耐潮水平增加50倍的新款氮化鉭薄膜片式電阻
發布時間：2012-11-03 責任編輯：rexliu
【導讀】Vishay推出通過QPL MIL-PRF-55342測試的新款表麵貼裝片式電阻---E/H (Ta2N) QPL，保證可靠性達到100ppm的“M”級失效率。新的E/H (Ta2N) QPL電阻使用耐潮的氮化鉭電阻膜技術製造，為國防和航天應用提供了增強的性能規格，包括0.1%的容差和25ppm/℃的TCR，耐潮水平超過MIL-PRF-55342限值的50倍。
Vishay推出通過QPL MIL-PRF-55342測試的新款表麵貼裝片式電阻---E/H (Ta2N) QPL，保證可靠性達到100ppm的“M”級失效率。新的E/H (Ta2N) QPL電阻使用耐潮的氮化鉭電阻膜技術製造，為國防和航天應用提供了增強的性能規格，包括0.1%的容差和25ppm/℃的TCR。
E/H (Ta2N) QPLdianzushiyongyuguofanghehangtianyingyongdekongzhixitong，zhexieyingyongxuyaokaolvzaichaoshitiaojianxiagongzuohuochangqidechucunwenti。qijiandedanhuatandianzumokequebaonaichaoshuipingchaoguoMIL-PRF-55342限值的50倍。
E/H (Ta2N) Mil-PRF-55342薄膜電阻具有不到-25dB的極低噪聲和0.5ppm/V的電壓係數。電阻的卷繞式端接采用了一個粘性很強的粘合層，上麵覆蓋的電鍍鎳柵層可適應+150℃的工作條件，對典型電阻的影響小於0.010Ω。
新電阻采用01至12的M55342外形尺寸，功率等級為50mW～1000mW，工作電壓為40V～200V，根據不同的容差，阻值範圍為49.9Ω～3.3MΩ。
E/H (Ta2N) Mil-PRF-55342薄膜電容器現已量產，供貨周期為八周到十周。
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