【導讀】隨(sui)著(zhe)薄(bo)膜(mo)產(chan)品(pin)對(dui)品(pin)質(zhi)和(he)性(xing)能(neng)指(zhi)標(biao)要(yao)求(qiu)的(de)增(zeng)加(jia)，現(xian)代(dai)等(deng)離(li)子(zi)體(ti)薄(bo)膜(mo)沉(chen)積(ji)工(gong)藝(yi)必(bi)須(xu)考(kao)慮(lv)到(dao)電(dian)弧(hu)不(bu)可(ke)避(bi)免(mian)的(de)影(ying)響(xiang)，並(bing)將(jiang)盡(jin)可(ke)能(neng)減(jian)輕(qing)電(dian)弧(hu)導(dao)致(zhi)的(de)損(sun)壞(huai)。對(dui)於(yu)大(da)多(duo)數(shu)等(deng)離(li)子(zi)體(ti)工(gong)藝(yi)而(er)言(yan)，識(shi)別(bie)、測量和限製打弧發生期間傳輸到等離子體內的能量大小一直是需要考慮的最重要因素之一。

benwenliechulechangjiandianhushijiandedianqitexing
，miaoshulekezhongfucededianhunengdefangfa，tigongleyixieliyongxianjindenglizitidianyuantongyongtexinglaijianshaodianhufashengshichuanshudaogongyizhongdianhunengliangdejishu，binggeichuzhichizhexiejishudeshiyanshuju。

01. 簡介

現代薄膜工藝工程師一直麵臨在不犧牲薄膜品質、xingnenghechanlvdeqiantixiaruhetigaodenglizitigongyichannengdeyali。chanchuzengdayiweizhexuyaotigaochenjisulvhuozhezengjiachenjimianji。zhedouyiweizheyaozengjiagongyigonglv。suizhegongyigonglvdezengjia
，dianhushulianghemeigedianhudenengliangyehuizengjia。ruChristie所示[1]，缺陷顆粒大小隨著電弧能量增加而增加。這會導致缺陷不可控
，並降低成膜的品質、性能和產率。

如果能夠理解
、celianghezuidachengdudijiangdidianhuneng，keyijianqingnaxieyichanshengdianhudedenglizitigongyisuomianlindetiaozhan。benwenliechuchangjiandianhushijiandedianqitexing，shuomingkezhongfucededianhunengdefangfa
，liechushiyongxianjindenglizitidianyuandetongyonggongnengjiangdidianhushuchunengliangdejishu。zaizuihou


，jiangtigongcongxuanzhuanshuangyinjicikongguanjiansheshicaijideshiyanshuju。

電弧剖析

等離子體工藝存在許多電弧產生機理。靶缺陷
、絕緣材料介電擊穿以及陰極
、陽極、jipianhuopingbideyichangduididuanlushizongduoyuanyinzhongdeyixieyuanyin。fashengdianhushijianshi，dianhufashengdiandejubuzukangjijuxiajiang，gongyidianliuxunzhaozuixiaozukanglujingkaishiliuxiangdianhuweizhi。

圖 1-電弧階段和電源響應

另外，該電流回路將會持續至局部阻抗/電(dian)流(liu)密(mi)度(du)關(guan)係(xi)達(da)到(dao)一(yi)個(ge)穩(wen)定(ding)狀(zhuang)態(tai)。處(chu)於(yu)打(da)弧(hu)狀(zhuang)態(tai)的(de)電(dian)弧(hu)會(hui)分(fen)流(liu)工(gong)藝(yi)能(neng)量(liang)，導(dao)致(zhi)靶(ba)材(cai)，基(ji)片(pian)和(he)其(qi)他(ta)工(gong)藝(yi)部(bu)件(jian)損(sun)壞(huai)。為(wei)了(le)熄(xi)滅(mie)電(dian)弧(hu)，電(dian)源(yuan)需(xu)要(yao)發(fa)揮(hui)作(zuo)用(yong)。通(tong)常(chang)的(de)有(you)效(xiao)方(fang)法(fa)是(shi)將(jiang)電(dian)弧(hu)電(dian)流(liu)降(jiang)至(zhi)0安培，等待電弧位置冷卻。如圖1所示，典型電弧可以分為5個不同階段。電弧各階段都有不同的特征。以下簡要說明各階段。

電弧第1個階段的特征

階段I：初始電弧形成和阻抗變化

階段I開(kai)始(shi)時(shi)，電(dian)弧(hu)位(wei)置(zhi)的(de)局(ju)部(bu)阻(zu)抗(kang)劇(ju)降(jiang)，電(dian)源(yuan)測(ce)量(liang)到(dao)的(de)輸(shu)出(chu)阻(zu)抗(kang)下(xia)降(jiang)。根(gen)據(ju)電(dian)源(yuan)輸(shu)出(chu)阻(zu)抗(kang)的(de)不(bu)同(tong)，電(dian)壓(ya)通(tong)常(chang)將(jiang)跌(die)落(luo)至(zhi)燒(shao)弧(hu)電(dian)壓(ya)，在(zai)整(zheng)個(ge)該(gai)階(jie)段(duan)，電(dian)流(liu)將(jiang)增(zeng)加(jia)。

電弧第2個階段的特征

階段II：電弧穩態條件

在階段II，電弧已經接近穩態阻抗，弧將在穩態的電壓和電流下無限期 “燃燒”。如果不處理，在該階段進入電弧的能量會損壞靶和基片。

電弧第3個階段的特征

階段III：電弧反應 

在階段III
，dianyuankaishixiangyingdianhu。caiyongxianjindianhuchulijishudedianyuanhuiguanbishuchu，tongguoshijiagaofanxiangdianya
，zhudongzhuanyigongyizhongdehuneng。gaifanxiangdianyakegengkuaidijiangdianhudianliujiangweiling，zhuanyidianluzhongchucundefujianengliang，tongchangshidianlanzhongdenengliang。jieduanIII持續，直至電弧電流降至低於可維持電弧的水平。

電弧第4個階段的特征

階段IV：關閉階段 

zaiguanbijieduan，meiyoufujianengliangbeishijiadaogongyizhong。guanbijieduanxuyaozugouchangdeshijian，yiquebaolianggeguochengfasheng。shouxian
，dianhuweizhiderenengxuyaoyisan。qici，zaifanyingguochengzhong
，dianhuweizhikenengxuyaozhongxinjileijueyuanzhongduceng。

若關閉持續時間不當，重新施加工藝功率時，立即重新形成電弧的概率會明顯增加[2]。zuijiaguanbishijianyaozugouchang，yidanzhongxinshijiagongyigonglv
，dianhutongchangjiangbuzailijizhongxindianran。danguanbishijianbuyaoguochang
，yizhiyuyingxianggongyiwendingxinghuobomoxingneng。

電弧第5個階段的特征

階段V：過程恢複

關(guan)閉(bi)階(jie)段(duan)結(jie)束(shu)後(hou)，電(dian)源(yuan)開(kai)始(shi)重(zhong)新(xin)輸(shu)出(chu)。根(gen)據(ju)工(gong)藝(yi)條(tiao)件(jian)的(de)不(bu)同(tong)，電(dian)弧(hu)恢(hui)複(fu)過(guo)程(cheng)由(you)電(dian)源(yuan)自(zi)動(dong)處(chu)理(li)。如(ru)果(guo)工(gong)藝(yi)的(de)電(dian)弧(hu)速(su)率(lv)高(gao)或(huo)者(zhe)電(dian)弧(hu)恢(hui)複(fu)期(qi)間(jian)的(de)等(deng)離(li)子(zi)體(ti)不(bu)穩(wen)定(ding)，可(ke)以(yi)調(tiao)整(zheng)電(dian)源(yuan)，重(zhong)新(xin)更(geng)有(you)效(xiao)地(di)輸(shu)出(chu)。

測量電弧能

測量電弧能時
，通常使用示波器捕獲工藝電流和電壓波形，將其數值相乘，計算瞬時功率。另外對前4個ge電dian弧hu階jie段duan進jin行xing積ji分fen，計ji算suan焦jiao耳er單dan位wei的de電dian弧hu能neng。盡jin管guan同tong一yi方fang法fa適shi用yong於yu多duo數shu等deng離li子zi體ti工gong藝yi
，但dan實shi驗yan設she計ji差cha異yi會hui導dao致zhi測ce量liang差cha異yi較jiao大da。例li如ru，作zuo者zhe采cai用yong保bao守shou方fang法fa

，通tong過guo測ce量liang腔qiang室shi端duan而er不bu是shi電dian源yuan端duan的de電dian壓ya和he電dian流liu。電dian源yuan輸shu出chu時shi的de能neng量liang測ce量liang會hui受shou到dao電dian纜lan電dian抗kang阻zu抗kang的de影ying響xiang。另ling外wai，電dian源yuan施shi加jia的de反fan向xiang電dian壓ya會hui扭niu曲qu電dian源yuan輸shu出chu端duan獲huo取qu的de階jie段duanIII測ce量liang值zhi。其qi它ta因yin素su
，例li如ru試shi驗yan設she備bei
，也ye會hui導dao致zhi電dian弧hu能neng測ce量liang產chan生sheng差cha異yi。為wei了le可ke靠kao地di對dui比bi電dian弧hu能neng數shu據ju，必bi須xu小xiao心xin確que保bao實shi驗yan設she計ji將jiang測ce量liang技ji術shu的de差cha異yi降jiang至zhi最zui低di。

設置一致性、測量位置和工藝對於結果是否可重複很關鍵。因為輸出電纜儲存能量
，其類型、長度甚至布局都會影響電弧能。測量腔室端的電弧能（圖2-端子1），與測量電源輸出端得到的結果不同。

圖 2-電弧能測量設置

圖3顯示7.5米三同軸電纜的電壓和電流波形如何不同。在該案例中，使用腔室電壓（通道1）和腔室電流（通道2）計算輸出至腔室（F2）的瞬時功率
，而使用電源電壓（通道3）和電流（通道4）測量值
，計算輸出至電纜（F4）的瞬時功率。  

圖 3-腔室的V/I波形與電源的V/I波形

通過集成示波器光標間的電源波形，計算測量電弧能，該數值比電源處的電弧能大1.25毫焦（0.065毫焦/千瓦），這主要是電源端處的電壓衰減較慢（100ns）導致的，原因在於輸出電纜。使用反向電壓和電流，從電纜和腔室中拉回能量，將電弧能降至最低。

電弧能是產生電弧期間輸出至腔室內的能量。

為確保測量的可重複性，作者選擇在階段I，腔室電壓下降至工藝電壓的90%以下開始積分（t1），同時在電源輸出關閉時間已結束時結束（t2）
，積分直至階段IV結jie束shu的de能neng量liang。它ta構gou成cheng直zhi至zhi電dian弧hu結jie束shu時shi的de整zheng個ge儲chu能neng耗hao散san，為wei腔qiang室shi和he工gong藝yi間jian的de對dui比bi提ti供gong更geng一yi致zhi的de標biao準zhun。因yin為wei某mou些xie工gong藝yi產chan生sheng很hen大da的de電dian弧hu差cha異yi
，應ying該gai記ji錄lu多duo電dian弧hu事shi件jian並bing求qiu其qi平ping均jun值zhi。

測ce量liang電dian弧hu能neng的de最zui重zhong要yao工gong具ju是shi示shi波bo器qi。現xian在zai的de許xu多duo數shu字zi示shi波bo器qi會hui進jin行xing乘cheng法fa運yun算suan，對dui時shi間jian光guang標biao間jian的de能neng量liang進jin行xing積ji分fen。所suo有you試shi驗yan設she備bei的de設she置zhi都dou應ying該gai小xiao心xin。確que保bao已yi根gen據ju相xiang關guan製zhi造zao商shang規gui範fan，正zheng確que配pei置zhi、歸零電壓和電流探頭以及消磁。甚至小範圍的探頭偏移都會導致電弧能測量值出現較大誤差。

通常將電弧能歸一化為功率的函數（毫焦/千瓦），用於對比和規範。但應該注意的是：工藝功率越大以及更重要的是電流越大越會增加輸出至電弧的絕對能量（焦耳）
，同時降低歸一化的電弧能（毫焦/千瓦）。

02. 實驗裝置

使用1.5米雙旋轉陰極進行反應磁控濺射實驗
，在氧/氬氣氛中使用鋁（Al）和矽鋁摻雜（SiAl）靶。

使用Advanced Energy Ascent AP30 DMS和Ascent DMS 60kW電源為磁控管供電。連接電源與腔室的輸出電纜為7.5米三同軸電纜。配置LeCroy示波器、高壓差分電壓探頭和500安AC/DC電流探頭，測量腔室連接處的電流和電壓波形（圖2標示端子1）。在測試前
，在20kW全功率下
，先使用純氬氣進行1.5小時的處理步驟。

獨立改變三個不同的電弧處理參數，記錄電弧能量，確定它們各自對電弧能的影響。可以隨時調節電源中的這3個參數。第一個參數-電弧電壓閥值，這是電源發現產生電弧時的電壓
，通常設置為工藝電壓和電弧電壓之間的某一個值。第二個參數-反向電壓
，它是電弧反應期間施加在電源輸出處的電壓。反向電壓的極性被設置為與產生電弧時的工藝電壓反相，強行將工藝電流降至0安培並熄滅電弧。可編程反向電壓在工藝電壓的118%和165%之間變化不等。最後一個參數-持續時間，它是電源開始響應前
、電弧必須存在的時間。持續時間也被稱作檢測時間
，在4ns和2000ns之間。其他參數
，如功率設定值和頻率等被設置以誘發足夠的電弧密度，用以捕獲電弧事件。為了捕獲基線數據，使用了以下參數：

03. 結果

對於鋁和矽磁控管，圖4和圖5中繪出電弧能測量值的基線設置，以顯示電弧能分布。正如Carter和Walde所指出的[3]，靶材料影響電弧能分布。

圖 4-AlOx的電弧能分布

圖 5-SiOx的電弧能分布

圖 6-改善SiOx測量技術的電弧能分布

對於鋁而言，電弧能大部分在0.275毫焦/千瓦和0.575毫焦/千瓦之間，而矽則為0.540毫焦/千瓦到0.690毫焦/千瓦之間。

在整個測試期間，發現分布出現變化以及若幹因素對電弧能測量特別靈敏。發現靶處理、電(dian)流(liu)探(tan)頭(tou)隨(sui)時(shi)間(jian)和(he)溫(wen)度(du)的(de)漂(piao)移(yi)以(yi)及(ji)示(shi)波(bo)器(qi)觸(chu)發(fa)方(fang)法(fa)都(dou)對(dui)結(jie)果(guo)產(chan)生(sheng)明(ming)顯(xian)影(ying)響(xiang)。盡(jin)管(guan)靶(ba)處(chu)於(yu)真(zhen)空(kong)中(zhong)，但(dan)在(zai)測(ce)量(liang)前(qian)先(xian)持(chi)續(xu)燒(shao)靶(ba)改(gai)善(shan)了(le)電(dian)弧(hu)測(ce)量(liang)變(bian)化(hua)
，表(biao)明(ming)靶(ba)和(he)材(cai)料(liao)溫(wen)度(du)影(ying)響(xiang)電(dian)弧(hu)能(neng)。測(ce)量(liang)設(she)備(bei)也(ye)產(chan)生(sheng)了(le)影(ying)響(xiang)。使(shi)用(yong)150A直流電流探頭測試，因內部發熱而導致隨時間漂移。將60A工藝改為500A直(zhi)流(liu)探(tan)頭(tou)後(hou)，解(jie)決(jue)了(le)所(suo)有(you)漂(piao)移(yi)問(wen)題(ti)。使(shi)用(yong)設(she)定(ding)剛(gang)超(chao)過(guo)工(gong)藝(yi)值(zhi)的(de)電(dian)流(liu)觸(chu)發(fa)閥(fa)值(zhi)，可(ke)能(neng)導(dao)致(zhi)早(zao)期(qi)結(jie)果(guo)扭(niu)曲(qu)，這(zhe)是(shi)由(you)於(yu)忽(hu)略(lve)較(jiao)低(di)峰(feng)值(zhi)電(dian)流(liu)的(de)電(dian)弧(hu)導(dao)致(zhi)的(de)，從(cong)而(er)電(dian)弧(hu)能(neng)分(fen)布(bu)加(jia)寬(kuan)。為(wei)了(le)捕(bu)獲(huo)更(geng)好(hao)的(de)事(shi)件(jian)隨(sui)機(ji)采(cai)樣(yang)並(bing)消(xiao)除(chu)測(ce)量(liang)偏(pian)誤(wu)，使(shi)用(yong)電(dian)弧(hu)關(guan)斷(duan)時(shi)間(jian)而(er)不(bu)是(shi)使(shi)用(yong)電(dian)壓(ya)或(huo)電(dian)流(liu)閥(fa)值(zhi)觸(chu)發(fa)示(shi)波(bo)器(qi)。圖(tu)6顯示改進電弧能測量值後的SiOx電弧能分布。分布較窄且更均勻。

使用先進電弧管理能力的電源能夠包含階段I的總電弧能的主要部分
，通常小於產生電弧的500ns。

圖 7-階段I輸出的電弧能

圖7波形顯示階段I期間阻抗急劇下降時電弧的大約60%總測得的弧能。在圖7中，通道1是腔室電壓，通道2為腔室電流，F2是輸出至腔室的能量積分。若電源檢測時間或者被動響應較長，來自階段II和III的電弧能部分明顯更高
，導致總能量較高。

電弧電壓檢測閥值

實驗數據顯示：將電弧電壓檢測閥值增加至接近濺射電壓時可提高電弧反應時間，減少階段II電弧能。在這些實驗中，將電弧閥值逐漸從50V（濺射電壓的15%）增加至250V（濺射電壓的75%）
，如圖8所示。

圖 8-作為電壓檢測閥值的函數的電弧能

這符合預期，因為增加電壓閥值導致階段I更早檢測到電弧，在濺射電壓75%與15%處觸發時典型可節省檢測時間長達400ns。階段I通常提供輸出能量的60%至70%。考慮到檢測閥值時，可以實現10%至20%的電弧能下降。重要的是平衡電弧能與因檢測到假電弧而導致的工藝不穩定性。

持續時間

圖9顯示作為弧能對電弧持續時間的函數。若持續時間小於500ns，會導致反應時間決定總電弧能。若持續時間超過500ns，檢(jian)測(ce)延(yan)遲(chi)將(jiang)開(kai)始(shi)決(jue)定(ding)電(dian)弧(hu)響(xiang)應(ying)，電(dian)弧(hu)能(neng)明(ming)顯(xian)增(zeng)加(jia)。在(zai)正(zheng)常(chang)工(gong)藝(yi)運(yun)行(xing)期(qi)間(jian)，可(ke)將(jiang)持(chi)續(xu)時(shi)間(jian)用(yong)作(zuo)避(bi)免(mian)假(jia)電(dian)弧(hu)的(de)預(yu)防(fang)措(cuo)施(shi)，特(te)別(bie)是(shi)存(cun)在(zai)高(gao)電(dian)壓(ya)波(bo)動(dong)工(gong)藝(yi)中(zhong)。通(tong)常(chang)可(ke)使(shi)用(yong)長(chang)達(da)500nsdechixushijianerbuhuiyingxiangdianhuneng。yudianhudianyajiancefazhileisi，zuijiachixushijianshezhixuyaozaizuixiaojiadianhuxiangyingyuzuixiaodianhunengzhijianqudepingheng。shiyanshujuxianshi：在SiOx靶上

，若持續時間在500ns和1000ns之間，可明顯增加了階段II的能量。根據工藝要求的不同，有時將持續時間調至500ns以(yi)上(shang)會(hui)更(geng)有(you)利(li)。例(li)如(ru)，靶(ba)處(chu)理(li)步(bu)驟(zhou)可(ke)能(neng)特(te)意(yi)引(yin)入(ru)更(geng)高(gao)電(dian)弧(hu)能(neng)，使(shi)用(yong)非(fei)反(fan)應(ying)氣(qi)體(ti)燒(shao)掉(diao)磁(ci)控(kong)管(guan)上(shang)的(de)雜(za)質(zhi)。持(chi)續(xu)時(shi)間(jian)提(ti)供(gong)一(yi)種(zhong)便(bian)捷(jie)的(de)工(gong)具(ju)，可(ke)有(you)預(yu)謀(mou)地(di)增(zeng)加(jia)電(dian)弧(hu)能(neng)。

圖 9-作為持續時間的函數的電弧能

反向電壓

對於AlOx和SiOx，反向電壓增加導致電弧能下降。圖10顯示反向電壓從工藝電壓的118%增加至150%時的電弧能下降趨勢。在階段III期間施加反向電壓，更高數量級的電壓反轉可縮短階段III時間。由於以下關係，反向電壓對縮短階段III時間和總電弧能的影響在較大工藝電流時更大：

其中V反向為反向電壓，L是電纜和工藝電感，di是降至0安培的工藝電流。

圖 10-作為反向電壓的函數的電弧能

輸出電纜的影響

電纜的電抗阻抗由其材料、幾(ji)何(he)形(xing)狀(zhuang)和(he)長(chang)度(du)決(jue)定(ding)，其(qi)大(da)小(xiao)也(ye)將(jiang)影(ying)響(xiang)電(dian)弧(hu)能(neng)。盡(jin)管(guan)輸(shu)出(chu)電(dian)纜(lan)並(bing)非(fei)可(ke)調(tiao)參(can)根(gen)據(ju)選(xuan)擇(ze)的(de)電(dian)纜(lan)不(bu)同(tong)，電(dian)源(yuan)參(can)數(shu)的(de)影(ying)響(xiang)也(ye)會(hui)發(fa)生(sheng)改(gai)變(bian)。測(ce)試(shi)各(ge)種(zhong)長(chang)度(du)和(he)類(lei)型(xing)的(de)電(dian)纜(lan)，顯(xian)示(shi)電(dian)纜(lan)特(te)性(xing)對(dui)電(dian)弧(hu)能(neng)的(de)影(ying)響(xiang)。對(dui)比(bi)了(le)7.5米的三同軸、20米的三同軸和4.5米的雙絞線電纜，重複圖11所(suo)示(shi)持(chi)續(xu)時(shi)間(jian)變(bian)化(hua)的(de)實(shi)驗(yan)結(jie)果(guo)。電(dian)纜(lan)類(lei)型(xing)及(ji)其(qi)長(chang)度(du)是(shi)對(dui)輸(shu)出(chu)電(dian)弧(hu)能(neng)極(ji)其(qi)敏(min)感(gan)的(de)參(can)數(shu)。這(zhe)是(shi)因(yin)為(wei)電(dian)纜(lan)的(de)能(neng)量(liang)儲(chu)存(cun)特(te)性(xing)導(dao)致(zhi)，特(te)別(bie)是(shi)電(dian)纜(lan)自(zi)感(gan)和(he)電(dian)纜(lan)電(dian)容(rong)。在(zai)測(ce)試(shi)的(de)所(suo)有(you)參(can)數(shu)中(zhong)
，電(dian)纜(lan)類(lei)型(xing)和(he)長(chang)度(du)對(dui)電(dian)弧(hu)能(neng)的(de)影(ying)響(xiang)最(zui)大(da)。

圖 11-電纜輸出對電弧能的影響

04. 結論

從形成到恢複的整個電弧過程，可以分為5個明確階段。電弧形成和輸出電弧能出現在階段I和II，而反轉、關閉和恢複出現在階段III
、IV和V。如果采用先進電弧管理技術的電源並優化電弧設置，多數電弧能在階段1輸出。

測量電弧能時，可能會難於生產可重複的結果。需要小心測量位置、所用設備、係統設置、布線
、材料和電弧參數
，因為它們都會影響輸出至電弧的能量。對比電弧測量結果時，重要的是切記這些考慮，使用一致的測量技術。

yinweizhesangedianyuancanshuzaishiyanqijianhuibianhua
，douyingxiangshuchudianhuneng。changchixushijianduishuchuzhidianhudenengliangsuochanshengdeyingxiangzuida。dianhudianyajiancefazhiyinggaizaigengkuaijiancedianhuhebimianjiajiancezhijianqudepingheng。

在階段III期(qi)間(jian)
，增(zeng)加(jia)反(fan)向(xiang)電(dian)壓(ya)後(hou)
，通(tong)過(guo)將(jiang)來(lai)自(zi)電(dian)弧(hu)的(de)能(neng)量(liang)轉(zhuan)化(hua)回(hui)電(dian)源(yuan)
，可(ke)降(jiang)低(di)電(dian)弧(hu)能(neng)，這(zhe)種(zhong)影(ying)響(xiang)在(zai)大(da)電(dian)流(liu)工(gong)藝(yi)中(zhong)更(geng)大(da)。除(chu)了(le)電(dian)源(yuan)之(zhi)外(wai)，其(qi)它(ta)參(can)數(shu)也(ye)影(ying)響(xiang)電(dian)弧(hu)能(neng)。靶(ba)材(cai)料(liao)和(he)輸(shu)出(chu)電(dian)纜(lan)選(xuan)擇(ze)對(dui)電(dian)弧(hu)能(neng)有(you)重(zhong)要(yao)影(ying)響(xiang)。實(shi)驗(yan)顯(xian)示(shi)：使用4.5米雙絞線比7.5米三同軸輸出電纜的電弧能幾乎增加一倍。

減少異常電弧導致的靶、基ji片pian以yi及ji其qi它ta部bu件jian的de缺que陷xian，將jiang在zai所suo有you等deng離li子zi體ti工gong藝yi中zhong持chi續xu成cheng為wei重zhong要yao內nei容rong。隨sui著zhe質zhi量liang和he性xing能neng指zhi標biao以yi及ji等deng離li子zi體ti電dian源yuan技ji術shu的de進jin步bu
，電dian弧hu能neng將jiang持chi續xu下xia降jiang。使shi用yong本ben文wen所suo列lie技ji術shu，工gong藝yi工gong程cheng師shi能neng夠gou理li解jie、測量和降低輸出至電弧的能量，以優化結果。

參考文獻

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2 ►  Carter, D., & Walde, H. (2011). Factors in Arc Parameter Selection on Large Scale Depostion Process. 54th Annual Technical Conference Proceedings, 234-239.

3 ► Carter, D., & Walde, H. (2010). Managing Arcs for Optimum Depostion Perfromance. 53rd Annual Technical Conference Proceedings, 256-262.

來源： Advanced Energy

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