產品特性：

• 60V和80V擊穿電壓
• 0.0016Ω通態電阻 (STH260N6F6-2)
• 180A額定電流 (STx260F6N6)
• 100%雪崩測試

應用範圍：

• 太陽能發電應用
  、電信設備
• 聯網設備以及服務器電源

橫跨多重電子應用領域、全球領先的功率芯片供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）擴大采用第六代STripFET技術的高效功率晶體管的產品係列，為設計人員在提高各種應用的節能省電性能帶來更多選擇。

最新的STripFET VI DeepGATE功率MOSFET可承受高達80V的電壓，可用於太陽能發電應用（如微型逆變器）、電信設備、聯網設備以及服務器電源。高額定電壓可準許晶體管在48V電(dian)信(xin)應(ying)用(yong)中(zhong)穩(wen)定(ding)工(gong)作(zuo)
，高(gao)能(neng)效(xiao)還(hai)可(ke)有(you)效(xiao)降(jiang)低(di)運(yun)營(ying)商(shang)網(wang)絡(luo)成(cheng)本(ben)。此(ci)外(wai)
，這(zhe)項(xiang)技(ji)術(shu)不(bu)僅(jin)可(ke)降(jiang)低(di)消(xiao)費(fei)電(dian)子(zi)的(de)電(dian)源(yuan)能(neng)耗(hao)，在(zai)可(ke)使(shi)其(qi)在(zai)更(geng)低(di)的(de)溫(wen)度(du)下(xia)工(gong)作(zuo)

，從(cong)而(er)提(ti)高(gao)用(yong)戶(hu)的(de)使(shi)用(yong)體(ti)驗(yan)
，並(bing)延(yan)長(chang)電(dian)池(chi)壽(shou)命(ming)。

首批推出的5款產品分別為60V 的STP260N6F6和STH260N6F6-2
、75V的STP210N75F6和STH210N75F6-2以及80V的STL75N8LF6。由於采用了意法半導體最新的DeepGATE溝道MOSFET架(jia)構(gou)，這(zhe)五(wu)款(kuan)產(chan)品(pin)擁(yong)有(you)業(ye)界(jie)同(tong)類(lei)產(chan)品(pin)最(zui)低(di)的(de)單(dan)位(wei)芯(xin)片(pian)麵(mian)積(ji)通(tong)態(tai)電(dian)阻(zu)。這(zhe)些(xie)低(di)損(sun)耗(hao)器(qi)件(jian)選(xuan)擇(ze)多(duo)種(zhong)微(wei)型(xing)工(gong)業(ye)標(biao)準(zhun)封(feng)裝(zhuang)，使(shi)客(ke)戶(hu)能(neng)夠(gou)提(ti)高(gao)係(xi)統(tong)能(neng)效(xiao)，同(tong)時(shi)降(jiang)低(di)印(yin)刷(shua)電(dian)路(lu)板(ban)的(de)尺(chi)寸(cun)和(he)總(zong)體(ti)組(zu)件(jian)數(shu)量(liang)/成本。

ST第六代功率MOSFET係列最新產品適用於太陽能發電應用、電信設備、聯網設備以及服務器電源

采用TO-220封裝的STP260N6F6、STP210N75F6與采用H2PAK-2貼裝的STH210N75F6-2、STH260N6F6-2目前已上市。

采用PowerFLAT 5x6封裝的STL75N8LF6預計於2011年第三季度推出樣片。PowerFLAT封裝可縮減芯片的占板空間，同時優化輸出電流。