-
Vishay Siliconix 推出4款600V MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，將其Super Junction FET®技術延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。
2010-01-27
-
Vishay的101/102 PHR-ST螺旋式接線柱功率鋁電容器新增三種更大的外形尺寸
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其101/102 PHR-ST螺旋式接線柱功率鋁電容器新增了90mm x 146mm、76mm x 220mm及90mm x 220mm三種更大的外形尺寸，接線柱的長度為13mm。
2010-01-27
-
ESD級別高達2kV的新款車用精密薄膜電阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出通過AEC-Q200認證、ESD級別高達2kV的新款PAT係列精密車用薄膜電阻。該電阻的標準TCR低至±25ppm/℃，經過激光微調後的容差低至±0.1%，可滿足汽車行業對溫度、濕度提出的新需求，同時具有可靠的可重複性和穩定的性能。
2010-01-26
-
Vishay發布低尺寸、大電流IHLP®電感器的視頻產品演示
Vishay Intertechnology, Inc.宣布，在網站上新增了低尺寸、大電流IHLP®電感器的視頻產品演示，幫助客戶了解在應用中使用這種電感器的好處……
2010-01-19
-
Vishay推出超小型雙向對稱單線ESD保護二極管
日前，Vishay推出采用LLP006封裝的新款雙向對稱(BiSy)單線ESD保護二極管 --- VBUS05L1-DD1-G-08。小尺寸的VBUS05L1-DD1-G-08具有0.3 pF的極低容值，可保護便攜式電子設備中的天線、USB 3.0和HDMI端口免受瞬態電壓信號的損害。
2010-01-13
-
Vishay推出的超小型雙向對稱單線ESD保護二極管
Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出采用LLP006封裝的新款雙向對稱(BiSy)單線ESD保護二極管 --- VBUS05L1-DD1-G-08。小尺寸的VBUS05L1-DD1-G-08具有0.3 pF的極低容值
2010-01-12
-
H/HZ係列：Vishay新一代超高精度Bulk Metal®箔電阻
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出副基準、密封充油的Bulk Metal®箔電阻 --- H和HZ係列，在精度、穩定性和速度上都設定了新的行業基準
2010-01-08
-
SiB455EDK：Vishay 推出新款12V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
SiB455EDK是采用第三代TrenchFET P溝道技術的最新產品，使用了自對準工藝技術，在每平方英寸的矽片上裝入了10億個晶體管單元。這種最先進的技術實現了超精細、亞微米的節距工藝，將業內最好的P溝道MOSFET的導通電阻減小了一半。
2010-01-06
-
Vishay Siliconix推出業界最小的60V 功率MOSFET
SiM400是迄今為止最小的60V功率MOSFET，其SOT-923封裝的尺寸為1mm x 0.6mm，最大厚度僅有0.43mm。器件的占位尺寸比SC-89小77%，厚度則薄了26%……
2010-01-04
-
Vishay推出業界首款采用 PowerBridge封裝的單列直插橋式整流器
Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布，推出新係列增強型高電流密度PowerBridgeTM整流器。整流器的額定電流高達30A~45A，最大峰值反向額定電壓為600V~1000V，外殼絕緣強度高達1500V。
2009-12-29
-
Vishay推出適用於線焊組裝的新PSC係列RF螺旋電感器
螺旋電感具有1nH~100nH的寬感值範圍，采用0.045英寸x0.045英寸x0.010英寸的小尺寸外形。PSC器件同時具有低寄生電容、低至0.26Ω的DCR、高達10.2GHz的SRF，在250MHz和1000MHz下的Q值分別為13和18。
2009-12-23
-
Vishay擴展其超高可靠性貼片電阻的阻值範圍
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，擴大了符合美軍標MIL-PRF-55342認證的E/H薄膜貼片電阻的阻值範圍，推出增強型E/H貼片電阻。該係列電阻采用緊湊的2208、2010和2512外形尺寸。增強後的器件使高可靠性應用能夠用上更低阻值的電阻，在±25ppm/℃ TCR下的阻值為49.9Ω，容差為0.1%，10Ω電阻的容差為1.0%。
2009-11-25
- 噪聲中提取真值！瑞盟科技推出MSA2240電流檢測芯片賦能多元高端測量場景
- 10MHz高頻運行！氮矽科技發布集成驅動GaN芯片，助力電源能效再攀新高
- 失真度僅0.002%！力芯微推出超低內阻、超低失真4PST模擬開關
- 一“芯”雙電！聖邦微電子發布雙輸出電源芯片，簡化AFE與音頻設計
- 一機適配萬端：金升陽推出1200W可編程電源，賦能高端裝備製造
- 2026藍牙亞洲大會暨展覽在深啟幕
- 新市場與新場景推動嵌入式係統研發走向統一開發平台
- 維智捷發布中國願景
- 2秒啟動係統 • 資源受限下HMI最優解，米爾RK3506開發板× LVGL Demo演示
- H橋降壓-升壓電路中的交替控製與帶寬優化
- 車規與基於V2X的車輛協同主動避撞技術展望
- 數字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰
- 汽車模塊拋負載的解決方案
- 車用連接器的安全創新應用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
