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Vishay推出三款采用不同封裝的的500V功率MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新型500V電壓的功率MOSFET --- SiHP18N50C(TO-220)、SiHF18N50C(TO-220 FULLPAK)、SiHG20N50C,將該公司的6.2代N溝道平麵FET技術延伸到TO-220、TO-220F和TO-247封裝上。
2009-08-03
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SiR494DP:Vishay新款第三代12V功率MOSFET
日前,Vishay 宣布推出具有業內最低導通電阻的新款N溝道MOSFET器件 --- SiR494DP,將該係列的第三代TrenchFET功率MOSFET的電壓降至12V,同時該器件的導通電阻與柵電荷的乘積也是這種額定電壓的器件當中最低的。
2009-07-31
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Vishay新款Power Metal Strip電池分流電阻
Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款Power Metal Strip®電池分流電阻 --- WSBS8518,新電阻在8518尺寸封裝內實現了36W功率和低至100μΩ的極低阻值。
2009-07-27
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Vishay推出1280G、1285G係列AccutrimTM微調電位器
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出兩款Bulk Metal®箔超高精度AccutrimTM微調電位器 --- 1280G和1285G。
2009-07-08
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WSR係列:Vishay推出5W功率的表麵貼裝電阻
Vishay Intertechnology推出在4527封裝尺寸內提供5W額定功率的電阻,WSR5的尺寸僅有0.455英寸 x 0.275英寸(11.56 mm x 6.98 mm),厚度僅有0.095英寸(2.41 mm),為汽車係統中的電子控製裝置、通信基站中的電源、高端工作站和服務器中的DC-DC轉換器和VRM提供了緊湊的5W方案。
2009-06-30
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SiZ700DT: Vishay單封裝雙不對稱功率MOSFET器件
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出在一個封裝內集成一對不對稱功率MOSFET係列的首款產品 --- SiZ700DT。該款器件的推出將有助於減少DC-DC轉換器中高邊和低邊功率MOSFET所占的空間
2009-06-29
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Vishay依托技術優勢,大力推動綠色環保產業發展
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,替代能源虛擬貿易展(Alternative Energy Virtual Trade Show)在公司網站正式上線。
2009-06-19
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1242 QPL係列:Vishay推出新的微調電位器
Vishay推出1242 QPL係列微調電位器,它具有低至±10ppm/℃的端到端TCR,在滑動端上的TCR為±25ppm/℃,負載壽命穩定率為0.1%,可設定值小於0.05%;1/4平方英寸、RJ26型的器件滿足並超出MIL-PRF-22097標準F章的要求。用於航空、軍工和航天。
2009-06-08
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ACAS 0606 AT:Vishay新推出精密薄膜電阻陣列
Vishay Intertechnology, Inc.推出新款ACAS 0606 AT,擴大了ACAS AT係列精密薄膜電阻陣列的可用功率等級
2009-06-03
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Accutrim係列:Vishay新型超高精度微調電位器
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用Bulk Metal®箔技術的超高精度Accutrim™係列微調電位器 --- 1240和1260係列,達到並超出了MIL-PRF-39035標準H章的要求。
2009-06-01
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Sfernice LPS係列:Vishay新型超小尺寸高性能厚膜功率電阻
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出小尺寸、寬阻值範圍的新型300W、600W和800W厚膜功率電阻 --- Vishay Sfernice LPS300、LPS600和LPS800
2009-05-31
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Vishay推出通過嚴格軍標認證的新型Bulk Metal箔電阻及其代替器件
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,已將其QPL RNC90Y係列高可靠Bulk Metal®箔電阻的容差減小到±0.005%。如果設計者需要的電阻阻值比QPL規定的範圍更高或更低,但是要求具有同樣的性能,也可采用非QPL版的S555器件。
2009-05-25
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