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慧榮科技榮獲中國財經峰會“2017年度最具影響力企業大獎”

2017年11月30日，中國北京——在設計和推廣固態存儲設備專用NAND閃存控製器方麵處於全球領導地位的慧榮科技公司（Silicon Motion Technology Corporation, 納斯達克交易代碼: SIMO）日前榮獲2017年中國財經峰會·冬季論壇組委會頒發的“2017年度最具影響力企業大獎”，以表彰其多年來在閃存控製芯片領域所做出的傑出貢獻。頒獎典禮於今日在北京舉行，慧榮科技市場營銷暨OEM事業資深副總段喜亭先生出席典禮。

2017-12-01
DRAM與NAND差別這麼大，存儲之爭在爭什麼？

DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態隨機存取存儲器，最為常見的係統內存。DRAM 隻能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。

2017-03-22
大象關冰箱？NAND FLASH控製器磨損管理算法芯片化硬實現

目前，存儲領域包括eMMC，SATA SSD ,PCIe SSD等控製器是一個非常熱門的領域。通常，由於NAND FLASHyiyusunhuaidetexing，yincixuyaokongzhiqizuoewaidegongzuo，cainengmanzushangyongkekaocunchudexuyao。benwenmudetichuyizhongkeyiyingshixiandejunhengmosun，huaikuaiguanli，yijiluojidizhiyingshedesuanfa，（可芯片化）。用於替代處理器的軟件（FTL）實現，從總體上較CPU固件實現有較好的功耗比和高速性能的目標。

2016-02-25
揭秘手機內存真相：實際少於16G為何要標稱有16G內存？

目前市麵上的大容量存儲介質分別是NAND FLASH和eMMC這(zhe)兩(liang)種(zhong)，這(zhe)就(jiu)是(shi)各(ge)類(lei)移(yi)動(dong)終(zhong)端(duan)及(ji)手(shou)機(ji)的(de)主(zhu)要(yao)存(cun)儲(chu)介(jie)質(zhi)。這(zhe)兩(liang)者(zhe)有(you)何(he)區(qu)別(bie)，存(cun)儲(chu)芯(xin)片(pian)的(de)實(shi)際(ji)大(da)小(xiao)與(yu)標(biao)稱(cheng)值(zhi)又(you)有(you)什(shen)麼(me)關(guan)係(xi)呢(ne)？為(wei)什(shen)麼(me)實(shi)際(ji)容(rong)量(liang)往(wang)往(wang)會(hui)比(bi)標(biao)示(shi)的(de)少(shao)呢(ne)？

2016-01-19
用圖來說話，解答Android設備處理器最大懸念：內核越多性能越強？

日前，來自Anandtech的多位極客進行了一場關於移動芯片核心性能的大規模測試，為Android智能手機是否核心越多性能就越強這一充滿爭議的話題蓋棺定論。

2015-09-07
閃存是什麼？

閃存是什麼？今天我們就一起來學習閃存的知識。本文主要講解的內容有閃存簡介和閃存的概念和閃存的技術及特點以及決定NAND型閃存的因素有哪些和閃卡的優點這些內容。接下來就為大家講解相關的知識。

2013-06-29
集成電路的發展

根據小編所了解早在1830年nian，科ke學xue家jia已yi於yu實shi驗yan室shi展zhan開kai對dui半ban導dao體ti的de研yan究jiu。他ta們men最zui初chu的de研yan究jiu對dui像xiang是shi一yi些xie在zai加jia熱re後hou電dian阻zu值zhi會hui增zeng加jia的de元yuan素su和he化hua合he物wu。這zhe些xie物wu質zhi有you一yi共gong同tong點dian，當dang它ta們men被bei光guang線xian照zhao射she時shi，會hui容rong許xu電dian流liu單dan向xiang通tong過guo，我wo們men可ke藉ji此ci控kong製zhi電dian流liu的de方fang向xiang，稱cheng為wei光guang電dian導dao效xiao應ying。在zai無wu線xian電dian接jie收shou器qi中zhong，負fu責ze偵zhen測ce訊xun息xi的de整zheng流liu器qi，就jiu是shi一yi種zhong半ban導dao體ti電dian子zi儀yi器qi的de例li子zi。德de國guo的deFerdinand Braun利(li)用(yong)了(le)半(ban)導(dao)體(ti)方(fang)鉛(qian)礦(kuang)，一(yi)種(zhong)硫(liu)化(hua)鉛(qian)化(hua)合(he)物(wu)的(de)整(zheng)流(liu)特(te)性(xing)，創(chuang)製(zhi)世(shi)上(shang)第(di)一(yi)台(tai)整(zheng)流(liu)偵(zhen)測(ce)器(qi)，後(hou)世(shi)俗(su)稱(cheng)為(wei)貓(mao)胡(hu)子(zi)的(de)偵(zhen)測(ce)器(qi)。基(ji)於(yu)半(ban)導(dao)體(ti)的(de)整(zheng)流(liu)特(te)性(xing)，我(wo)們(men)能(neng)在(zai)整(zheng)流(liu)偵(zhen)測(ce)器(qi)內(nei)的(de)金(jin)屬(shu)接(jie)觸(chu)麵(mian)和(he)半(ban)導(dao)體(ti)間(jian)建(jian)立(li)起(qi)一(yi)電(dian)勢(shi)差(cha)，令(ling)電(dian)子(zi)在(zai)某(mou)一(yi)方(fang)向(xiang)流(liu)動(dong)時(shi)為(wei)“順流而下”，反之則“逆流而上”。至此，半導體電子儀器起始麵世。

2012-12-02
NOR和NAND比較有何不同

NOR和NAND比較有何不同

2012-11-19
三大因素促USB 3.0需求明年將明顯增長

TrendForce預期NAND Flash合約價的上漲動將持續至11月份，10月下旬合約價格仍上漲了7-12%,但11月過後的價格走勢麵臨較大的下滑壓力。同時受三大因為影響USB 3.0市場將自明年開始加溫。

2012-11-01
NAND閃存單元結構

NAND閃存單元結構

2012-10-31
美光在NAND閃存市場的份額首次超過20%

在NAND閃shan存cun市shi場chang，三san星xing是shi絕jue對dui的de老lao大da，所suo占zhan市shi場chang份fen額e趨qu近jin一yi半ban。由you於yu營ying業ye收shou入ru增zeng長chang，使shi得de排pai名ming第di三san的de美mei光guang縮suo小xiao與yu第di二er名ming東dong芝zhi之zhi間jian的de差cha距ju，份fen額e首shou次ci突tu破po20%大關。在第三季，東芝有可能陷入反複下降的狀態，而美光第二季度取得的勝利仍有待檢驗。

2012-09-21
蘋果A6與A7處理器代工將花落誰家？

蘋ping果guo三san星xing專zhuan利li大da戰zhan已yi經jing結jie束shu，但dan硝xiao煙yan卻que遲chi遲chi沒mei有you散san去qu，除chu了le三san星xing需xu賠pei付fu高gao額e美mei金jin外wai，蘋ping果guo已yi經jing確que定ding降jiang低di各ge領ling域yu采cai購gou三san星xing零ling組zu件jian比bi例li。在zai麵mian板ban、NAND Flash、行動式記憶體等領域，三星在蘋果供應鏈比重已呈下降趨勢，A6與A7可能是蘋果在行動運算裝置最後一個去三星化的關鍵零組件，它將花落誰家呢？

2012-09-10

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