隨著衛星通信

、調(tiao)頻(pin)技(ji)術(shu)等(deng)相(xiang)關(guan)技(ji)術(shu)的(de)發(fa)展(zhan)
，對(dui)射(she)頻(pin)前(qian)端(duan)特(te)別(bie)是(shi)低(di)噪(zao)聲(sheng)放(fang)大(da)器(qi)的(de)工(gong)作(zuo)頻(pin)帶(dai)提(ti)出(chu)了(le)更(geng)高(gao)的(de)要(yao)求(qiu)，傳(chuan)統(tong)的(de)窄(zhai)帶(dai)低(di)噪(zao)聲(sheng)放(fang)大(da)器(qi)越(yue)來(lai)越(yue)受(shou)到(dao)限(xian)製(zhi)。低(di)噪(zao)聲(sheng)放(fang)大(da)器(qi)位(wei)於(yu)射(she)頻(pin)的(de)最(zui)前(qian)端(duan)，根(gen)據(ju)通(tong)道(dao)噪(zao)聲(sheng)係(xi)數(shu)的(de)理(li)論(lun)
，低(di)噪(zao)聲(sheng)放(fang)大(da)器(qi)的(de)增(zeng)益(yi)和(he)噪(zao)聲(sheng)係(xi)數(shu)對(dui)整(zheng)個(ge)射(she)頻(pin)通(tong)道(dao)的(de)噪(zao)聲(sheng)係(xi)數(shu)起(qi)著(zhe)及(ji)其(qi)重(zhong)要(yao)的(de)作(zuo)用(yong)。基(ji)於(yu)CMOS 工gong藝yi的de低di噪zao聲sheng放fang大da器qi經jing過guo多duo年nian的de發fa展zhan，其qi噪zao聲sheng係xi數shu及ji增zeng益yi都dou已yi經jing達da到dao了le很hen高gao的de水shui平ping，但dan是shi其qi大da多duo需xu要yao采cai用yong無wu源yuan電dian感gan器qi件jian來lai實shi現xian。眾zhong所suo周zhou知zhi
，基ji於yuCMOS 工藝的電感不僅占用較大的芯片麵積，而且其品質因數性能也通常不會超過10。同時在一些大規模應用的場合，在管芯的鍵合、封裝時由於鍵合線的長度不可控、寄生電容不同等原因，傳統的片外匹配電路通常會發生較大的變化，電路性能受到較大的影響。

 

本文設計一種集成度高、匹配方便的寬帶低噪聲放大器

，而基於寬帶匹配的pH 甚至fH 級的電感在現有的集成電路製造及鍵合水平下將是很嚴重的瓶頸問題。而且運用較多的電感
、電容也是其目前不能大規模應用的重要原因，所以研究基於CMOS工藝的無電感型寬帶低噪聲放大器具有重 要的學術價值和應用價值。

 

 

低(di)噪(zao)聲(sheng)放(fang)大(da)器(qi)是(shi)無(wu)線(xian)接(jie)收(shou)係(xi)統(tong)中(zhong)第(di)一(yi)個(ge)模(mo)塊(kuai)，影(ying)響(xiang)著(zhe)整(zheng)個(ge)係(xi)統(tong)的(de)噪(zao)聲(sheng)性(xing)能(neng)和(he)靈(ling)敏(min)度(du)等(deng)參(can)數(shu)。隨(sui)著(zhe)超(chao)寬(kuan)帶(dai)技(ji)術(shu)的(de)發(fa)展(zhan)，寬(kuan)帶(dai)低(di)噪(zao)聲(sheng)放(fang)大(da)器(qi)設(she)計(ji)已(yi)成(cheng)為(wei)當(dang)前(qian)設(she)計(ji)的(de)一(yi)個(ge)熱(re)點(dian)。根(gen)據(ju)目(mu)前(qian)國(guo)內(nei)外(wai)發(fa)表(biao)的(de)相(xiang)關(guan)文(wen)獻(xian)
，當(dang)前(qian)寬(kuan)帶(dai)低(di)噪(zao)聲(sheng)放(fang)大(da)器(qi)的(de)結(jie)構(gou)大(da)致(zhi)有(you)帶(dai)通(tong)濾(lv)波(bo)網(wang)絡(luo)匹(pi)配(pei)和(he)電(dian)阻(zu)負(fu)反(fan)饋(kui)2 種結構。

 

帶通濾波網絡匹配結構主要是基於傳統的源級負反饋結構的低噪聲放大器，在輸入端口處采用帶通濾波器來實現寬帶乃至超寬帶匹配來實現輸入S 參(can)數(shu)的(de)匹(pi)配(pei)。在(zai)低(di)噪(zao)聲(sheng)放(fang)大(da)器(qi)電(dian)路(lu)設(she)計(ji)時(shi)，此(ci)結(jie)構(gou)是(shi)窄(zhai)帶(dai)低(di)噪(zao)聲(sheng)放(fang)大(da)器(qi)設(she)計(ji)中(zhong)提(ti)供(gong)阻(zu)抗(kang)和(he)噪(zao)聲(sheng)同(tong)時(shi)匹(pi)配(pei)的(de)經(jing)典(dian)技(ji)術(shu)。因(yin)此(ci)，要(yao)在(zai)寬(kuan)帶(dai)內(nei)獲(huo)得(de)良(liang)好(hao)的(de)輸(shu)入(ru)匹(pi)配(pei)及(ji)平(ping)坦(tan)的(de)增(zeng)益(yi)，就(jiu)必(bi)須(xu)在(zai)輸(shu)入(ru)端(duan)加(jia)入(ru)較(jiao)高(gao)階(jie)數(shu)的(de)LC帶通濾波器以展寬低噪聲放大器的工作頻帶。由於該匹配網絡為同頻帶的帶通濾波器，通常需要2 階乃至3 階的帶通濾波器，這就意味著需要在芯片內部需要多個電感，這就會導致 芯xin片pian麵mian積ji較jiao大da。同tong時shi
，為wei了le達da到dao輸shu入ru匹pi配pei

，該gai結jie構gou引yin入ru了le源yuan級ji負fu反fan饋kui電dian感gan
，電dian感gan值zhi通tong常chang較jiao少shao，封feng裝zhuang參can數shu將jiang會hui對dui源yuan級ji負fu反fan饋kui電dian感gan造zao成cheng很hen大da的de影ying響xiang。該gai源yuan級ji負fu反fan饋kui電dian感gan一yi般ban取qu值zhi較jiao小xiao，在zai片pian實shi現xian時shi很hen難nan保bao證zheng精jing度du
，從cong而er影ying響xiang輸shu入ru端duan的de匹pi配pei。

 

電阻負反饋型低噪聲放大器由於其占用麵積小
、噪(zao)聲(sheng)係(xi)數(shu)低(di)以(yi)及(ji)良(liang)好(hao)的(de)線(xian)性(xing)度(du)性(xing)能(neng)等(deng)特(te)點(dian)，在(zai)無(wu)電(dian)感(gan)型(xing)寬(kuan)帶(dai)低(di)噪(zao)聲(sheng)放(fang)大(da)器(qi)的(de)設(she)計(ji)中(zhong)存(cun)在(zai)較(jiao)大(da)的(de)優(you)勢(shi)。電(dian)阻(zu)負(fu)反(fan)饋(kui)型(xing)低(di)噪(zao)聲(sheng)放(fang)大(da)器(qi)可(ke)以(yi)提(ti)供(gong)良(liang)好(hao)的(de)寬(kuan)帶(dai)匹(pi)配(pei)和(he)平(ping)坦(tan)的(de)增(zeng)益(yi)。但(dan)是(shi)其(qi)負(fu)反(fan)饋(kui)會(hui)導(dao)致(zhi)噪(zao)聲(sheng)性(xing)能(neng)的(de)惡(e)化(hua)和(he)最(zui)大(da)可(ke)用(yong)增(zeng)益(yi)的(de)降(jiang)低(di)

，電(dian)阻(zu)負(fu)反(fan)饋(kui)型(xing)低(di)噪(zao)聲(sheng)放(fang)大(da)器(qi)原(yuan)理(li)圖(tu)如(ru)圖(tu)1 所示。

圖1 電阻負反饋型低噪聲放大器原理

 

在電阻負反饋型低噪聲放大器中，輸入阻抗由反饋電阻和反饋放大器的閉環增益的比值決定。反饋電阻Rf的值通常遠大於源阻抗Rs。因此
，為了匹配低的源噪聲電阻( 典型值為50 Ω)
，反(fan)饋(kui)電(dian)阻(zu)一(yi)般(ban)在(zai)幾(ji)百(bai)歐(ou)姆(mu)的(de)量(liang)級(ji)，這(zhe)一(yi)點(dian)也(ye)加(jia)重(zhong)了(le)噪(zao)聲(sheng)指(zhi)數(shu)的(de)升(sheng)高(gao)。在(zai)電(dian)阻(zu)負(fu)反(fan)饋(kui)的(de)低(di)噪(zao)聲(sheng)放(fang)大(da)器(qi)中(zhong)
，反(fan)饋(kui)電(dian)阻(zu)直(zhi)接(jie)與(yu)輸(shu)出(chu)相(xiang)連(lian)，需(xu)要(yao)在(zai)噪(zao)聲(sheng)係(xi)數(shu)與(yu)輸(shu)入(ru)阻(zu)抗(kang)匹(pi)配(pei)直(zhi)接(jie)做(zuo)出(chu)一(yi)些(xie)折(zhe)中(zhong)，通(tong)常(chang)在(zai)反(fan)饋(kui)電(dian)阻(zu)與(yu)輸(shu)出(chu)端(duan)口(kou)之(zhi)間(jian)增(zeng)加(jia)緩(huan)衝(chong)電(dian)路(lu)來(lai)減(jian)少(shao)它(ta)們(men)之(zhi)間(jian)的(de)影(ying)響(xiang)
，其(qi)電(dian)路(lu)原(yuan)理(li)如(ru)圖(tu)2 和圖3 所示。

圖3 改進的負反饋型寬帶低噪聲放大器

 

M2、M3 gongtongzuchengyuangensuidianlu，qizhegelishurushuchuduankou，jianxiaofankuidianzuyushuchudianludezuoyong
，tongshigaiyuangensuiqihaiqizhezengdashuchuqudongnenglidezuoyong，qishuchudianzuwei1 /gm2。合理地調節M2 的寬長比及偏置電流，可以使其輸出阻抗匹配至50 Ω。

 

本文設計的低噪聲放大器的完整電路結構如圖3所示。該電路為單端結構
，共有2 級。其中，M1、RL構成了第1 級的放大電路; M2
、M3 為源級跟隨器，為寬帶低噪聲放大器的第2 級，2級電路之間通過電容進行耦合，Vbias為第2 級電路的偏置電壓，Rf為反饋電阻
，主要起著調整輸入電阻作用，同時它和M1 也在很大程度上影響著噪聲係數，因此，在電路設計中需要對其阻值進行折中。合理調整反饋電阻Rf及M1 管的寬長比，便可實現良好的輸入匹配。M1 柵極的噪聲經過主放大電路進行放大，在M1 的漏端的噪聲電壓與器相位相反
，該噪聲電壓經過源級跟隨電路後相位與之前相同，即與M1 的柵極噪聲電壓極性相反，經過反饋電阻後在M1 的柵極處形成噪聲抵消，合理調節共源放大電路與源級跟隨電路的增益可以使得主放大電路M1 管的溝道熱噪聲完全抵消。

圖3 改進的負反饋型寬帶低噪聲放大器

 

 

① 在工作頻段範圍內實現1 ～ 3 GHz 寬帶匹配，使其S11＜－15 dB;

 

② 帶內增益＞14 dB;

 

③ M1 的溝道熱噪聲被反饋電路降低
，在寬頻帶範圍內實現噪聲係數NF＜3． 6 dB。通過分析小信號模型和噪聲係數，得到該結構的輸入阻抗為:

式中，Qsp的值為3． 5 ～ 5． 5，在該範圍內噪聲的影響很小
，Qsp取最佳值4． 5 時，噪聲可表示為:

當上麵2 個條件同時滿足時，低噪聲放大器絕對穩定; 如果這2 個條件不能同時滿足，低噪聲放大器會存在潛在的不穩定和振蕩，本文所設計的寬帶低噪聲放大器的版圖如圖4 所示。

圖4 寬帶低噪聲放大器的整體版

 

在對電阻負反饋型寬帶低噪聲放大器電路分析與設計的基礎上，基於SMIC 0． 18 μm RFCMOS 工藝進行設計，在Cadence Virtuoso 平台上對電路原理圖進行設計，並對噪聲係數
、S11、S21等參數進行了優化設計
，仿真優化後得到的LNA 的S 參數、噪聲係數的仿真結果如圖5、圖6 和圖7 所示，電阻反饋型低噪聲放大器在工作頻帶範圍內提供了較平坦的高增益
，在1 ～ 3 GHz 的頻帶，相應的仿真結果為: S11 ＜－15 dB，增益＞14 dB，並在在整個頻帶範圍內的平坦度較好，增益波動＜2． 6 dB，噪聲係數＜3． 6 dB。

圖5 寬帶匹配的S11參數

圖6 寬帶低噪聲放大器的帶內增益

圖7 寬帶低噪聲放大器的噪聲係數

 

本文設計的寬帶低噪聲放大器與已經發表文獻中的寬帶低噪聲放大器的性能比較如表1 所示，這些文獻均采用0． 18 μm 工藝進行設計
，具有一定的比較意義。通過表1 keyikanchu，benshejizhonggexiangcanshudoudadaolejiaohaodexingnengzhibiao
，bimianlechuantongjichengdianlushejizhongxuyaocaiyongdiangandequedian，erdiangantongchangzaidianlushejizhongzhanyongfeichangdademianji
，benwenshejidekuandaidizaoshengfangdaqishenglvelechuantongdizaoshengfangdaqishejizhongdediangan
，zhejiangzaihendachengdushangjianshaoxinpiandemianji; 更為重要的是該芯片依靠自身的MOS guanhebilidianzushixianleneipipei，bimianledapiliangyingyongshiyouyuxinpianneibucanshushougongyicanshuyingxiangerzaochengdewaiweipipeidianludegenggai，jianhualexinpiandeyingyong
，zaishijidegongchengyingyongzhongjuyouzhongyaodeyiyi。