新聞事件：

• ST鞏固在能效功率控製市場的領導地位

事件影響：

• 是節能技術領域的一次巨大飛躍

• 減少封裝尺寸，降低材料（BOM）成本

橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics
，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）推出打破高壓功率MOSFET晶體管世界記錄的MDmesh V功率MOSFET晶體管。MDmesh V係列已是市場上性能最高的功率MOSFET晶體管
，擁有最低的單位麵積通態電阻，在650V額定電壓應用中可實現最高的能效和功率密度；現在新產品的推出又將重要的能效指標提高23%以上，對於以熱量形式損耗電能的係統功率轉換電路，如電子照明控製器、消費電子電源和太陽能光電轉換器，新產品的成功推出在節能技術領域是一次巨大飛躍。

意法半導體功率晶體管市場總監Maurizio Giudice表示：“新記錄突顯並鞏固了意法半導體在超結型MOSFET市場的領導地位，MDmesh V體現了意法半導體最新的經過市場檢驗的Multi-Drain Mesh技(ji)術(shu)
，新(xin)產(chan)品(pin)的(de)性(xing)能(neng)提(ti)升(sheng)讓(rang)客(ke)戶(hu)能(neng)夠(gou)降(jiang)低(di)應(ying)用(yong)設(she)計(ji)能(neng)耗(hao)，同(tong)時(shi)強(qiang)化(hua)了(le)意(yi)法(fa)半(ban)導(dao)體(ti)關(guan)於(yu)提(ti)供(gong)對(dui)環(huan)境(jing)負(fu)責(ze)的(de)產(chan)品(pin)同(tong)時(shi)通(tong)過(guo)設(she)計(ji)研(yan)發(fa)創(chuang)新(xin)產(chan)品(pin)為(wei)客(ke)戶(hu)提(ti)供(gong)卓(zhuo)越(yue)性(xing)能(neng)的(de)承(cheng)諾(nuo)。”

新產品STW88N65M5 MDmesh V MOSFET的通態電阻僅為 0.029Ω，是標準TO-247封裝650V市場上通態電阻最低的產品
，打破了同樣是MDmesh V器件創造的0.038 Ω的原行業基準。設計工程師可直接將新產品替代通態電阻較高的MOSFET來提高終端應用的能效，或並聯更少的MOSFET晶體管，從而減少封裝尺寸，降低材料（BOM）成本。

相較於同類600V競爭產品
，意法半導體的650V STW88N65M5及其餘的 MDmesh V產品的安全邊際更高，從而提高MOSFET對交流電力線上常見電湧的承受能力。

意法半導體經過市場檢驗的MDmesh V產品采用多種類型的封裝，包括Max247、TO-247
、D2PAK、TO-220/FP、PowerFLAT 8x8 HV以及I2PAK。TO-247封裝的STW88N65M5現已上市。