淺析 LED 那些事兒
發布時間:2019-12-13 責任編輯:lina
【導讀】現在大街上隨處可見的 LED 顯示屏,還有裝飾用的 LED 彩燈以及 LED 車燈,處處可見 LED 燈的身影,LED 已經融入到生活中的每一個角落。
現在大街上隨處可見的 LED 顯示屏,還有裝飾用的 LED 彩燈以及 LED 車燈,處處可見 LED 燈的身影,LED 已經融入到生活中的每一個角落。
1. 正向電壓降低,暗光
A:一種是電極與發光材料為歐姆接觸,但接觸電阻大,主要由材料襯底低濃度或電極缺損所致。B:一種是電極與材料為非歐姆接觸,主要發生在芯片電極製備過程中蒸發第一層電極時的擠壓印或夾印,分布位置。
另外封裝過程中也可能造成正向壓降低,主要原因有銀膠固化不充分,支架或(huo)芯(xin)片(pian)電(dian)極(ji)沾(zhan)汙(wu)等(deng)造(zao)成(cheng)接(jie)觸(chu)電(dian)阻(zu)大(da)或(huo)接(jie)觸(chu)電(dian)阻(zu)不(bu)穩(wen)定(ding)。正(zheng)向(xiang)壓(ya)降(jiang)低(di)的(de)芯(xin)片(pian)在(zai)固(gu)定(ding)電(dian)壓(ya)測(ce)試(shi)時(shi),通(tong)過(guo)芯(xin)片(pian)的(de)電(dian)流(liu)小(xiao),從(cong)而(er)表(biao)現(xian)暗(an)點(dian),還(hai)有(you)一(yi)種(zhong)暗(an)光(guang)現(xian)象(xiang)是(shi)芯(xin)片(pian)本(ben)身(shen)發(fa)光(guang)效(xiao)率(lv)低(di),正(zheng)向(xiang)壓(ya)降(jiang)正(zheng)常(chang)。

2. 難壓焊:(主要有打不粘,電極脫落,打穿電極)
A:打不粘:主要因為電極表麵氧化或有膠 B:有與發光材料接觸不牢和加厚焊線層不牢,其中以加厚層脫落為主。C:打穿電極:通常與芯片材料有關,材料脆且強度不高的材料易打穿電極,一般 GAALAS 材料(如高紅,紅外芯片)較 GAP 材料易打穿電極。D:壓焊調試應從焊接溫度,超聲波功率,超聲時間,壓力,金球大小,支架定位等進行調整。
3. 發光顏色差異:
A:同一張芯片發光顏色有明顯差異主要是因為外延片材料問題,ALGAINP 四元素材料采用量子結構很薄,生長是很難保證各區域組分一致。(組分決定禁帶寬度,禁帶寬度決定波長)。B:GAP 黃huang綠lv芯xin片pian,發fa光guang波bo長chang不bu會hui有you很hen大da偏pian差cha,但dan是shi由you於yu人ren眼yan對dui這zhe個ge波bo段duan顏yan色se敏min感gan,很hen容rong易yi查zha出chu偏pian黃huang,偏pian綠lv。由you於yu波bo長chang是shi外wai延yan片pian材cai料liao決jue定ding的de,區qu域yu越yue小xiao,出chu現xian顏yan色se偏pian差cha概gai念nian越yue小xiao,故gu在zai M/T 作業中有鄰近選取法。C:GAP 紅色芯片有的發光顏色是偏橙黃色
4. 閘流體效應;
A:是發光二極管在正常電壓下無法導通,當電壓加高到一定程度,電流產生突變。B:產生閘流體現象原因是發光材料外延片生長時出現了反向夾層,有此現象的 LED 在 IF=20MA 時(shi)測(ce)試(shi)的(de)正(zheng)向(xiang)壓(ya)降(jiang)有(you)隱(yin)藏(zang)性(xing),在(zai)使(shi)用(yong)過(guo)程(cheng)是(shi)出(chu)於(yu)兩(liang)極(ji)電(dian)壓(ya)不(bu)夠(gou)大(da),表(biao)現(xian)為(wei)不(bu)亮(liang),可(ke)用(yong)測(ce)試(shi)信(xin)息(xi)儀(yi)器(qi)從(cong)晶(jing)體(ti)管(guan)圖(tu)示(shi)儀(yi)測(ce)試(shi)曲(qu)線(xian),也(ye)可(ke)以(yi)通(tong)過(guo)小(xiao)電(dian)流(liu) IF=10UA 下的正向壓降來發現,小電流下的正向壓降明顯偏大,則可能是該問題所致。
5. 反向漏電:
A:原因:外延材料,芯片製作,器件封裝,測試一般 5V 下反向漏電流為 10UA,也可以固定反向電流下測試反向電壓。B:不同類型的 LED 反向特性相差大:普綠,普黃芯片反向擊穿可達到一百多伏,而普芯片則在十幾二十伏之間。C:外延造成的反向漏電主要由 PN jieneibujiegouquexiansuozhi,xinpianzhizuoguochengzhongcemianfushibugouhuoyouyinjiaosizhanfuzaicemian,yanjinyongyoujirongyetiaopeiyinjiao。yifangzhiyinjiaotongguomaoxixianxiangpadaojiequ。yishangjiushi LED 技術的相關知識,相信隨著科學技術的發展,未來的 LED 燈回越來越高效,使用壽命也會由很大的提升,為我們帶來更大便利。
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