賽普拉斯半導體公司日前宣布，LSI在其用於高性能服務器、工作站和外部存儲器的12Gb/s SAS主機總線適配器（HBA）中
，選用了賽普拉斯的並行非易失性靜態隨機存取存儲器（nvSRAM）。nvSRAM為SAS HBA帶來高速度、低電壓

、無故障的存儲器
，提升了LSI解決方案的性能。LSI選擇並行nvSRAM的另一個原因是它可工作在不同的電壓下
，而且廣受媒體好評。

 

 

圖1：LSI選擇賽普拉斯並行nvSRAM非易失性存儲器

 

LSI近期發布的LSI® SAS 9300 HBA係列產品是業界首款用於高性能服務器


、工作站和外部存儲係統的12Gb/s SAS HBA解決方案。該係列的產品可加快存儲速度
，專為諸如交易數據庫、Web 2.0、數據挖掘、視頻流媒體及編輯等場合的高性能應用而設計。

 

賽普拉斯並行nvSRAM的存取時間可快至25ns， 是市場上最快的異步非易失性RAM。nvSRAM還具有無限次讀寫和恢複和20年的數據保存能力
，對於需連續高速數據寫入和絕對非易失性數據安全且無需備用電池的應用，這一產品是非常理想的選擇。

 

LSI高級市場總監Robin Wagner說：“隨著數據中心對存儲量管理要求的不斷提升
，對12Gb/s SAS的需求隨之增長。我們曾成功地運用過廣受媒體讚譽的nvSRAM
，完全能滿足我們LSI 9300係列產品的嚴苛要求。並行nvSRAM的靈活性能夠接受3V以下的工作電壓

，從而簡化了產品設計流程，加速我們產品的上市進程。”

 

賽普拉斯非易失性產品事業部高級總監Rainer Hoehler說：“我們很高興存儲界的領先者LSI采用我們的並行nvSRAM產品。這一產品應用於業界首款12Gb/s解決方案
，充分證明了其不同凡響的速度和可靠性。”

 

並行nvSRAM係列產品有從256kb到8Mb的多種配置可供選擇，並可工作在工業溫度範圍內，擁有業界標準的封裝方式，如32-SOIC, 44-TSOPII, 48-SSOP, 48-FBGA 及 54-TSOPII等。欲了解更多關於賽普拉斯nvSRAM產品的信息，敬請訪問如下網址：www.cypress.com/go/NVM。

 

賽普拉斯的nvSRAM采用SONOS（氧化矽氮氧化矽）嵌入式非易失性存儲器製造工藝。nvSRAM非常適合需要高性能和絕對非易失性數據安全的應用，如RAID係統、PLC
、工業數據日誌、計算和網絡係統、汽車發動機、服務器和交換機、航空電子、軍用係統，以及遊戲係統等。

 

賽普拉斯是SONOS製造工藝的領先者，其旗艦產品PSoC®混合信號陣列、可編程時鍾及其他產品均采用這一工藝製造。SONOS與標準的CMOS技術兼容
，還具有多種優勢，例如長壽命
、低功耗和抗輻射。SONOS技(ji)術(shu)在(zai)賽(sai)普(pu)拉(la)斯(si)自(zi)己(ji)的(de)工(gong)廠(chang)和(he)多(duo)個(ge)合(he)作(zuo)夥(huo)伴(ban)的(de)工(gong)廠(chang)中(zhong)同(tong)時(shi)采(cai)用(yong)。與(yu)其(qi)他(ta)基(ji)於(yu)磁(ci)技(ji)術(shu)的(de)非(fei)易(yi)失(shi)性(xing)存(cun)儲(chu)技(ji)術(shu)相(xiang)比(bi)，這(zhe)一(yi)工(gong)藝(yi)在(zai)規(gui)模(mo)和(he)可(ke)製(zhi)造(zao)性(xing)方(fang)麵(mian)擁(yong)有(you)顯(xian)著(zhu)的(de)優(you)勢(shi)。賽(sai)普(pu)拉(la)斯(si)已(yi)發(fa)運(yun)了(le)超(chao)過(guo)10億片采用與nvSRAM中相同的SONOS工藝製造的產品。