D類放大器逐漸成為高端家用A/V設備以及移動設備的首選拓撲
，能夠幫助設計者實現高性能與小尺寸組合，而這正是全世界用戶所期望和需要的。現在，高集成度D類放大器件
，包括單個封裝內的整個放大器模塊 - 的出現讓企業能夠更快地將價格極具競爭力的新產品推向市場
，並且其音頻性能達到或者超過了傳統的模擬放大器。

D類音頻放大器可以在90%左(zuo)右(you)的(de)效(xiao)率(lv)水(shui)平(ping)下(xia)運(yun)行(xing)，讓(rang)設(she)計(ji)者(zhe)能(neng)夠(gou)利(li)用(yong)小(xiao)型(xing)散(san)熱(re)器(qi)或(huo)者(zhe)無(wu)需(xu)散(san)熱(re)器(qi)即(ji)可(ke)提(ti)供(gong)極(ji)高(gao)的(de)音(yin)頻(pin)輸(shu)出(chu)。這(zhe)樣(yang)就(jiu)能(neng)夠(gou)實(shi)現(xian)新(xin)的(de)小(xiao)型(xing)音(yin)頻(pin)產(chan)品(pin)，而(er)這(zhe)是(shi)利(li)用(yong)傳(chuan)統(tong)的(de)模(mo)擬(ni)AB類放大器無法實現的。

然而，從頭設計Dleifangdaqibingfeiyishi。judadetiaozhanzaiyuquebaofangdaqinenggouanquanyunxing。danshi，ruguokeyishixianzheyidian，yinpinxingnenghuoduohuoshaoshikeyiyuzhide，bingqiezhuyaoqujueyusuoyongyuanjiandezhiliang。

本文將比較AB類和D類放大器的設計與性能，介紹D類設計相關的主要挑戰，說明更高的集成度如何幫助工程師更快的完成設計和實現成本與性能目標。

模擬與數字放大器設計

多年以來

，AB類模擬拓撲已廣泛用於整個音頻行業。AB類操作結合了A類操作(其中，輸出晶體管永遠不會關閉，導致功耗居高不下)和B類操作(其中，每個器件都隻會接通半個信號周期(180度)，從而大幅降低了功耗)。在AB類放大器內，各個輸出器件都會接通200度左右，犧牲了一定的能效，但是產生了少量重疊
，從而減輕了一個器件關閉，另一個器件接通時的交越失真。

為了利用AB類lei放fang大da器qi實shi現xian盡jin可ke能neng最zui高gao的de音yin頻pin保bao真zhen度du
，設she計ji者zhe必bi須xu以yi最zui佳jia的de方fang式shi偏pian置zhi晶jing體ti管guan，以yi便bian操cao作zuo保bao持chi在zai線xian性xing區qu域yu內nei和he將jiang交jiao越yue失shi真zhen最zui小xiao化hua。器qi件jian選xuan擇ze和he電dian路lu布bu局ju也ye會hui影ying響xiang聲sheng音yin的de質zhi量liang和he類lei型xing
，從cong而er讓rang設she計ji者zhe能neng夠gou針zhen對dui某mou些xie應ying用yong和he環huan境jing優you化hua之zhi。通tong常chang
，AB類放大器的工作效率為30-35%。這比純A類設計15-30%的效率高得多
，但是需要添加大型散熱器，從而增加了成品的成本和體積。

過去，設備采購商易於接受高級高保真音響和音/視頻設備體積大的問題。然而，當今對高性能移動設備和更流行的超薄家用多媒體係統的需求越來越需要能夠提供同等或更高音質、占用的PCB麵積更小、工作效率更高、能耗更低、需要更少散熱器的數字放大器。

在D類放大器中，輸出晶體管是在開關模式下運行，而不是在線性區域內運行，這樣就讓設計者能夠提供當今終端用戶期望的外形更小巧、能效更高的產品。在輸出端，利用低通濾波器去除開關載波信號及其諧波
，從而產生高質量放大音頻信號。

D類放大器的通用功能模塊如圖1所示。將輸入音頻信號與高頻鋸齒波形對比

，生成輸入的脈寬調製方波表達式。鋸齒波頻率通常在400kHz上下。這正好在音頻信號頻率範圍之外，因此有助於簡化輸出濾波器設計。

圖1：D類放大器的主要功能模塊

然後，音頻信號的脈寬調製等效信號被用於驅動放大器輸出級，它是全橋或者半橋MOSFET陣列。輸出拓撲選擇取決於係統要求，例如成本、功率輸出和電源設計。例如，半橋輸出級需要正、負供電。另一方麵
，全橋能夠由單電源供電，並且還能為給定的電源電壓產生較高的輸出。

在這兩種情況下，輸出MOSFET的特性均針對D類音頻放大器操作進行了優化
，從而能夠實現效率最大化，並保證低總諧波失真+噪聲(THD+ N)和EMI。這需要低導通電阻(用於在終端產品內實現高電源密度)以及優化的柵極電荷和體二極管反向恢複特性(用於實現快速且高效的交換)。

放大的音頻信號包含在MOSFET橋輸出端處的方波內。低通濾波消除了音頻外頻率
，恢複了純音頻信號以便驅動揚聲器。
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D類設計挑戰

由於功率晶體管不是處於硬開狀態，就是處於全關狀態，所以設計者無需做任何調整就可以優化性能。然而，PWM變換級必須得到很好的保護，並且需要精確的柵極控製和低脈寬失真，以及高


、低端驅動信號要匹配，方可將死區時間最小化
，進而實現最佳線性度。

開發風險很高
，設計D類lei放fang大da器qi本ben來lai就jiu是shi一yi個ge功gong率lv電dian子zi挑tiao戰zhan，需xu要yao具ju備bei開kai關guan控kong製zhi和he保bao護hu電dian路lu設she計ji方fang麵mian的de知zhi識shi。如ru果guo設she計ji階jie段duan沒mei有you正zheng確que解jie決jue這zhe些xie問wen題ti，那na麼me原yuan型xing就jiu可ke能neng無wu法fa運yun行xing或huo者zhe在zai測ce試shi時shi出chu現xian災zai難nan性xing的de故gu障zhang。如ru果guo發fa生sheng了le這zhe類lei故gu障zhang
，那na麼me查zha明ming和he修xiu正zheng這zhe些xie缺que陷xian就jiu會hui非fei常chang困kun難nan
，並bing且qie還hai會hui額e外wai增zeng加jia成cheng本ben和he導dao致zhi項xiang目mu延yan期qi完wan成cheng。

參照圖1，就能夠確定與放大器的主要功能模塊相關的主要設計挑戰了。

誤差放大器和噪聲隔離

音頻放大器的主要品質因數為噪聲和總諧波失真(THD)。在D類放大器中
，這些是由缺陷造成的，包括有限的開關時間
、過上/下xia衝chong和he電dian源yuan波bo動dong。要yao將jiang這zhe些xie影ying響xiang降jiang至zhi最zui低di水shui平ping，就jiu需xu要yao仔zai細xi設she計ji適shi當dang的de誤wu差cha放fang大da器qi
，它ta能neng夠gou通tong過guo比bi較jiao輸shu入ru和he輸shu出chu音yin頻pin信xin號hao來lai修xiu正zheng輸shu出chu級ji內nei的de缺que陷xian。然ran而er，A類或AB類設計所用的典型誤差放大器不適於D類音頻放大器的嘈雜環境。購買合適的運算放大器和確保足夠高的抗噪性可能會很困難而且代價高昂。

就噪聲隔離而言，D類拓撲要求前、後(hou)端(duan)要(yao)盡(jin)可(ke)能(neng)地(di)靠(kao)近(jin)彼(bi)此(ci)。在(zai)分(fen)立(li)式(shi)解(jie)決(jue)方(fang)案(an)中(zhong)
，設(she)計(ji)者(zhe)必(bi)須(xu)決(jue)定(ding)如(ru)何(he)將(jiang)輸(shu)入(ru)端(duan)的(de)噪(zao)聲(sheng)敏(min)感(gan)型(xing)模(mo)擬(ni)電(dian)路(lu)與(yu)輸(shu)出(chu)級(ji)產(chan)生(sheng)的(de)潛(qian)在(zai)破(po)壞(huai)性(xing)開(kai)關(guan)噪(zao)聲(sheng)隔(ge)離(li)開(kai)來(lai)。集(ji)成(cheng)式(shi)D類放大器模塊讓設計者能夠繞開這些挑戰。然而，利用適當的器件在2個電路之間實現充分的電隔離至關重要。

PWM比較器和電平移位

誤差放大器處理完輸入音頻信號並產生形狀適當的輸出之後，比較器會將該模擬信號轉換成脈寬調製(PWM)信號。

柵極驅動和MOSFET開關

柵極驅動級接收來自於比較器的PWM信號。這個階段，在高端和低端MOSFET的導通相之間插入死區時間，用以防止過大的電流流過電橋。死區時間消除了輸出MOSFET開(kai)關(guan)延(yan)遲(chi)時(shi)間(jian)的(de)影(ying)響(xiang)
，開(kai)關(guan)延(yan)遲(chi)會(hui)產(chan)生(sheng)破(po)壞(huai)性(xing)直(zhi)通(tong)電(dian)流(liu)通(tong)行(xing)，因(yin)此(ci)能(neng)夠(gou)保(bao)證(zheng)安(an)全(quan)操(cao)作(zuo)。然(ran)而(er)，插(cha)入(ru)死(si)區(qu)時(shi)間(jian)還(hai)會(hui)導(dao)致(zhi)非(fei)線(xian)性(xing)
，從(cong)而(er)產(chan)生(sheng)不(bu)必(bi)要(yao)的(de)失(shi)真(zhen)。

精確的柵極控製是實現高音頻性能的關鍵。柵極驅動器必須具有脈寬失真低的特性，並且高
、低端柵極驅動器級之間要匹配。這2個特性對於將死區時間最小化以便實現線性放大器性能而言至關重要。事實上
，死區時間插入通常被視為D類放大器交換級設計中最關鍵的部分。

保護電路

由於MOSFET的功耗與負載電流的平方成正比，所以保護電路通常要監測負載電流

，以便防止在過載條件下發生MOSFET故gu障zhang。外wai部bu分fen流liu電dian阻zu器qi通tong常chang用yong於yu負fu載zai電dian流liu檢jian測ce，但dan是shi電dian阻zu選xuan擇ze和he噪zao聲sheng濾lv波bo等deng方fang麵mian也ye很hen關guan鍵jian。這zhe會hui增zeng加jia整zheng個ge解jie決jue方fang案an的de成cheng本ben和he物wu理li尺chi寸cun
，並bing且qie會hui拖tuo延yan項xiang目mu完wan成cheng時shi間jian。

還需要保護電路來解決由於功率級的關鍵電流環路通道內的雜散電感而產生的其它開關噪聲的影響。
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D類音頻放大器IC

為了幫助音頻工程師迅速完成D類設計和避開原型開發過程中的陷阱，IR利用其在功率集成方麵的專業知識製定了D類音頻IC的發展路線圖，向著在單個封裝內實現完整D類放大器的方向邁進。

該係列的首款器件為IRS2092音頻驅動器，具有受保護的PWM開關功能。它設計用於連接從IR 50W~500W目標應用中選擇的外部數字音頻MOSFET。這些器件讓設計者能夠采用芯片集成法實現比類似的AB類設計小得多的D類音頻解決方案。利用IRS2092驅動2個IRF6645 DirectFET音頻MOSFET讓設計者能夠創造板空間小60%、典型物料成本低20%的100W放大器。

IRS2092整合了誤差放大器、PWM比較器、具有死區時間插入功能的MOSFET變換級和過載保護功能，這些都是D類放大器的主要功能元件。圖2中的模塊簡圖介紹了這些功能。

圖2：IRS2092 D類放大器IC的模塊簡圖

內置式誤差放大器基於優化的


、帶寬為9MHz的高抗噪性運算放大器，讓設計者能夠實現遠低於0.01%的音頻失真(THD)。然後
，PWM比較器將模擬信號轉換成傳播延遲短的PWM
，這zhe讓rang設she計ji者zhe能neng夠gou自zi由you地di優you化hua反fan饋kui環huan路lu。通tong常chang，一yi部bu分fen開kai關guan信xin號hao被bei反fan饋kui給gei誤wu差cha放fang大da器qi的de輸shu入ru端duan，並bing利li用yong低di通tong濾lv波bo器qi進jin行xing預yu處chu理li。然ran而er
，可ke以yi通tong過guo拉la近jin來lai自zi於yu輸shu出chu端duan的de反fan饋kui之zhi間jian的de距ju離li來lai降jiang低di失shi真zhen和he負fu載zai依yi賴lai度du。IRS2092讓設計者能夠從任意被認為是最佳的點獲得反饋和增加穩定性補償，從而實現發燒友級諧波失真和噪聲(THD + N)性能。

高壓電平移位器將接地參考數字信號轉換成以高端和低端MOSFET的各個源為參考的柵極驅動信號，從而無論各端存在著怎樣的電壓差異都能夠準確地轉發PWM信號
，正如理想的差分放大器那樣。獲得專利的結隔離法能夠防止輸出電路產生的噪聲幹擾輸入信號。

在柵極驅動級的各個導通狀態之間插入死區時間，以便防止高、低端MOSFET內同時出現導通狀態。事實上

，IRS2092讓設計者能夠根據所選MOSFET選擇死區時間的長短。保證期限讓設計者免去了評估最差情況的環節。

跟分立式解決方案不同，IRS2092中內置了過載保護
，可以監測輸出電流

，並且如果超過了預定的閾值
，還可以關閉PWM。

其它與功率變換級設計關係緊密的重要放大器特性包括消除脈寬調製器產生的EMI的措施，以及用於在啟動和關閉過程中降低開關噪聲的電路。通過在內部實現這些特性，IRS2092進一步降低了設計開銷和元件數量。這種方法解決了與D類放大器有關的功率電子設計挑戰，為工程師應用專業音頻技巧進一步提升性能打下了基礎。

實際的集成式放大器

為了給設計者提供進一步的幫助，IR證明這種方法也適用於120W雙通道半橋參考設計IRAUDAMP5。在利用IRF6645 DirectFET MOSFET驅動4Ω揚聲器負載內的2x60W時
，放大器在輸出端實現了極低的THD+N(0.005%)。並且
，在120W下實現了96%的通道效率。參考設計可以為選擇反饋(來自於功率輸出級)通道內所需的外部集成器元件和RC濾波器元件提供指導。並且，還提供了全部所需家用電源、優化的板布局、PCB製造詳情和物料清單。設計無需散熱器即可在1/8連續額定功率下正常運行，並且輸出功率和通道數量均可擴展。

yinpinfangdaqishejidelingyigezhongyaofangmianshibaozhengqidongheguanbiguichengdezhengquexing，fangzhizhexiejiangeqijianchuxiandeshuntaitongguoshuchuyangshengqichanshengtingdedaodekaiguanzaosheng。chuantongdi，tongguocharuzhiyouzaiqidongshuntaitongguozhihoujiangyangshengqiyuyinpinfangdaqilianjiedaoyiqi
，bingzaiguanbifangdaqizhiqianduankaiyangshengqilianjiedechuanlianjidianqilaijiangzhexieshuntaibingchuzaiyangshengqizhiwai。youyuIRS2092集成了開關噪聲消除功能
，所以IRAUDAMP5無需任何串聯繼電器即可斷開揚聲器
，防止產生聽得見的瞬態噪聲。
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單封裝D類放大器

利用這種方法，下一級集成是在相同的封裝內添加針對數字音頻應用進行了優化的功率MOSFET
，以及PWM控製器、柵極驅動器電路和集成式保護特性。IR的最新PowIRaudio係列集成式功率模塊實現了這一目標，讓設計者能夠為麵向高性能高保真音響
、家庭影院係統和汽車音響等應用的高效放大器進一步減少元件數量，並且將電路板尺寸縮小了70%之多。

該係列的4款PowIRaudio器件包括IR4301M

、IR4311M、IR4302M和IR4312M，支持35W/4Ω~130W/4Ω全橋和半橋拓撲，讓設計者能夠配置2.1通道
、5通道、6通道和7.1通道應用。這些器件具有很寬的工作電壓範圍，IR4301/4302和IR4311/4312的工作電壓分別高達62V/±31V和32V/±16V。該係列共有的其它重要特性包括過流保護
、熱關斷
、內部/外部關斷和浮動差分輸入。IR4302和IR4312還具有芯片檢測功能。

利用這些器件，設計者可以構建麵向典型音樂回放應用的放大器
，其無需機械散熱器並且能夠實現出色的音頻性能，例如THD+N低至0.02%。控製器IC的高抗噪性保證在各種環境條件下均能實現可靠操作。這些器件采用散熱型PQFN封裝，尺寸為5mm x 6mm(IR4301/4311)和7mm x 7mm(IR4302/4312)
，因此實現了IR高級D類組合封裝解決方案優勢最大化。

為了幫助完成定製設計，共提供了6個參考設計，利用了采用單端和獨立電源配置的IR4301和IR4302
，以及采用單端電源的IR4311和IR4312。這些設計麵向35W
、70W、100W和130W應用，包括帶和不帶散熱器的配置。采用IR4302、麵向100W雙通道無散熱器放大器的IRAUDAMP17參考設計如圖3所示。

圖3：采用IR4302的100W雙通道D類參考設計

放大器功耗與THD+N性能的關係如圖4所示，效率與功耗的關係如圖5所示。

圖4：采用IR4302的IRAUDAMP17參考設計的THD+N與功耗的關係

圖5：采用IR4302的IRAUDAMP17參考設計的效率與功耗的關係

通過簡化新一代交鑰匙D類芯片放大器的獲得方法
，這些參考設計能夠幫助設計者克服散熱挑戰，在適用於家庭影院和電視、音頻擴展、有源音箱、樂器和售後市場汽車係統等產品的、寬額定音頻輸出功率範圍內實現小型化設定新標準。

利(li)用(yong)這(zhe)種(zhong)方(fang)法(fa)，設(she)計(ji)者(zhe)可(ke)以(yi)保(bao)證(zheng)在(zai)合(he)理(li)的(de)時(shi)間(jian)窗(chuang)口(kou)內(nei)完(wan)成(cheng)各(ge)個(ge)項(xiang)目(mu)，實(shi)現(xian)規(gui)定(ding)的(de)音(yin)頻(pin)質(zhi)量(liang)目(mu)標(biao)，同(tong)時(shi)還(hai)能(neng)為(wei)產(chan)品(pin)小(xiao)型(xing)化(hua)設(she)定(ding)新(xin)標(biao)準(zhun)和(he)實(shi)現(xian)極(ji)具(ju)競(jing)爭(zheng)力(li)的(de)價(jia)格(ge)。

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