先進封裝技術及其對電子產品革新的影響
發布時間:2020-10-26 責任編輯:lina
【導讀】芯片封裝早已不再僅限於傳統意義上為獨立芯片提供保護和I/Okuozhanjiekou,rujinyouyuelaiyueduodefengzhuangjishunenggoushixianduozhongbutongxinpianzhijiandehulian。xianjinfengzhuanggongyinengtigaoqijianmidubingyoucijianxiaokongjianzhanyong,zheyidianduiyushoujihezidongjiashiqichedengdianzishebeidegongnengdiejialaishuozhiguanzhongyao。xinpianfengzhuangxingyedefazhanshiguojidianqidianzigongchengshixiehuidianziyuanjianfengzhuangheshengchanjishuxuehui(IEEE-CPMT)意識到必須要拓展自身的技術範疇,並於2017年正式更名為國際電氣電子工程師協會電子封裝學會(IEEE- EPS)。
芯片封裝早已不再僅限於傳統意義上為獨立芯片提供保護和I/Okuozhanjiekou,rujinyouyuelaiyueduodefengzhuangjishunenggoushixianduozhongbutongxinpianzhijiandehulian。xianjinfengzhuanggongyinengtigaoqijianmidubingyoucijianxiaokongjianzhanyong,zheyidianduiyushoujihezidongjiashiqichedengdianzishebeidegongnengdiejialaishuozhiguanzhongyao。xinpianfengzhuangxingyedefazhanshiguojidianqidianzigongchengshixiehuidianziyuanjianfengzhuangheshengchanjishuxuehui(IEEE-CPMT)意識到必須要拓展自身的技術範疇,並於2017年正式更名為國際電氣電子工程師協會電子封裝學會(IEEE- EPS)。
有一種先進封裝技術被稱為“晶圓級封裝”(WLP),即直接在晶圓上完成集成電路的封裝程序。通過該工藝進行封裝,可以製成與原裸片大小近乎相同的晶圓。早在2000年代末,英飛淩開發的嵌入式晶圓級球柵陣列(eWLB)就是一種晶圓級封裝技術。目前有許多封測代工廠(OSAT)都在使用eWLB的變種工藝。具體來說,eWLB封裝是指將檢驗合格的晶片正麵朝下,放置在載體晶圓上並將兩者作為整體嵌入環氧樹脂模具。在模鑄重構晶片結構之後進行“扇出型”封裝,在暴露的晶圓表麵進行重布線層工藝(RDLs)並植球,之後再將其切割成小塊即可獲得可供使用的芯片(圖1)。

圖1:eWLB封裝流程
圖2展示的是其他結合晶圓級封裝的綜合性先進封裝技術。
矽通孔技術(TSV)是指完全穿透矽基底的垂直互連。圖2展zhan示shi的de是shi基ji於yu矽gui中zhong介jie層ceng的de矽gui通tong孔kong技ji術shu,即ji通tong過guo矽gui中zhong介jie層ceng實shi現xian高gao密mi度du晶jing片pian與yu封feng裝zhuang層ceng之zhi間jian的de電dian氣qi連lian接jie。該gai技ji術shu起qi初chu作zuo為wei打da線xian接jie合he的de替ti代dai方fang法fa而er備bei受shou推tui廣guang,能neng夠gou在zai減jian小xiao互hu聯lian長chang度du來lai優you化hua電dian阻zu的de同tong時shi,通tong過guo多duo個ge晶jing片pian堆dui疊die實shi現xian3D集成。

圖2:器件封裝示意圖
作為導電互聯技術的應用,重布線層的作用是重新分布連接至晶片焊盤I/O點位的電子線路,並且可以放置在單個晶片的一側或兩側。隨著對帶寬和I/O點(dian)位(wei)需(xu)求(qiu)的(de)提(ti)升(sheng),重(zhong)布(bu)線(xian)層(ceng)的(de)線(xian)寬(kuan)和(he)間(jian)距(ju)也(ye)需(xu)要(yao)不(bu)斷(duan)縮(suo)小(xiao)。為(wei)了(le)滿(man)足(zu)這(zhe)些(xie)要(yao)求(qiu),目(mu)前(qian)工(gong)藝(yi)上(shang)已(yi)采(cai)用(yong)類(lei)似(si)後(hou)段(duan)製(zhi)程(cheng)的(de)銅(tong)鑲(xiang)嵌(qian)技(ji)術(shu)來(lai)減(jian)小(xiao)線(xian)寬(kuan),並(bing)通(tong)過(guo)銅(tong)柱(zhu)代(dai)替(ti)傳(chuan)統(tong)焊接凸點的方法來減小晶片間連接的間距。
先進封裝技術還在持續發展,以滿足不斷提升的器件密度和I/O連(lian)接(jie)性(xing)能(neng)要(yao)求(qiu)。近(jin)幾(ji)年(nian)出(chu)現(xian)的(de)銅(tong)混(hun)合(he)鍵(jian)合(he)技(ji)術(shu)就(jiu)是(shi)很(hen)好(hao)的(de)例(li)子(zi),它(ta)的(de)作(zuo)用(yong)是(shi)直(zhi)接(jie)將(jiang)一(yi)個(ge)表(biao)麵(mian)的(de)銅(tong)凸(tu)點(dian)和(he)電(dian)介(jie)質(zhi)連(lian)接(jie)至(zhi)另(ling)一(yi)個(ge)主(zhu)動(dong)表(biao)麵(mian)的(de)相(xiang)應(ying)區(qu)域(yu),由(you)此(ci)規(gui)避(bi)對(dui)凸(tu)點(dian)間(jian)距(ju)的(de)限(xian)製(zhi)。我(wo)們(men)非(fei)常(chang)期(qi)待(dai)這(zhe)些(xie)封(feng)裝(zhuang)技(ji)術(shu)上(shang)的(de)創(chuang)新(xin)能(neng)夠(gou)引(yin)領(ling)新(xin)一(yi)代(dai)電(dian)子(zi)產(chan)品(pin)的(de)穩(wen)步(bu)發(fa)展(zhan)。
(作者:泛林集團)
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