N-Channel MOSFET 失效分析
發布時間:2019-11-21 責任編輯:wenwei
【導讀】客戶反饋其生產的某批次產品出現不能正常開機的現象,對失效產品局部加熱後,產品又能恢複正常工作。
1 失效背景
客戶反饋其生產的某批次產品出現不能正常開機的現象,對失效產品局部加熱後,產品又能恢複正常工作。
2 分析過程簡述
1)電性能測試
對電路進行排查,結果顯示失效樣品的器件Q2引腳信號出現異常,該器件為N-Channel MOSFET,具體表現為:NG樣品Q2的D極電位正常,但是對G極的反饋信號無動作。Q2不能正常工作致使電源電路的DC3.3V輸出下降,該輸出達不到設計要求,將會直接導致係統出現不能正常開機。

圖1 正常樣品與失效樣品Q2 pin腳信號對比
2)外觀檢查和X-Ray透視
對樣品進行外觀檢查和X-Ray透視對比,未發現任何異常。
3)動態性能測試
測試結果顯示:VDS固定,當器件在VGS作用下,DS之間溝道打開,隨著VGS增大,ID也會隨之增大,NG樣品在DS之間溝道打開後,出現ID突然下降至0的情況,對其進行加熱,該功能性測試即可恢複正常,靜置一段時間後,失效現象又會複現。出現上述現象的可能原因包括:a)Q2器件G與S之間存在漏電,導致加載在G端電壓下降至不足以開啟D與S之間的導電溝道;b)Q2器件D與S或者G與S之間存在開路。

圖3 動態性能測試(VGS-IDD)
4)C-SAM+切片+SEM
C-SAM測試結果顯示NG樣品固晶層分層明顯;SEM確認了這一現象:1)失效批次樣品的Q2固晶層出現明顯的分層不良;2)失效批次樣品的固晶層明顯比正常批次樣品厚。

圖4 SEM照片
3 總結與結論
由於客戶無法提供未使用過的失效批次Q2yangpin,yincijinyibudeyanzhengshiyanwufakaizhan,danshijianyushixiaoyangpinjuyoumingxiandepicixingtezhengyijizhengchangyangpinweichuxianleisishixiaoxianxiang,benbaogaorenweishixiaopiciqijiandebenshenzhiliangwentishidaozhibencishixiaodezhijieyuanyin,yuqijianzuzhuangwuguan。
作者:章銳華,王君兆,轉載自:美信檢測官網
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