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SiB437EDKT：Vishay推出微型低導通電阻功率MOSFET用於便攜設備

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發布占位麵積為1.6mmx1.6mm、高度小於0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導通的此類器件。

2011-08-18
VJ係列：Vishay推出無磁性電容器用於MRI(磁力共振影像)設備

近日，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出用於MRI(磁力共振影像)設備的新係列無磁性表麵貼裝多層陶瓷片式電容器(MLCC)--- VJ。VJ係列無磁性電容器采用C0G(NPO)和X7R/X5R電介質，提供多種外形尺寸、額定電壓和電容值器件。

2011-08-15
IHLP-3232CZ-01：Vishay發布小尺寸、高電流電感器用於移動設備

Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布，發布采用3232外形尺寸、3.0mm超薄的新款IHLP®小尺寸、高電流電感器- IHLP-3232CZ-01。小尺寸的IHLP-3232CZ-01具有高效率和低至1.61mΩ的最大DCR，以及0.22μH～10.0μH的標準感值範圍。

2011-08-10
威世全方位元器件解決方案助力新能源逆變器設計

受(shou)環(huan)保(bao)意(yi)識(shi)高(gao)漲(zhang)和(he)日(ri)本(ben)核(he)泄(xie)漏(lou)的(de)影(ying)響(xiang)，太(tai)陽(yang)能(neng)發(fa)電(dian)和(he)風(feng)力(li)發(fa)電(dian)越(yue)發(fa)成(cheng)為(wei)新(xin)能(neng)源(yuan)利(li)用(yong)的(de)核(he)心(xin)。太(tai)陽(yang)能(neng)發(fa)電(dian)風(feng)電(dian)實(shi)現(xian)並(bing)網(wang)的(de)核(he)心(xin)組(zu)件(jian)是(shi)光(guang)伏(fu)逆(ni)變(bian)器(qi)和(he)風(feng)電(dian)變(bian)流(liu)器(qi)。效(xiao)率(lv)和(he)可(ke)靠(kao)性(xing)是(shi)逆(ni)變(bian)器(qi)、變流器設計的關鍵，而新型功率器件和被動元件的使用可以有效降低逆變器/變流器損耗，提高效率和可靠性。針對這一需求，國際知名分立器件和被動元件供應商威世公司（Vishay）推出包括電容、電源管理、二極管與功率模塊、光耦等全方位的元器件解決方案。

2011-07-22
P13SM：Vishay推出防海水IP68密封的金屬陶瓷板電位計用於水下設備

Vishay Intertechnology, Inc. 近日宣布，推出業內首款完全采用防海水的IP68密封，可在水下使用的新型金屬陶瓷板電位計---P13SM。P13SM采用不鏽鋼軸和套筒，是針對需要把電位計浸到30米（100英尺）的深海鹽水裏進行電氣參數設定的應用而設計的。在一項鹽霧試驗中，器件的耐腐蝕時間最長可以達到960小時。

2011-07-21
XT23|XT35：Vishay推出超小型SMD石英晶振用於便攜產品和通信設備

Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出頻率範圍達12MHz～25MHz的新款超小型SMD石英晶振--- XT23和XT35。XT23和XT35分別采用3.2mm x 2.5mm和5.0mm x 3.2mm的陶瓷封裝，能夠實現更小的終端產品。

2011-07-08
Vishay Siliconix推出尺寸極小的新款低壓模擬開關

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出3款新型單極雙擲（SPDT）和雙路的雙極雙擲（DPDT）CMOS低壓模擬開關--- DG2735A、DG2725和DG2599。這些器件具有低工作電壓和低導通電阻，采用小尺寸miniQFN封裝，可在空間受限的便攜式終端產品中用於音頻、SIM卡和多功能信號切換。

2011-07-04
600V FRED Pt® Hyperfast和Ultrafast：Vishay推出新型整流器

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發布34款采用6種功率封裝的新型600 V FRED Pt® Hyperfast和Ultrafast整流器。這些新器件具有極快的軟恢複時間、低正向壓降和反向恢複電荷，降低了開關電源中高效PFC的開關和傳導損耗。

2011-07-04
IHLP-3232DZ-01:Vishay推出低高度、高電流電感器用於多媒體終端設備

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用3232外形尺寸的新款低高度、高電流IHLP®電感器--- IHLP-3232DZ-01，電感器具有8.18mmx8.64mm的尺寸和4.0mm的超低高度。IHLP-3232DZ-01的最大DCR低至1.68mΩ，具有0.22µH至10.0µH的標準感值，可在係統中實現高效率。

2011-06-27
Vishay推出PLTT精密低TCR高溫薄膜電阻應用於電信和工業設備

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其PLTT精密低TCR高溫薄膜電阻現可提供0805、1206、2010和2512外形尺寸，阻值範圍擴大至250Ω～3MΩ，並可提供非標阻值。

2011-06-24
Vishay推出新款45V TMBS® Trench MOS勢壘肖特基整流器

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出12個具有三種功率封裝的45V器件，這些器件具有10A～60A的寬電流等級，擴充了其TMBS® Trench MOS勢壘肖特基整流器。

2011-06-17
Vishay展示業內領先的電容器、電阻和功率MOSFET器件

Vishay在PCIM Asia 2011上展示用於“綠色”能源應用的最新款電容器、薄膜刹車電阻、厚膜功率電阻和功率MOSFET

2011-06-14

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