產品特性：

• 采用1.6mm×1.6mm 的熱增強型PowerPAK SC-75 封裝
• 肖特基二極管在100 mA 時具有 0.32V 低正向電壓
• 將兩個元件整合到一個封裝中節省了空間
• 較低的正向電壓，降低了電平位移應用中的壓降
• 具有0.960Ω～0.225Ω的低導通電阻範圍
• 1.5 V 時的低導通電阻額定值
• 具有ESD保護，並且無鉛，無鹵素，符合RoHS

應用範圍：

• 手機、PDA
  
  、數碼相機
• MP3 播放器及智能電話等便攜式設備

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出業界最小的20V n 通道功率 MOSFET＋肖特基二極管--- SiB800EDK，該器件采用 1.6mm×1.6mm 的熱增強型PowerPAK SC-75 封裝。這款新型器件的推出，意味著Vishay將其在100 mA 時具有 0.32V 低正向電壓的肖特基二極管與具有在低至1.5V 柵極驅動時規定的額定導通電阻的 MOSFET 進行了完美結合。

當便攜式電子設備變得越來越小時
，元件的大小變得至關重要。憑借超小的占位麵積，Vishay的SiB800EDK 比采用 2mm×2mm 封裝的器件小 36%，同時具有 0.75mm 的超薄厚度。Vishay此(ci)番(fan)將(jiang)兩(liang)個(ge)元(yuan)件(jian)整(zheng)合(he)到(dao)一(yi)個(ge)封(feng)裝(zhuang)中(zhong)不(bu)僅(jin)節(jie)省(sheng)了(le)空(kong)間(jian)，而(er)且(qie)包(bao)含(han)溝(gou)槽(cao)肖(xiao)特(te)基(ji)二(er)極(ji)管(guan)可(ke)保(bao)持(chi)較(jiao)低(di)的(de)正(zheng)向(xiang)電(dian)壓(ya)，從(cong)而(er)降(jiang)低(di)了(le)電(dian)平(ping)位(wei)移(yi)應(ying)用(yong)中(zhong)的(de)壓(ya)降(jiang)。

SiB800EDK 具有0.960Ω（1.5V VGS 時）～0.225Ω（4.5V VGS 時）的低導通電阻範圍。1.5 V 時的低導通電阻額定值可使 MOSFET 與低電平時的信號一同使用。

該新器件的典型應用將包括手機、PDA

、數碼相機、MP3 播放器及智能電話等便攜式設備的 I2C 接口與升壓轉換器中的電平位移轉換。

SiB800EDK 具有 ESD 保護，並且 100% 無鉛（Pb）


，無鹵素
，以及符合 RoHS，因此符合有關消除有害物質的國際法規要求。目前，新型 SiB800EDK 的樣品及量產批量已可提供，大宗訂單的供貨周期為 10～12 周。