模擬石墨烯晶體管的產品特性：

• p或n型矽晶體管的放大功能
• 在倍頻模式下具備雙極特性
• 能使模擬功能區塊尺寸與複雜性降低

模擬石墨烯晶體管的應用範圍：

• 相移鍵控與頻移鍵控電路

在所謂的“後矽時代(post-silicon era)”
，采用純碳薄片——也就是石墨烯(graphene)——所製作的晶體管
，為數字電路開啟了一個新典範，但是模擬電路呢
？

美國萊斯大學(Rice University)的研究人員最近開發出一種模擬石墨烯晶體管，不隻具備像是p或n型矽晶體管的放大功能
，也發現石墨烯在一種特殊的倍頻 (frequency-multiplication)模式下，可具備雙極(ambipolar)特性。萊斯大學的研究人員並示範了這種三模 (triple-mode)的石墨烯晶體管，能如何用以打造簡易的相移鍵控(phase-shift keying)與頻移鍵控(frequency-shift keying)電路。

矽場效晶體管(FET)是單極(unipolar)的

，因為該類組件隻能使用單個電荷載體，或者是電洞(electrons of holes)——依照該組件是n或p型(xing)來(lai)決(jue)定(ding)。在(zai)另(ling)一(yi)方(fang)麵(mian)，用(yong)石(shi)墨(mo)烯(xi)製(zhi)作(zuo)的(de)碳(tan)雙(shuang)極(ji)晶(jing)體(ti)管(guan)，能(neng)同(tong)時(shi)利(li)用(yong)電(dian)子(zi)與(yu)電(dian)洞(dong)，取(qu)決(jue)於(yu)是(shi)否(fou)施(shi)加(jia)正(zheng)電(dian)壓(ya)或(huo)是(shi)負(fu)電(dian)壓(ya)。因(yin)此(ci)研(yan)究(jiu)人(ren)員(yuan)表(biao)示(shi)


，能(neng)利(li)用(yong)以(yi)上(shang)特(te)性(xing)製(zhi)作(zuo)創(chuang)新(xin)的(de)
、可利用上兩種載體型態進行放大的模擬電路
，隻要透過輸入高於或低於閘極偏置電壓(bias voltage)的訊號。

萊(lai)斯(si)大(da)學(xue)的(de)研(yan)究(jiu)人(ren)員(yuan)並(bing)指(zhi)出(chu)，該(gai)種(zhong)三(san)模(mo)晶(jing)體(ti)管(guan)亦(yi)能(neng)用(yong)以(yi)製(zhi)作(zuo)更(geng)簡(jian)易(yi)的(de)電(dian)路(lu)，並(bing)能(neng)因(yin)此(ci)將(jiang)一(yi)般(ban)芯(xin)片(pian)中(zhong)的(de)模(mo)擬(ni)功(gong)能(neng)區(qu)塊(kuai)尺(chi)寸(cun)與(yu)複(fu)雜(za)性(xing)降(jiang)低(di)。為(wei)了(le)證(zheng)實(shi)以(yi)上(shang)概(gai)念(nian)，研(yan)究(jiu)人(ren)員(yuan)製(zhi)作(zuo)了(le)具(ju)備(bei)共(gong)同(tong)源(yuan)極(ji)(common-source)、共同汲極(common-drain)以及倍頻模式的電路，包括相移鍵控與頻移鍵控的調變 (modulation)架構。