高速PCB設計電容的應用實例
發布時間:2011-03-29 來源:電源網
中心議題:
第一部分:電容的分類
電容在電路的設計中從應用上進行分類,可以將電容分為四類:
第一類:AC耦合電容。主要用於Ghz信號的交流耦合。
第二類:退耦電容。主要用於保持濾除高速電路板的電源或地的噪聲。
第三類:有源或無源RC濾波或選頻網絡中用到的電容。
第四類:模擬積分器和采樣保持電路中用到的電容。
在本文中我們將主要討論第二大類退耦電容。
電容從製造的材料和工藝進行分類,主要有以下不同形式的電容:
1、NPO陶瓷電容器
2、聚苯乙烯陶器電容器
3、聚丙烯電容器
4、聚四氟乙烯電容器
5、MOS電容器
6、聚碳酸酯電容器
7、聚脂電容器
8、單片陶瓷電容器
9、雲母電容器
10、鋁電解電容器
11、鉭電解電容器
在實際的設計中由於,價格、采購等各方麵原因經常用的電容有:陶瓷電容、鋁電解電容、鉭電容。
第二部分:電容的具體模型和分布參數
要yao正zheng確que合he理li的de應ying用yong電dian容rong,自zi然ran需xu要yao認ren識shi電dian容rong的de具ju體ti模mo型xing以yi及ji模mo型xing中zhong各ge個ge分fen布bu參can數shu的de具ju體ti意yi義yi和he作zuo用yong。和he其qi他ta的de元yuan器qi件jian一yi樣yang,實shi際ji中zhong的de電dian容rong與yu"理想"電容器不同,"實際"電容器由於其封裝、材料等方麵的影響,其就具備有電感、電阻的一個附加特性,必須用附加的"寄生"元件或"非理想"性能來表征,其表現形式為電阻元件和電感元件,非線性和介電存儲性能。"實際"電dian容rong器qi模mo型xing如ru下xia圖tu所suo示shi。由you於yu這zhe些xie寄ji生sheng元yuan件jian決jue定ding的de電dian容rong器qi的de特te性xing,通tong常chang在zai電dian容rong器qi生sheng產chan廠chang家jia的de產chan品pin說shuo明ming中zhong都dou有you詳xiang細xi說shuo明ming。在zai每mei項xiang應ying用yong中zhong了le解jie這zhe些xie寄ji生sheng作zuo用yong,將jiang有you助zhu於yu你ni選xuan擇ze合he適shi類lei型xing的de電dian容rong器qi。

從上麵的圖我們可以看出,電容實際上應該由六個部分組成。除了自己的電容C外,還有以下部分組成:
1、等效串聯電阻ESRRESR:電容器的等效串聯電阻是由電容器的引腳電阻與電容器兩個極板的等效電阻相串聯構成的。當有大的交流電流通過電容器,RESR使電容器消耗能量(從而產生損耗)。這對射頻電路和載有高波紋電流的電源去耦電容器會造成嚴重後果。但對精密高阻抗、小信號模擬電路不會有很大的影響。RESR最低的電容器是雲母電容器和薄膜電容器。
2、等效串聯電感ESL,LESL:電容器的等效串聯電感是由電容器的引腳電感與電容器兩個極板的等效電感串聯構成的。像RESR一樣,LESL在(zai)射(she)頻(pin)或(huo)高(gao)頻(pin)工(gong)作(zuo)環(huan)境(jing)下(xia)也(ye)會(hui)出(chu)現(xian)嚴(yan)重(zhong)問(wen)題(ti),雖(sui)然(ran)精(jing)密(mi)電(dian)路(lu)本(ben)身(shen)在(zai)直(zhi)流(liu)或(huo)低(di)頻(pin)條(tiao)件(jian)下(xia)正(zheng)常(chang)工(gong)作(zuo)。其(qi)原(yuan)因(yin)是(shi)用(yong)於(yu)精(jing)密(mi)模(mo)擬(ni)電(dian)路(lu)中(zhong)的(de)晶(jing)體(ti)管(guan)在(zai)過(guo)渡(du)頻(pin)率(lv)(transitionfrequencies)kuozhandaojibaizhaohehuojijihedeqingkuangxia,rengjuyouzengyi,keyifangdadianganzhihendidexiezhenxinhao。zhejiushizaigaopinqingkuangxiaduizhezhongdianludedianyuanduanyaojinxingshidangquoudezhuyaoyuanyin。
3、等效並聯電阻EPRRL:就是我們通常所說的電容器泄漏電阻,在交流耦合應用、存儲應用(例如模擬積分器和采樣保持器)以及當電容器用於高阻抗電路時,RL是一項重要參數,理想電容器中的電荷應該隻隨外部電流變化。然而實際電容器中的RL使電荷以RC時間常數決定的速率緩慢泄漏。
[page]
4、還是兩個參數RDA、CDA也是電容的分布參數,但在實際的應該中影響比較小,這裏就不介紹了。所以電容重要分布參數的有三個:ESR、ESL、EPR。其中最重要的是ESR、ESL,實際在分析電容模型的時候一般隻用RLC簡化模型,即分析電容的C、ESR、ESL,這我們將在下周做重點分析電容的簡化模型。
5、下麵我們在介紹詳細模型的基礎上,談談我們設計中經常用到兩種電容:
6、電解電容器(比如:鉭電容器和鋁電解電容器)的容量很大,由於其隔離電阻低,就是等效並聯電阻EPR很小,所以漏電流非常大(典型值5〜20nA/μF),yincitabushiheyongyucunchuheouhe。dianjiedianrongbijiaoshiheyongyudianyuandepangludianrong,yongyuwendingdianyuandegongdian。zuishiheyongyujiaoliuouhejidianhecunchudedianrongqishijusifuyixidianrongqiheqitajuzhixing(聚丙烯、聚苯乙烯等)電容器。
7、單片陶瓷電容器,比較適合用於高頻電路的退耦電容,因為它們具有很低的等效串聯電感,就是等效串聯電感ESL很(hen)小(xiao),具(ju)備(bei)有(you)很(hen)廣(guang)的(de)退(tui)耦(ou)頻(pin)段(duan)。這(zhe)和(he)他(ta)的(de)結(jie)構(gou)構(gou)成(cheng)有(you)很(hen)大(da)的(de)關(guan)係(xi)單(dan)片(pian)陶(tao)瓷(ci)電(dian)容(rong)器(qi)是(shi)由(you)多(duo)層(ceng)夾(jia)層(ceng)金(jin)屬(shu)薄(bo)膜(mo)和(he)陶(tao)瓷(ci)薄(bo)膜(mo)構(gou)成(cheng)的(de),而(er)且(qie)這(zhe)些(xie)多(duo)層(ceng)薄(bo)膜(mo)是(shi)按(an)照(zhao)母(mu)線(xian)平(ping)行(xing)方(fang)式(shi)排(pai)布(bu)的(de),而(er)不(bu)是(shi)按(an)照(zhao)串(chuan)行(xing)方(fang)式(shi)卷(juan)繞(rao)的(de)。
8、zhezhouwomentanledianrongdexiangxidedengxiaomoxing,xiangxindajiaxianzaiduidianrongyinggaiyoubijiaoshenderenshile,xiazhouwomenjiangjixutan,womenshijifenxiyingyongzhongyaojingchangyongdaodedianrongdejianhuadengxiaomoxing,hetazukangquxiandeyoulaiheyiyi。
第三部分:電容的簡化模型和阻抗曲線
為了分析方便,在實際的分析應該中經常使用由串聯等效電阻ESR、串聯等效電感ESL、電容組成的RLC模型。因為對電容的高頻特性影響最大的則是ESR和ESL,我們通常采用下圖中簡化的實際模型進行分析:

上麵組成的RLC模型的阻抗如果用數學公式可以表示如下:

那麼它的模的表達式如下:

上式就是電容的容抗隨頻率變化的表達式,如果2πfLs=1/2πfC,那麼|Z|min=Rs,此時:
畫出電容的容抗的曲線的圖如下:

從上圖,我們很清楚的看出:電容在整個頻段,並非都是表現為電容的特性,而是在低頻的情況(諧振頻率以下),表現為電容性的器件,而當頻率增加(超過諧振頻率)的de時shi候hou,它ta漸jian漸jian的de表biao現xian為wei電dian感gan性xing的de器qi件jian。也ye就jiu是shi說shuo它ta的de阻zu抗kang隨sui著zhe頻pin率lv的de增zeng加jia先xian減jian小xiao後hou增zeng大da,等deng效xiao阻zu抗kang的de最zui小xiao值zhi發fa生sheng在zai串chuan聯lian諧xie振zhen頻pin率lv時shi,這zhe時shi候hou,電dian容rong的de容rong抗kang和he感gan抗kang正zheng好hao抵di消xiao,表biao現xian為wei阻zu抗kang大da小xiao恰qia好hao等deng於yu寄ji生sheng串chuan聯lian電dian阻zuESR。
了解了上麵的曲線,應該就不難理解在實際的應該中,我們的選擇電容標準是:
1、盡可能低的ESR電容。
2、盡可能高的電容的諧振頻率值。
- 電容的分類
- 電容的具體模型和分布參數
- 電容的簡化模型和阻抗曲線
- 盡可能低的ESR電容。
- 盡可能高的電容的諧振頻率值
第一部分:電容的分類
電容在電路的設計中從應用上進行分類,可以將電容分為四類:
第一類:AC耦合電容。主要用於Ghz信號的交流耦合。
第二類:退耦電容。主要用於保持濾除高速電路板的電源或地的噪聲。
第三類:有源或無源RC濾波或選頻網絡中用到的電容。
第四類:模擬積分器和采樣保持電路中用到的電容。
在本文中我們將主要討論第二大類退耦電容。
電容從製造的材料和工藝進行分類,主要有以下不同形式的電容:
1、NPO陶瓷電容器
2、聚苯乙烯陶器電容器
3、聚丙烯電容器
4、聚四氟乙烯電容器
5、MOS電容器
6、聚碳酸酯電容器
7、聚脂電容器
8、單片陶瓷電容器
9、雲母電容器
10、鋁電解電容器
11、鉭電解電容器
在實際的設計中由於,價格、采購等各方麵原因經常用的電容有:陶瓷電容、鋁電解電容、鉭電容。
第二部分:電容的具體模型和分布參數
要yao正zheng確que合he理li的de應ying用yong電dian容rong,自zi然ran需xu要yao認ren識shi電dian容rong的de具ju體ti模mo型xing以yi及ji模mo型xing中zhong各ge個ge分fen布bu參can數shu的de具ju體ti意yi義yi和he作zuo用yong。和he其qi他ta的de元yuan器qi件jian一yi樣yang,實shi際ji中zhong的de電dian容rong與yu"理想"電容器不同,"實際"電容器由於其封裝、材料等方麵的影響,其就具備有電感、電阻的一個附加特性,必須用附加的"寄生"元件或"非理想"性能來表征,其表現形式為電阻元件和電感元件,非線性和介電存儲性能。"實際"電dian容rong器qi模mo型xing如ru下xia圖tu所suo示shi。由you於yu這zhe些xie寄ji生sheng元yuan件jian決jue定ding的de電dian容rong器qi的de特te性xing,通tong常chang在zai電dian容rong器qi生sheng產chan廠chang家jia的de產chan品pin說shuo明ming中zhong都dou有you詳xiang細xi說shuo明ming。在zai每mei項xiang應ying用yong中zhong了le解jie這zhe些xie寄ji生sheng作zuo用yong,將jiang有you助zhu於yu你ni選xuan擇ze合he適shi類lei型xing的de電dian容rong器qi。

從上麵的圖我們可以看出,電容實際上應該由六個部分組成。除了自己的電容C外,還有以下部分組成:
1、等效串聯電阻ESRRESR:電容器的等效串聯電阻是由電容器的引腳電阻與電容器兩個極板的等效電阻相串聯構成的。當有大的交流電流通過電容器,RESR使電容器消耗能量(從而產生損耗)。這對射頻電路和載有高波紋電流的電源去耦電容器會造成嚴重後果。但對精密高阻抗、小信號模擬電路不會有很大的影響。RESR最低的電容器是雲母電容器和薄膜電容器。
2、等效串聯電感ESL,LESL:電容器的等效串聯電感是由電容器的引腳電感與電容器兩個極板的等效電感串聯構成的。像RESR一樣,LESL在(zai)射(she)頻(pin)或(huo)高(gao)頻(pin)工(gong)作(zuo)環(huan)境(jing)下(xia)也(ye)會(hui)出(chu)現(xian)嚴(yan)重(zhong)問(wen)題(ti),雖(sui)然(ran)精(jing)密(mi)電(dian)路(lu)本(ben)身(shen)在(zai)直(zhi)流(liu)或(huo)低(di)頻(pin)條(tiao)件(jian)下(xia)正(zheng)常(chang)工(gong)作(zuo)。其(qi)原(yuan)因(yin)是(shi)用(yong)於(yu)精(jing)密(mi)模(mo)擬(ni)電(dian)路(lu)中(zhong)的(de)晶(jing)體(ti)管(guan)在(zai)過(guo)渡(du)頻(pin)率(lv)(transitionfrequencies)kuozhandaojibaizhaohehuojijihedeqingkuangxia,rengjuyouzengyi,keyifangdadianganzhihendidexiezhenxinhao。zhejiushizaigaopinqingkuangxiaduizhezhongdianludedianyuanduanyaojinxingshidangquoudezhuyaoyuanyin。
3、等效並聯電阻EPRRL:就是我們通常所說的電容器泄漏電阻,在交流耦合應用、存儲應用(例如模擬積分器和采樣保持器)以及當電容器用於高阻抗電路時,RL是一項重要參數,理想電容器中的電荷應該隻隨外部電流變化。然而實際電容器中的RL使電荷以RC時間常數決定的速率緩慢泄漏。
[page]
4、還是兩個參數RDA、CDA也是電容的分布參數,但在實際的應該中影響比較小,這裏就不介紹了。所以電容重要分布參數的有三個:ESR、ESL、EPR。其中最重要的是ESR、ESL,實際在分析電容模型的時候一般隻用RLC簡化模型,即分析電容的C、ESR、ESL,這我們將在下周做重點分析電容的簡化模型。
5、下麵我們在介紹詳細模型的基礎上,談談我們設計中經常用到兩種電容:
6、電解電容器(比如:鉭電容器和鋁電解電容器)的容量很大,由於其隔離電阻低,就是等效並聯電阻EPR很小,所以漏電流非常大(典型值5〜20nA/μF),yincitabushiheyongyucunchuheouhe。dianjiedianrongbijiaoshiheyongyudianyuandepangludianrong,yongyuwendingdianyuandegongdian。zuishiheyongyujiaoliuouhejidianhecunchudedianrongqishijusifuyixidianrongqiheqitajuzhixing(聚丙烯、聚苯乙烯等)電容器。
7、單片陶瓷電容器,比較適合用於高頻電路的退耦電容,因為它們具有很低的等效串聯電感,就是等效串聯電感ESL很(hen)小(xiao),具(ju)備(bei)有(you)很(hen)廣(guang)的(de)退(tui)耦(ou)頻(pin)段(duan)。這(zhe)和(he)他(ta)的(de)結(jie)構(gou)構(gou)成(cheng)有(you)很(hen)大(da)的(de)關(guan)係(xi)單(dan)片(pian)陶(tao)瓷(ci)電(dian)容(rong)器(qi)是(shi)由(you)多(duo)層(ceng)夾(jia)層(ceng)金(jin)屬(shu)薄(bo)膜(mo)和(he)陶(tao)瓷(ci)薄(bo)膜(mo)構(gou)成(cheng)的(de),而(er)且(qie)這(zhe)些(xie)多(duo)層(ceng)薄(bo)膜(mo)是(shi)按(an)照(zhao)母(mu)線(xian)平(ping)行(xing)方(fang)式(shi)排(pai)布(bu)的(de),而(er)不(bu)是(shi)按(an)照(zhao)串(chuan)行(xing)方(fang)式(shi)卷(juan)繞(rao)的(de)。
8、zhezhouwomentanledianrongdexiangxidedengxiaomoxing,xiangxindajiaxianzaiduidianrongyinggaiyoubijiaoshenderenshile,xiazhouwomenjiangjixutan,womenshijifenxiyingyongzhongyaojingchangyongdaodedianrongdejianhuadengxiaomoxing,hetazukangquxiandeyoulaiheyiyi。
第三部分:電容的簡化模型和阻抗曲線
為了分析方便,在實際的分析應該中經常使用由串聯等效電阻ESR、串聯等效電感ESL、電容組成的RLC模型。因為對電容的高頻特性影響最大的則是ESR和ESL,我們通常采用下圖中簡化的實際模型進行分析:

上麵組成的RLC模型的阻抗如果用數學公式可以表示如下:

那麼它的模的表達式如下:

上式就是電容的容抗隨頻率變化的表達式,如果2πfLs=1/2πfC,那麼|Z|min=Rs,此時:
畫出電容的容抗的曲線的圖如下:

從上圖,我們很清楚的看出:電容在整個頻段,並非都是表現為電容的特性,而是在低頻的情況(諧振頻率以下),表現為電容性的器件,而當頻率增加(超過諧振頻率)的de時shi候hou,它ta漸jian漸jian的de表biao現xian為wei電dian感gan性xing的de器qi件jian。也ye就jiu是shi說shuo它ta的de阻zu抗kang隨sui著zhe頻pin率lv的de增zeng加jia先xian減jian小xiao後hou增zeng大da,等deng效xiao阻zu抗kang的de最zui小xiao值zhi發fa生sheng在zai串chuan聯lian諧xie振zhen頻pin率lv時shi,這zhe時shi候hou,電dian容rong的de容rong抗kang和he感gan抗kang正zheng好hao抵di消xiao,表biao現xian為wei阻zu抗kang大da小xiao恰qia好hao等deng於yu寄ji生sheng串chuan聯lian電dian阻zuESR。
了解了上麵的曲線,應該就不難理解在實際的應該中,我們的選擇電容標準是:
1、盡可能低的ESR電容。
2、盡可能高的電容的諧振頻率值。
特別推薦
- 噪聲中提取真值!瑞盟科技推出MSA2240電流檢測芯片賦能多元高端測量場景
- 10MHz高頻運行!氮矽科技發布集成驅動GaN芯片,助力電源能效再攀新高
- 失真度僅0.002%!力芯微推出超低內阻、超低失真4PST模擬開關
- 一“芯”雙電!聖邦微電子發布雙輸出電源芯片,簡化AFE與音頻設計
- 一機適配萬端:金升陽推出1200W可編程電源,賦能高端裝備製造
技術文章更多>>
- 2026藍牙亞洲大會暨展覽在深啟幕
- 新市場與新場景推動嵌入式係統研發走向統一開發平台
- 維智捷發布中國願景
- 2秒啟動係統 • 資源受限下HMI最優解,米爾RK3506開發板× LVGL Demo演示
- H橋降壓-升壓電路中的交替控製與帶寬優化
技術白皮書下載更多>>
- 車規與基於V2X的車輛協同主動避撞技術展望
- 數字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰
- 汽車模塊拋負載的解決方案
- 車用連接器的安全創新應用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
熱門搜索
Tektronix
Thunderbolt
TI
TOREX
TTI
TVS
UPS電源
USB3.0
USB 3.0主控芯片
USB傳輸速度
usb存儲器
USB連接器
VGA連接器
Vishay
WCDMA功放
WCDMA基帶
Wi-Fi
Wi-Fi芯片
window8
WPG
XILINX
Zigbee
ZigBee Pro
安規電容
按鈕開關
白色家電
保護器件
保險絲管
北鬥定位
北高智

