產品特性：

• 封裝的尺寸為1.6mmx16.mmx0.8mm
• 提供8V～30V VDS的功率MOSFET
• SiB408DK在10V時的導通電阻隻有40mΩ
• SiB412DK在4.5V時的導通電阻低至34mΩ

應用範圍：

• 負載
  
  、功放和便攜式電子產品中的電池開關

日前，Vishay 宣布，推出采用熱增強PowerPAK SC-75封裝、提供8V～30V VDS的功率MOSFET
，擴大了N溝道TrenchFET家族的陣容。今天發布的器件包括業界首款采用1.6mm x 1.6mm占位的30V器件
，以及具有業內最低導通電阻的20V MOSFET。

已經發布的Siliconix SiB414DK是首款8V單N溝道功率MOSFET
，也采用PowerPAK SC-75占位的封裝，30V SiB408DK和20V SiB412DK的加入進一步壯大了該產品係列。SiB408DK在10V時的導通電阻隻有40mΩ，SiB412DK在4.5V時的導通電阻低至34mΩ，比最接近的競爭器件低21%。

PowerPAK SC-75封裝的尺寸為1.6mmx16.mmx0.8mm，比2mmx2mm的器件小72％，比廣泛使用的TSOP-6器件小72%，同時具有近似的導通電阻。而對設計者來說，更小尺寸的PowerPAK SC-75能夠在便攜式電子產品中節省空間
、降低功耗，從而在滿足消費者對電池運行時間要求的前提下，提供更多的功能。

N溝道PowerPAK SC-75功率MOSFET的典型應用包括負載、功放和便攜式電子產品中的電池開關。與常用的3mm x 3mm封裝相比
，該器件可節約在1/8磚或1/16磚電源模塊中的所占空間。SiB408DK還可用做筆記本電腦和上網本中的負載開關。

這些器件符合IEC 61249-2-21的無鹵素規範和RoHS指令2002/95/EC。MOSFET百分之百通過了Rg和UIS測試。

器件規格表

型號	SiB414DK	SiB412DK	SiB408DK
VDS	8 V	20 V	30 V
VGS	± 5 V	± 8 V	± 20 V
RDS(ON) @ 10 V			40 mΩ
RDS(ON) @ 4.5 V	26 mΩ	34 mΩ	50 mΩ
RDS(ON) @ 2.5 V	30 mΩ	40 mΩ
RDS(ON) @ 1.8 V	37 mΩ	54 mΩ
RDS(ON) @ 1.5 V	52 mΩ
RDS(ON) @ 1.2 V	89 mΩ

新款N溝道PowerPAK SC-75功率MOSFET現可提供樣品
，並已實現量產
，大宗訂貨的供貨周期為十周至十二周。