羅德與施瓦茨和高通成功演示了高通最新的Gobi芯片組的能力，其可以完美支持LTE category 6 全部協議棧數據吞吐量測試。這一裏程碑為移動運營商推進LTE-A載波聚合的商業化指明了方向。

結果表明，Gobi 9x35芯片組不僅可以支持兩個載波聚合（每20MHz的帶寬），在下行鏈路可以達到300 Mbpsshujuchuanshusulv，haijuyoufeifandewendingxing。jiyugaixinpianzuyonghushebeijiangshiyijinghuodeewaidepinpuziyuandeyidongyunyingshangzaiweilaikeyiweiyonghutigonggenggaodefengzhichuanshusulv。youlezheyangdechengjiu，luodeyushiwacihegaotongjianghuishizhenggechanyelianshouyi，jiakuaiLTE-Advanced載波聚合功能的商業化進程。

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，在下行支持兩個20MHz帶寬的載波（包括2x2 或者4x2 MIMO方式），沒有任何頻段及帶寬的限製。在此之前
，方案針對LTE-Advance的載波聚合通常采用兩個10MHz的載波，在category4下，可以達到150Mbps的下行速率。支持Cat6的終端可以使這一數值翻倍，即300Mbps。

目前羅德與施瓦茨公司提供LTE FDD 和LTE TDD 模式LTE-Advance下行載波聚合的射頻測試和協議測試解決方案，並在2014年世界移動通信大會6號館C40展台進行了展示。