形象記憶法 ：

xueguonengliangshouhengdinglvdewomendouzhidao，nengliangbuhuiwuyuanwugudechansheng，suoyiyoucikejiansanjiguanyidingbuhuichanshengnengliang。tazhishibadianyuandenengliangzhuanhuanchengxinhaodenengliangbale。dansanjiguanlihaidedifangzaiyu：takeyitongguoxiaodianliukongzhidadianliu。jiashesanjiguanshigedaba，zhegedabaqiguaidedifangshi，youlianggefamen，yigedafamen
，yigexiaofamen。xiaofamenkeyiyongrenlidakai，dafamenhenzhong
，renlishidabukaide，zhinengtongguoxiaofamendeshuilidakai。suoyi，pingchangdegongzuoliuchengbianshi
，meidangfangshuideshihou，renmenjiudakaixiaofamen，henxiaodeshuiliujuanjuanliuchu
，zhejuanjuanxiliuchongjidafamendekaiguan，dafamensuizhidakai，xiongyongdejiangshuitaotaoliuxia。ruguobutingdigaibianxiaofamenkaiqidedaxiao，namedafamenyexiangyingdibutinggaibian，jiaruonengyangedianbiligaibian，name，wanmeidekongzhijiuwanchengle。

我們可以這樣形容這個過程：這裏我們可以設定Ube是小水流
，Uce是shi大da水shui流liu，人ren就jiu是shi輸shu入ru信xin號hao。當dang然ran，如ru果guo把ba水shui流liu比bi為wei電dian流liu的de話hua，會hui更geng確que切qie，因yin為wei三san極ji管guan畢bi竟jing是shi一yi個ge電dian流liu控kong製zhi元yuan件jian。如ru果guo水shui流liu處chu於yu可ke調tiao節jie的de狀zhuang態tai，這zhe種zhong情qing況kuang就jiu是shi三san極ji管guan中zhong的de線xian性xing放fang大da區qu。如ru果guo那na個ge小xiao的de閥fa門men開kai啟qi的de還hai不bu夠gou，不bu能neng打da開kai大da閥fa門men，這zhe種zhong情qing況kuang就jiu是shi三san極ji管guan中zhong的de截jie止zhi區qu。如ru果guo小xiao的de閥fa門men開kai啟qi的de太tai大da了le，以yi至zhi於yu大da閥fa門men裏li放fang出chu的de水shui流liu已yi經jing到dao了le它ta極ji限xian的de流liu量liang
，這zhe種zhong情qing況kuang就jiu是shi三san極ji管guan中zhong的de飽bao和he區qu。但dan是shi你ni關guan小xiao小xiao閥fa門men的de話hua，可ke以yi讓rang三san極ji管guan工gong作zuo狀zhuang態tai從cong飽bao和he區qu返fan回hui到dao線xian性xing區qu。如ru果guo有you水shui流liu存cun在zai一yi個ge水shui庫ku中zhong，水shui位wei太tai高gao(相應與Uce太大)

，導致不開閥門江水就自己衝開了，這就是二極管的反向擊穿。PN結的擊穿又有熱擊穿和電擊穿。當反向電流和反向電壓的乘積超過PN結容許的耗散功率
，直至PN結過熱而燒毀
，這種現象就是熱擊穿。電擊穿的過程是可逆的，當加在PN結兩端的反向電壓降低後

，管子仍可以恢複原來的狀態。電擊穿又分為雪崩擊穿和齊納擊穿兩類，一般兩種擊穿同時存在。電壓低於5-6V的穩壓管
，齊納擊穿為主
，電壓高於5-6V的穩壓管
，雪崩擊穿為主。電壓在5-6V之間的穩壓管，兩種擊穿程度相近，溫度係數最好，這就是為什麼許多電路使用5-6V穩壓管的原因。

學xue過guo模mo電dian的de人ren應ying該gai都dou遇yu到dao過guo，模mo擬ni電dian路lu中zhong一yi般ban閥fa門men是shi半ban開kai的de，通tong過guo控kong製zhi其qi開kai啟qi大da小xiao來lai決jue定ding輸shu出chu水shui流liu的de大da小xiao。沒mei有you信xin號hao的de時shi候hou，水shui流liu也ye會hui流liu
，所suo以yi，不bu工gong作zuo的de時shi候hou，也ye會hui有you功gong耗hao。而er在zai數shu字zi電dian路lu中zhong，閥fa門men則ze處chu於yu開kai或huo是shi關guan兩liang個ge狀zhuang態tai。當dang不bu工gong作zuo的de時shi候hou，閥fa門men是shi完wan全quan關guan閉bi的de，沒mei有you功gong耗hao。比bi如ru用yong單dan片pian機ji外wai界jie三san極ji管guan驅qu動dong數shu碼ma管guan時shi，確que實shi會hui對dui單dan片pian機ji管guan腳jiao輸shu出chu電dian流liu進jin行xing一yi定ding程cheng度du的de放fang大da，從cong而er使shi電dian流liu足zu夠gou大da到dao可ke以yi驅qu動dong數shu碼ma管guan。但dan此ci時shi三san極ji管guan並bing不bu工gong作zuo在zai其qi特te性xing曲qu線xian的de放fang大da區qu，而er是shi工gong作zuo在zai開kai關guan狀zhuang態tai(飽和區)。當單片機管腳沒有輸出時

，三極管工作在截止區，輸出電流約等於0。在製造三極管時，要把發射區的N型半導體電子濃度做的很大
，基區P型半導體做的很薄，當基極的電壓大於發射極電壓(矽管要大0.7V
，鍺管要大0.3V)而小於集電極電壓時，這時發射區的電子進入基區，進行複合，形成Ie；但由於發射區的電子濃度很大

，基區又很薄，電子就會穿過反向偏置的集電結到集電區的N型半導體裏
，形成Ic；基區的空穴被複合後，基極的電壓又會進行補給
，形成Ib。
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理論記憶法：

下麵我們來說一下理論記憶法，根據下圖我們可以設定三極管的發射結和集電結均為反向偏置(VBE<0，VBC<0)，隻有很小的反向漏電流IEBO和ICBO分別流過兩個結，故iB≈ 0，iC≈ 0，VCE ≈ VCC，對應於下圖中的A點。這時集電極回路中的c

、e極之間近似於開路
，相當於開關斷開一樣。BJT的這種工作狀態稱為截止。 

根據示意圖可知，當發射結和集電結均為正向偏置(VBE>0，VBC>0)時，調節RB
，使IB=VCC / RC
，則BJT工作在上圖中的C點，集電極電流iC已接近於最大值VCC / RC，由於iC受到RC的限製
，它已不可能像放大區那樣隨著iB的增加而成比例地增加了，此時集電極電流達到飽和，對應的基極電流稱為基極臨界飽和電流IBS，而集電極電流稱為集電極飽和電流ICS(VCC / RC)。此後，如果再增加基極電流，則飽和程度加深，但集電極電流基本上保持在ICS不再增加
，集電極電壓VCE=VCC-ICSRC=VCES=2.0-0.3V。這個電壓稱為BJT的飽和壓降
，它也基本上不隨iB增加而改變。由於VCES很小，集電極回路中的c、e極之間近似於短路，相當於開關閉合一樣。BJT的這種工作狀態稱為飽和。由於BJT飽和後管壓降均為0.3V，而發射結偏壓為0.7V，因此飽和後集電結為正向偏置
，即BJT飽和時集電結和發射結均處於正向偏置，這是判斷BJT工作在飽和狀態的重要依據。下圖示出了NPN型BJT飽和時各電極電壓的典型數據。

yinciwomenkeyidechujielun，najiushizaikaiguandianluzhongsanjiguanxiangdangyuyigeyoujijidianliusuokongzhidewuchudiankaiguan。sanjiguanchuyufangdazhuangtaihaishikaiguanzhuangtaiyaokangeisanjiguanjijijiadedianliuIb(偏流)，隨這個電流變化，三極管工作狀態由截止-線性區-飽和狀態變化而變。BJT截止時相當於開關“斷開”
，而飽和時相當於開關“閉合”。NPN型BJT截止
、放大

、飽和三種工作狀態的特點列於下表中。