東芝低功耗IGBT持續助力家電市場
發布時間:2022-04-30 來源:東芝 責任編輯:wenwei
【導讀】IGBT因其優異的電氣屬性和性價比在業界被廣泛應用,特別是在工業控製領域幾乎隨處可見IGBT的身影。作為功率半導體的家族分支,不僅融合了BJT和MOSFET的優點,還進一步提升了控製速度和精度,同時具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點。而今天要給大家介紹的是由東芝半導體新研發的具備低功耗節能屬性的IGBT器件——GT30N135SRA,其有助於家電產品能耗進一步降低。
1 基本電氣屬性綜述
首先GT30N135SRA擁有小而簡的T0-247封裝結構,是基於RC-IGBT功率半導體係列更新迭代的第6.5代產品,此款產品內置了一顆續流二極管芯片(FWD),進一步保證了IGBT對整個電路係統的穩定性。當TC=100℃,Ta=25℃時,其集電極電流額定值為30A,此時對應的低集電極-發射極飽和電壓VCE為1.65V,低二極管正向電壓VF為1.75V,通過降低傳導損耗來降低設備的功耗,在有限電源供給的係統電路上能夠發揮出傳奇的特色。
2 動態特性分析
IGBT的快速響應時間是衡量是否具備實時特性的一個重要的指標,為了更好的說明GT30N135SRA擁有高速的開關特性,設計了GT30N135SRA分別在阻性電路和容性電路、感性電路中的開關時間及其開關損耗來進一步分析說明。
測試結果表明當輸入VCE=25V,VGE=0V時,此時電路處於截止狀態,IC=0A。當VCE=25V,VGE=15V時,此時電路處於導通狀態,IC從0A突變到飽和狀態效率為90%,其開關頻率達到了f=100kHZ。
在zai容rong感gan性xing電dian路lu中zhong可ke以yi看kan到dao,由you於yu電dian容rong電dian感gan需xu要yao充chong放fang電dian的de特te性xing,因yin此ci電dian壓ya和he電dian流liu在zai整zheng個ge突tu變bian過guo程cheng中zhong並bing不bu是shi呈cheng現xian出chu線xian性xing特te性xing,其qi損sun耗hao計ji算suan公gong式shi為weiEoff=
圖片。即總功耗=通態損耗(與飽和電壓VCEsat有關)+開關損耗(EoffEon)。同一代技術中通態損耗與開關損耗兩者相互矛盾,互為消長。
3 引領家電消費市場
隨著IGBT的聲名鵲起在整個功率半導體行業掀起了一波新浪潮。因其前身是MOS與BJT技ji術shu集ji成cheng的de產chan物wu,因yin此ci絕jue大da多duo數shu應ying用yong在zai工gong業ye產chan品pin上shang,但dan隨sui著zhe節jie能neng減jian排pai的de指zhi導dao方fang針zhen興xing起qi,大da多duo數shu家jia電dian產chan品pin也ye迎ying來lai了le革ge新xin,新xin穎ying的de低di功gong耗hao功gong率lv半ban導dao體ti器qi件jian也ye會hui給gei整zheng個ge家jia電dian市shi場chang帶dai來lai新xin的de前qian景jing。所suo以yiGT30N135SRA在軟開關應用,電磁爐、微波爐(家電產品),電壓諧振變頻開關應用中能夠展現出奇的效果。
dongzhibandaotishiquanqiulingxiandebandaotishengchanshejizhizaogongsi,duonianlaichixugengyunzaigonglvbandaotiyanfashang,jingyanfengfudeshejishiyanshijiyouyideyanfatuanduiyeyizhizhiliyuyanfachuangxin、提升芯片的功能屬性和穩定特性。
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