產品特性：

• 改善了電氣特性
  、機械特性
• 同時實現了超小型化、輕量化、高效化

應用範圍：

• 麵向EV
  
  
  、HEV車（電動汽車
  、混合動力車）
• 應用於工業設備

日本知名半導體製造商羅姆株式會社日前麵向EV、HEV車（電動汽車、混合動力車）及工業設備，與擁有電力係統和電源封裝技術的Arkansas Power Electronics International（APEI）公司聯合開發出搭載了SiC溝槽MOS的高速

、大電流模塊“APEI　HT2000”。該模塊一改傳統的Si模塊的設計，由於最大限度地利用了SiC器件的特點
，從而大幅改善了電氣特性、機械特性，同時實現了超小型化、輕量化
、高效化，在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。該模塊共搭載了16個羅姆開發的SiC溝槽MOS，經驗證可在600V/1000A條件下工作
，而且實現了Si-IGBT不可能實現的數十納秒的超高開關速度。不僅如此，這種模塊的使用範圍高達1200V級。另外，在250℃的高溫下亦可工作。基於這些特點
，不僅傳統的Si-IGBT模塊，現在正被廣泛開發的SiC模塊中，也成功開發出了電氣性能和機械性能都很卓越的模塊。該模塊預計於2012年開始麵向特殊用途提供樣品
，3～4年後達到實際應用階段。

近年來，在迅速發展的混合動力車(HEV)、電動汽車(EV)等所代表的電力電子領域，要求提供更高功率化
、更高效化、更高溫度條件下工作的元器件

，而使用傳統的Si材料是無法解決這些課題的，但通過使用材料性能卓越的SiC，可以滿足這些要求。因此，電力電子市場的需求也從Si模塊轉向高效SiC模塊。

之前羅姆開發的超低電阻（約2mΩ・cm２）SiC溝槽MOSFET可通過單片承受100A級的電流。而此次
，羅姆進一步成功的降低了MOSFET的門極電容，開關速度與現有的SiC-DMOS相比可提高50％，與羅姆以往的SiC溝槽MOS相比也提高了30％。但dan是shi

，傳chuan統tong的de模mo塊kuai，為wei了le元yuan器qi件jian的de散san熱re


，確que保bao元yuan器qi件jian的de工gong作zuo溫wen度du，需xu要yao加jia大da模mo塊kuai麵mian積ji，因yin此ci往wang往wang導dao致zhi模mo塊kuai的de寄ji生sheng電dian感gan增zeng大da。因yin此ci，即ji使shi搭da載zaiSiC溝槽MOS，由於模塊本身的限製也無法有效發揮其特點。而此次APEI開發出了通過將模塊的麵積小型化、進一步優化布局、大幅降低了寄生電感的模塊。另外，這種模塊上搭載溝槽MOS可承受1000A級水平的大電流
，與傳統的Si-IGBT模塊相比，可以減少一半導通電阻。此外，實現了開關時間僅需數十納秒的超高速工作，與Si-IGBT相比成功將開關損耗降低到了1/3。不僅如此，由於所使用的材料變更為高性能材料，因此模塊的麵積減少到30％

，並同時實現了Si-IGBT不可能實現的高溫（250℃）驅動。而且，根據端子的連接方法
，可按半橋、全橋、串聯進行選用。另外


，還能搭載羅姆開發的所有的SiC器件，可進行滿足客戶規格要求的設計。

傳統的SiC模塊，僅需將Si模塊所使用的Si器件更換為SiC器件即可實現高效化和高溫化
，但使用Si器件的模塊設計中，無法最大限度的發揮材料性能卓越的SiC的特點。此次
，通過大幅變更設計，優化使用SiC器件的模塊，成功開發出了可以最大限度發揮SiC特點的模塊。

＜主要特點＞

１）超輕量

２）超小型

３）大功率（1000A級）　　　　

４）高速開關

５）高溫驅動

＜主要規格＞

尺寸	7.5cm×8.13cm×1.23cm
重量	135g
額定電壓	600V
額定電流	1000A
搭載器件	SiC溝槽MOSFET
導通電阻	1.5mΩ
開關時間	導通35ns/關斷42ns
開關損耗	導通1.5mJ/關斷 8mJ

＜模塊的導通特性＞
＜模塊的電路結構＞