IR新型25V DirectFET芯片組，大幅提升DC-DC開關效率
發布時間：2012-06-14
產品特性：
- 減少與體二極管傳導相關的損耗
- 實現反向恢複損耗
應用範圍：
- 應用於服務器、台式電腦和筆記本電腦
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出 IRF6706S2PbF和IRF6798MPbF DirectFET MOSFET芯片組，為 12V輸入同步降壓應用 (包括服務器、台式電腦和筆記本電腦) 提供最佳效率。
IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF 25V芯片組不但采用了IR最新一代MOSFET矽技術，還具有業界領先的性能指數 (FOM) 及 DirectFET封裝卓越的開關和熱特性，成為一個為高頻率DC-DC開關應用而優化的解決方案。
IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：“IR通過改善關鍵參數不斷提升功率MOSFET的性能。新款 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF DirectFET 芯片組把低電荷及低導通電阻 (RDS(on)) 與業界最低的柵極電阻 (Rg) 相結合，使傳統上由典型同步降壓轉換器的同步和控製接口產生的傳導損耗和開關損耗降到了最低。”
IRF6798MPbF的中罐DirectFET封裝提供低於1mΩ的(de)導(dao)通(tong)電(dian)阻(zu)，使(shi)整(zheng)個(ge)負(fu)載(zai)範(fan)圍(wei)可(ke)保(bao)持(chi)極(ji)高(gao)的(de)效(xiao)率(lv)。新(xin)器(qi)件(jian)配(pei)有(you)單(dan)片(pian)集(ji)成(cheng)式(shi)肖(xiao)特(te)基(ji)二(er)極(ji)管(guan)，能(neng)夠(gou)減(jian)少(shao)與(yu)體(ti)二(er)極(ji)管(guan)傳(chuan)導(dao)相(xiang)關(guan)的(de)損(sun)耗(hao)，並(bing)能(neng)實(shi)現(xian)反(fan)向(xiang)恢(hui)複(fu)損(sun)耗(hao)，進(jin)一(yi)步(bu)提(ti)高(gao)解(jie)決(jue)方(fang)案(an)的(de)整(zheng)體(ti)性(xing)能(neng)。 IRF6798MPbF還提供僅為0.25mΩ的極低柵極電阻，避免了與Cdv/dt相關的擊穿。
IRF6706S2PbF小罐DirectFET也具備低電荷和低導通電阻，可減少開關損耗及傳導損耗，還可為快速開關提供極低的柵極電阻。
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