LED芯xin片pian製zhi造zao主zhu要yao是shi為wei了le製zhi造zao有you效xiao可ke靠kao的de低di歐ou姆mu接jie觸chu電dian極ji
，並bing能neng滿man足zu可ke接jie觸chu材cai料liao之zhi間jian最zui小xiao的de壓ya降jiang及ji提ti供gong焊han線xian的de壓ya墊dian，同tong時shi盡jin可ke能neng多duo地di出chu光guang。渡du膜mo工gong藝yi一yi般ban用yong真zhen空kong蒸zheng鍍du方fang法fa，其qi主zhu要yao在zai1.33×10?4Pa高真空下，用電阻加熱或電子束轟擊加熱方法使材料熔化
，並在低氣壓下變成金屬蒸氣沉積在半導體材料表麵。一般所用的P型接觸金屬包括AuBe
、AuZn等合金，N麵的接觸金屬常采用AuGeNihejin。dumohouxingchengdehejincenghaixuyaotongguoguangkegongyijiangfaguangqujinkenengduodiluchulai，shiliuxialaidehejincengnengmanzuyouxiaokekaodedioumujiechudianjijihanxianyadiandeyaoqiu。guangkegongxujieshuhouhaiyaotongguohejinhuaguocheng
，hejinhuatongchangshizaiH2或N2的de保bao護hu下xia進jin行xing。合he金jin化hua的de時shi間jian和he溫wen度du通tong常chang是shi根gen據ju半ban導dao體ti材cai料liao特te性xing與yu合he金jin爐lu形xing式shi等deng因yin素su決jue定ding。當dang然ran若ruo是shi藍lan綠lv等deng芯xin片pian電dian極ji工gong藝yi還hai要yao複fu雜za，需xu增zeng加jia鈍dun化hua膜mo生sheng長chang、等離子刻蝕工藝等。

 

　　

用於白光的LED大功率芯片一般在市場上可以看到的都在40mil左右
，所謂的大功率芯片的使用功率一般是指電功率在1W以上。由於量子效率一般小於20?大部分電能會轉換成熱能，所以大功率芯片的散熱很重要
，要求芯片有較大的麵積。　

 

　　

一般來說，LED外延生產完成之後她的主要電性能已定型
，芯片製造不對其產甞核本性改變，但在鍍膜
、合he金jin化hua過guo程cheng中zhong不bu恰qia當dang的de條tiao件jian會hui造zao成cheng一yi些xie電dian參can數shu的de不bu良liang。比bi如ru說shuo合he金jin化hua溫wen度du偏pian低di或huo偏pian高gao都dou會hui造zao成cheng歐ou姆mu接jie觸chu不bu良liang
，歐ou姆mu接jie觸chu不bu良liang是shi芯xin片pian製zhi造zao中zhong造zao成cheng正zheng向xiang壓ya降jiangVF偏pian高gao的de主zhu要yao原yuan因yin。在zai切qie割ge後hou
，如ru果guo對dui芯xin片pian邊bian緣yuan進jin行xing一yi些xie腐fu蝕shi工gong藝yi，對dui改gai善shan芯xin片pian的de反fan向xiang漏lou電dian會hui有you較jiao好hao的de幫bang助zhu。這zhe是shi因yin為wei用yong金jin剛gang石shi砂sha輪lun刀dao片pian切qie割ge後hou
，芯xin片pian邊bian緣yuan會hui殘can留liu較jiao多duo的de碎sui屑xie粉fen末mo，這zhe些xie如ru果guo粘zhan在zaiLED芯片的PN結(jie)處(chu)就(jiu)會(hui)造(zao)成(cheng)漏(lou)電(dian)，甚(shen)至(zhi)會(hui)有(you)擊(ji)穿(chuan)現(xian)象(xiang)。另(ling)外(wai)，如(ru)果(guo)芯(xin)片(pian)表(biao)麵(mian)光(guang)刻(ke)膠(jiao)剝(bo)離(li)不(bu)幹(gan)淨(jing)，將(jiang)會(hui)造(zao)成(cheng)正(zheng)麵(mian)焊(han)線(xian)難(nan)與(yu)虛(xu)焊(han)等(deng)情(qing)況(kuang)。如(ru)果(guo)是(shi)背(bei)麵(mian)也(ye)會(hui)造(zao)成(cheng)壓(ya)降(jiang)偏(pian)高(gao)。在(zai)芯(xin)片(pian)生(sheng)產(chan)過(guo)程(cheng)中(zhong)通(tong)過(guo)表(biao)麵(mian)粗(cu)化(hua)

、劃成倒梯形結構等辦法可以提高光強。

　　

　

　　

所謂透明電極一是要能夠導電
，二是要能夠透光。這種材料現在最廣泛應用在液晶生產工藝中，其名稱叫氧化銦錫，英文縮寫ITO
，但它不能作為焊墊使用。製作時先要在芯片表麵做好歐姆電極
，然後在表麵覆蓋一層ITO再在ITO表麵鍍一層焊墊。這樣從引線上下來的電流通過ITO層均勻分布到各個歐姆接觸電極上

，同時ITO由於折射率處於空氣與外延材料折射率之間
，可提高出光角度，光通量也可增加。　

 

　　

藍光LED通常采用Al2O3襯底
，Al2O3襯底硬度很高、redaolvhediandaolvdi，ruguocaiyongzhengzhuangjiegou，yifangmianhuidailaifangjingdianwenti，lingyifangmian，zaidadianliuqingkuangxiasanreyehuichengweizuizhuyaodewenti。tongshiyouyuzhengmiandianjichaoshang，huizhediaoyibufenguang，faguangxiaolvhuijiangdi。dagonglvlanguangLED通過芯片倒裝技術可以比傳統的封裝技術得到更多的有效出光。

　　

現在主流的倒裝結構做法是：首先製備出具有適合共晶焊接電極的大尺寸藍光LED芯片，同時製備出比藍光LED芯片略大的矽襯底，並在上麵製作出供共晶焊接的金導電層及引出導線層(超聲金絲球焊點)。然後

，利用共晶焊接設備將大功率藍光LEDxinpianyuguichendihanjiezaiyiqi。zhezhongjiegoudetedianshiwaiyancengzhijieyuguichendijiechu
，guichendiderezuyouyuanyuandiyulanbaoshichendi，suoyisanredewentihenhaodijiejuele。youyudaozhuanghoulanbaoshichendichaoshang，chengweichuguangmian，lanbaoshishitoumingde，yincichuguangwentiyededaojiejue。

　　

　　

普通的LED紅黃芯片和高亮四元紅黃芯片的基板都采用GaP、GaAs等化合物半導體材料，一般都可以做成N型襯底。采用濕法工藝進行光刻，最後用金剛砂輪刀片切割成芯片。GaN材料的藍綠芯片是用的藍寶石襯底，由於藍寶石襯底是絕緣的，所以不能作為LED的一個極，必須通過幹法刻蝕的工藝在外延麵上同時製作P/N兩個電極並且還要通過一些鈍化工藝。由於藍寶石很硬，用金剛砂輪刀片很難劃成芯片。它的工藝過程一般要比GaP

、GaAs材料的LED多而複雜。

　　　　

　

隨著半導體LED技術的發展
，其在照明領域的應用也越來越多
，特別是白光LED的出現
，更是成為半導體照明的熱點。但是關鍵的芯片、封裝技術還有待提高，在芯片方麵要朝大功率、高光效和降低熱阻方麵發展。提高功率意味著芯片的使用電流加大，最直接的辦法是加大芯片尺寸，現在普遍出現的大功率芯片都在1mm×1mm左右，使用電流在350mA。由於使用電流的加大
，散熱問題成為突出問題，現在通過芯片倒裝的方法基本解決了這一文題。隨著LED技術的發展，其在照明領域的應用會麵臨一個前所未有的機遇和挑戰。

　　

　　

LED芯片大小根據功率可分為小功率芯片
、中功率芯片和大功率芯片。根據客戶要求可分為單管級
、數碼級、dianzhenjiyijizhuangshizhaomingdengleibie。zhiyuxinpiandejutichicundaxiaoshigenjubutongxinpianshengchanchangjiadeshijishengchanshuipingerding
，meiyoujutideyaoqiu。zhiyaogongyiguoguan
，xinpianxiaoketigaodanweichanchubingjiangdichengben，guangdianxingnengbingbuhuifashenggenbenbianhua。xinpiandeshiyongdianliushijishangyuliuguoxinpiandedianliumiduyouguan，xinpianxiaoshiyongdianliuxiao，xinpiandashiyongdianliuda
，tamendedanweidianliumidujibenchabuduo。ruguo10mil芯片的使用電流是20mA的話
，那麼40mil芯片理論上使用電流可提高16倍，即320mA。但(dan)考(kao)慮(lv)到(dao)散(san)熱(re)是(shi)大(da)電(dian)流(liu)下(xia)的(de)主(zhu)要(yao)問(wen)題(ti)，所(suo)以(yi)它(ta)的(de)發(fa)光(guang)效(xiao)率(lv)比(bi)小(xiao)電(dian)流(liu)低(di)。另(ling)一(yi)方(fang)麵(mian)，由(you)於(yu)麵(mian)積(ji)增(zeng)大(da)
，芯(xin)片(pian)的(de)體(ti)電(dian)阻(zu)會(hui)降(jiang)低(di)
，所(suo)以(yi)正(zheng)向(xiang)導(dao)通(tong)電(dian)壓(ya)會(hui)有(you)所(suo)下(xia)降(jiang)。

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