022-06-07
SiC MOSFET驅動電壓測試結果離譜的六大原因

開關特性是功率半導體開關器件最重要的特性之一，由器件在開關過程中的驅動電壓、端電壓、端(duan)電(dian)流(liu)表(biao)示(shi)。一(yi)般(ban)在(zai)進(jin)行(xing)器(qi)件(jian)評(ping)估(gu)時(shi)可(ke)以(yi)采(cai)用(yong)雙(shuang)脈(mai)衝(chong)測(ce)試(shi)，而(er)在(zai)電(dian)路(lu)設(she)計(ji)時(shi)直(zhi)接(jie)測(ce)量(liang)在(zai)運(yun)行(xing)中(zhong)的(de)變(bian)換(huan)器(qi)上(shang)的(de)器(qi)件(jian)波(bo)形(xing)，為(wei)了(le)得(de)到(dao)正(zheng)確(que)的(de)結(jie)論(lun)，獲(huo)得(de)精(jing)準(zhun)的(de)開關過程波形至關重要。

2022-06-06
如何有效防護開關電源輸入過壓現象

本文簡述了開關電源輸入過壓的危害，分析了輸入過壓對電源元器件電壓應力的影響，同時給出如何有效防護的措施，推薦使用305全工況AC/DC電源，可較大提升電網波動時電源的可靠性。

2022-06-06
簡化高輸出、寬輸入電壓應用設計，這款器件是如何實現的？

工業、電信、醫(yi)療(liao)和(he)汽(qi)車(che)應(ying)用(yong)采(cai)用(yong)各(ge)種(zhong)各(ge)樣(yang)的(de)穩(wen)定(ding)電(dian)壓(ya)以(yi)有(you)效(xiao)地(di)運(yun)作(zuo)，包(bao)括(kuo)了(le)高(gao)電(dian)壓(ya)和(he)負(fu)電(dian)壓(ya)軌(gui)。當(dang)設(she)計(ji)師(shi)要(yao)設(she)計(ji)一(yi)個(ge)工(gong)業(ye)用(yong)電(dian)源(yuan)時(shi)，可(ke)通(tong)過(guo)盡(jin)量(liang)減(jian)少(shao)器(qi)件(jian)數(shu)目(mu)以(yi)及(ji)所(suo)需(xu)控(kong)製(zhi)器(qi) IC 的數量來簡化這項任務。LT8331 利用一個集成型 140V、500mA 開關、可編程頻率、超低靜態電流和輕負載突發模式 (Burst Mode®) 操作實現了上述兩個目標。

2022-06-03
IGBT窄脈衝現象解讀

IGBT作為一種功率開關，從門級信號到器件開關過程需要一定反應時間，就像生活中開關門太快容易擠壓手一樣，過短的開通脈衝可能會引起過高的電壓尖峰或者高頻震蕩問題。這種現象隨著IGBT被高頻PWM調製信號驅動時，時常會無奈發生，占空比越小越容易輸出窄脈衝，且IGBT反並聯續流二極管FWD在硬開關續流時反向恢複特性也會變快。

2022-06-03
常見MOSFET失效模式的分析與解決方法

提高功率密度已經成為電源變換器的發展趨勢。為達到這個目標，需要提高開關頻率，從而降低功率損耗、係統整體尺寸以及重量。對於當今的開關電源(SMPS)而言，具有高可靠性也是非常重要的。零電壓開關(ZVS) 或零電流開關(ZCS) 拓撲允許采用高頻開關技術，可以大限度地降低開關損耗。ZVS拓撲允許工作在高頻開關下，能夠改善效率，能夠降低應用的尺寸，還能夠降低功率開關的應力，因此可以改善係統的可靠性。LLC 諧振半橋變換器因其自身具有的多種優勢逐漸成為一種主流拓撲。這種拓撲得到了廣泛的應用，包括高端服務器、平板顯示器電源的應用。但是，包含有LLC諧振半橋的ZVS橋式拓撲，需要一個帶有反向快速恢複體二極管的MOSFET，才能獲得更高的可靠性。

2022-06-01
LDO基礎知識：噪聲 - 降噪引腳如何提高係統性能

使用低壓降穩壓器 (LDO) 來過濾開關模式電源產生的紋波電壓並不是實現清潔直流電源的唯一考慮因素。由於 LDO 是電子器件，因此它們會自行產生一定量的噪聲。選擇低噪聲 LDO 並采取措施來降低內部噪聲對於生成不會影響係統性能的清潔電源軌而言不可或缺。

2022-05-27
一文帶你了解降壓型穩壓芯片原理

在電路係統設計中，總是離不開電源芯片的使用，林林總總的電源芯片非常多，比如傳統的線性穩壓器7805、低壓差線性穩壓器(LDO)、開關型降壓穩壓器(Buck DCDC)等，那麼它們到底有什麼區別呢？Excelpoint世健的工程師Wolfe Yu在此對各種降壓型穩壓芯片的原理進行了科普。

2022-05-26
X-FAB采用Cadence EMX Solver電磁仿真技術，加速創新通信和車用射頻設計

中國北京，2022年5月25日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，與EDA軟件領先供應商Cadence Design Systems, Inc.在電磁（EM）仿真領域攜手展開合作。Cadence® EMX® Planar 3D Solver現已成功集成至X-FAB的RFIC工藝流程中，從而使X-FAB當前及未來的RF平台獲益。現已證明，借助EMX Solver對X-FAB參考設計中的低噪聲放大器、射頻開關、濾波器和無源元件進行驗證，可以在極短的時間內得出高精度的結果。

2022-05-25
關於射頻微機電係統開關的那些事兒

射頻微機電係統 (RF MEMS) 開關是低功耗小型微機械開關，可以使用傳統的MEMS製造技術生產。它們類似於房間中的電燈開關，通過觸點打開或關閉在開關中傳輸信號。在RF MEMS器件中，開關的機械組件大小隻在微米級別。與電燈開關不同的是，RF MEMS開關傳輸的是射頻信號。

2022-05-24
如何使用SSR實現更高可靠性的隔離和更小的解決方案尺寸

在發明晶體管之前，繼電器一直被用作開關。從低壓信號安全地控製高壓係統（如隔離電阻監測中的情況）的(de)能(neng)力(li)是(shi)開(kai)發(fa)許(xu)多(duo)汽(qi)車(che)係(xi)統(tong)所(suo)必(bi)需(xu)的(de)。盡(jin)管(guan)機(ji)電(dian)式(shi)繼(ji)電(dian)器(qi)和(he)接(jie)觸(chu)器(qi)技(ji)術(shu)多(duo)年(nian)來(lai)有(you)所(suo)改(gai)進(jin)，但(dan)對(dui)於(yu)設(she)計(ji)人(ren)員(yuan)來(lai)說(shuo)，要(yao)實(shi)現(xian)其(qi)壽(shou)命(ming)可(ke)靠(kao)性(xing)和(he)快(kuai)速(su)開關速度以及低噪聲、衝擊振動和功耗目標，仍然具有挑戰性。

2022-05-20
藏在變壓器下麵的“冰墩墩”

由於在芯片內部，通過電容隔離技術實現了原副邊開關管的精準同步，MPS 公司的 MPX2002/3 非常有助於實現更加高效並且可靠性更好的反激方案。

2022-05-19

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