LTE手機基帶芯片主流是28nm單芯片方案

 “多模多頻”已經成為產業共識

，支持多模多頻的3G/LTE終端更加符合用戶對無線上網的使用習慣及運營商的發展需求。在這一點上，運營商、終端廠商和芯片廠商的發展路線圖一致。而中國政府和運營商要求國內的TD-LTE手機必須兼容TD-SCDMA，也就是說未來國內商用的TD-LTE手機要支持5種模式：GSM、UMTS
、TD-SCDMA
、FDD-LTE和TD-LTE，甚至還會有CDMA1x。與單模LTE產品相比， 多模在設計上，除了需要處理好高集成度帶來的複雜問題

，還需要解決好產品的功耗、性價比和穩定性問題。

解決手機多模有單芯片和雙芯片兩種方案。單芯片就是指把所有的製式都集中在一顆芯片上，最有代表性的芯片就是高通的MSM8960，號稱全球模式,支持TD- LTE/LTEFDD/TD-SCDMA/UMTS/GSM/EVDO/CDMA1*等。雙芯片方案就是采用一顆3G及3G以下兼容芯片，外加一顆 4GLTE芯片，這個方案的好處是可以把LTE芯片也用40nm生產，但成本非常昂貴，麵對單芯片方案沒有任何競爭力。而另一方麵
，28nm製程，體積小
，功耗低，成本要比製造40nm的同規格產品便宜很多。因此未來28nm及以下產品將是手機基帶芯片的主流配置。而LTE基帶供應商的競爭瓶頸就是誰擁有足夠的28nm產能。

目前高通(Qualcomm)、意法愛立信(ST-Ericsson)、輝達(NVIDIA)等LTE芯片商都擁有LTE基頻和應用處理器的開發技術，其中高通與意法愛立信整合基頻與應用處理器的SoC已問世，輝達則可望於2013年發布SoC方案。不僅是高通、意法愛立信

、輝達LTE芯片業者正摩拳擦掌開發SoC方案，聯發科、展訊
、博通(Broadcom)等3G基頻與應用處理器供應商，也瞄準SoC為LTE市場大勢所趨，產品策略正戮力朝整合LTE基頻和應用處理器的SoC推進。LTE手機基帶芯片的研發進度目前受製於28nm的產能瓶頸和TDSCDMA與TD-LTE的研發難度，預計要到2014年多個公司的基帶芯片方案才能量產上市。

目前LTE芯片霸主——高通LTE基帶平台盤點

高通是是業內最早提出“多模”理念的芯片廠商，也是業界首個推出3G/LTE多模單芯片解決方案的廠商，同時
，高通公司所有LTE芯片組均同時支持TDD和FDD製式。

高通Krait係列芯片一共有三種不同型號可選
，分別是單核MSM8930

、雙核MSM8960以及四核MSM8974

，新版Krait芯片都將整合對3G與LTE的支持。

主打千元機市場的高通MSM8x30處理器係列
高通驍龍S4 Plus MSM8x30處理器包括MSM8930、MSM8230以及MSM8630，采用先進的28nm工藝製造，采用雙Krait構架，處理器頻率有1.2GHz以及1.4GHz等版本，支持TD-SCDMA
、TD-LTE、LTE-FD、CDMA 1x/1xADV/DoRA/DorB、UMTS等網絡。其中雙核CPU S4 MSM8930，是全球首款集成LTE調製解調器的單芯片解決方案

，支持LTE TDD和FDD-LTE,UMTS、CDMA和TD-SCDMA 製式，麵向中國三個運營商。
相關情況
，請參考：高通低價四核與TD-SCDMA芯片動了誰的奶酪？ 和支持LTE-TDD和TD高通大眾智能手機方案年底出樣

28nm四核CPU領銜，高通驍龍S4全新處理器S4 MSM8960
驍龍S4 MSM8960集成了采用28納米工藝的Krait CPU和Adreno 225 GPU,同時集成了支持所有2G/3G/LTE製式的高通調製解調方案。合作夥伴基於此處理器，可以開發出滿足全球所有運營商需求的智能手機，如三星Galaxy S III由AT&T
、Sprint、T-Mobile、Verizon Wireless和U.S. Cellular同時發售，基於驍龍S4 MSM8960，同時支持五家運營商的LTE、HSPA+雙載波等網絡。

高通規格最強的四核心MSM8974（未發布）
根據國外媒體曝光的高通Snapdragon處理器產品計劃，2013年第一季度開始，高通會推出規格最強的MSM8974處理器。它將采用Krait四核架構，28nm製程工藝

，主頻達到驚人的 2GHz至2.5GHz
，擁有2MB的二級緩存，支持雙通道的667/800MHz DDR3雙通道內存。MSM8974將采用Adreno 320圖形芯片，支持1080p@60fps的高清視頻。

業界首款支持HSPA+10的高通第三代LTE芯片組
高通下一代Gobi™調製解調器芯片組MDM8225™
、 MDM9225™和MDM9625™是首批支持HSPA+版本10和下一代LTE移動寬帶標準LTE增強型的芯片組。MDM9225和MDM9625芯片組也將是首批支持LTE載波聚合和數據傳輸速率高達150 Mbps的真正LTE Category 4的芯片組，使網絡運營商可以提升其LTE服務區域的寬帶速度。這幾款芯片組采用28納米製造工藝
，在性能和功耗方麵均有顯著提升，並將支持多種移動寬帶技術，為智能手機、平板電腦、超便攜筆記本電腦
、便攜式無線熱點設備、數據收發器和客戶前提設備提供同類最佳的移動寬帶體驗。

意法愛立信是全球少數幾家能在一個芯片組中集成多種LTE技術的芯片廠商之一，已成功開發出同時支持TD-LTE和FDD-LTE技術的芯片。

下頁內容：ST-Ericsson、聯芯等廠家LTE基帶平台盤點
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STE下一代高集成度多模LTE平台方案L8540
NovaThorTM L8540是一款支持LTE/HSPA+/TD-HSPA的整合型智能手機平台
，其應用處理器和無線寬帶modem整合在一顆芯片上
，采用28nm工藝製程
，基於Cortex-A9內核主頻最高可達1.85GHz
；支持LTE/HSPA/TD-SCDMA/GSM多達8個頻段
；內嵌一顆PowerVR SGX544圖形處理單元，並配有雙通道LPDDR2內存。同時集成了LTE網絡、無線Wi-Fi、藍牙、調頻收音機、NFC、GPS等諸多功能；由於采用了更先進的28nm工藝製程，加上全套整合式的方案
，能夠令NovaThor L8540的功耗比現有處理器降低至少10%。得益於其超低的電壓運行模式，與目前市場上其他平台相比，NovaThor L8540能夠將智能手機的續航時間延長30%。相關閱讀： 高度整合的新款LTE 智能手機平台：LTE NovaThor

Marvell多模TD-LTE單芯片基帶調製解調器PXA1802
PXA1802 是單芯片基帶調製解調器
，五模合一，可支持TDD和FDD LTE製式
，支持GSM
、EDGE、WCDMA
、TD-HSPA+、HSPA+等多模
，同時集成LPDDR1。芯片支持下行150Mbps，上行50Mbps；支持雙流波束成形，硬件支持祖衝之加密算法，支持2G/3G和 LTE的雙待雙連接
；已完成並通過國內主要的IOT測試，體現出芯片和係統具備良好的穩定性。

聯芯科技支持ZUC祖衝之算法的LTE多模基帶芯片
聯芯科技TD-LTE/LTE FDD/TD-HSPA/GGE多模芯片LC1761和TD-LTE/LTE FDD雙模基帶芯片LC1761L兩款芯片為目前業界首款同時支持硬件加速ZUC祖衝之算法，3GPP Release 9和LTE Category 4能力的LTE終端芯片，能率先滿足LTE預商用背景下工信部、中國移動對於多模終端芯片的需求。LC1761，采用40nm工藝，可實現下行150Mbps，上行50Mbps的高效數據傳輸。LC1761L是僅支持TD-LTE/LTE FDD的純LTE Modem芯片，可滿足市場對於數據類終端及手持類智能終端的定製需求。

展訊單芯片多模TD-LTE基帶調製解調器SC9610
作為展訊的第一款TD-LTE基帶調製解調器，SC9610 TD-LTE/TD-SCDMA/EDGE/GPRS/GSM單芯片基帶調製解調器采用40納米 CMOS工藝， 在單芯片內集成了多模通信標準，包括多頻段的 TD- LTE和TD – SCDMA，以及四頻 EDGE/GSM/GPRS。能達到 100Mbps 下行速度和 50Mbps上行速度
，支持5、10、15及20MHz 信道帶寬和 2x2 MIMO。

海思業界首款支持LTERealse9和Category4的多模終端芯片Balong710
Balong710在LTEFDD模式下能夠提供150Mbit/s的下行速率和50Mbit/s的上行速率
；在 TD-LTE工作模式下，能夠提供最高112Mbit/s的下行速率和最高30Mbit/s的上行速率，特有的雙流BeamForming技術能夠顯著提升小區平均吞吐量和邊緣用戶吞吐量
；在 WCDMA的DC＋MIMO工作模式下能夠提供84Mbit/s的下行速率和23Mbit/s的上行速率。