產品特性：

• 低正向壓降
  、更低漏電流、導電損耗低
• 顯著提高電路能效
• 開關性能在-40 ℃至+150 ℃範圍內都很優異

應用範圍：

• 筆記本適配器或平板顯示器的開關電源、反向電池保護電路及高頻DC-DC轉換器

安森美半導體(On semi)推出新係列的100伏(V)溝槽型低正向壓降肖特基整流器(LVFR)——NTST30100CTG
、NTST20100CTG及NTSB20U100CTG等係列
，用於筆記本適配器或平板顯示器的開關電源
、反向電池保護電路及高頻直流-直流(DC-DC)轉換器等應用。

新的NTST30100CTG
、NTST20100CTG及NTSB20U100CTG係xi列lie器qi件jian采cai用yong溝gou槽cao拓tuo撲pu結jie構gou
，提ti供gong優you異yi的de低di正zheng向xiang壓ya降jiang及ji更geng低di漏lou電dian流liu，因yin而er導dao電dian損sun耗hao低di及ji大da幅fu提ti升sheng的de電dian路lu能neng效xiao
，幫bang助zhu設she計ji工gong程cheng師shi符fu合he高gao能neng效xiao標biao準zhun規gui範fan要yao求qiu，不bu會hui增zeng加jia複fu雜za度du，例li如ru無wu須xu同tong步bu整zheng流liu。

此LVFR係列利用溝槽金屬氧化物半導體(MOS)結構
，在正向偏置條件下提供更大的導電區，因而顯著降低正向壓降。在反向偏置條件下，此結構產生“夾斷”(pinch-off)效應，從而降低漏電流。跟平麵型肖特基整流器不同，安森美半導體的溝槽型LVFR的開關性能在-40 ℃至+150 ℃的整個工作結點溫度範圍內都很優異。

為了證明LVFR的優勢，安森美半導體將其30 A、100 V LVFR (NTST30100SG)與標準的30 A、100 V平麵型肖特基整流器進行比較。基於65 W電源適配器測試的數據顯示，使用LVFR比使用平麵肖特基整流器的能效高1%。如此顯著的能效提升使電源設計人員能夠符合規範要求，同時不增加方案的複雜度及成本，例如無須同步整流。

安森美半導體功率分立分部高級總監兼總經理John Trice說：“我們的客戶力求其產品設計更高能效，麵市已久的平麵型肖特基整流器根本無法高性價比地提供溝槽型LVFR係列所具的性能及能效。LVFR在擴展溫度範圍內提供優異正向壓降及反向漏電流性能，超出我們客戶提升電源能效的嚴格規格。”