產品特性：

• 新器件在1.2V的柵源電壓下便可導通；4.5V時導通電阻為9.4 mΩ
• 導通電阻數值比前一代低18%
  ，

適用範圍：

• 可用於智能手機
  、平板電腦，以及移動計算應用等便攜式電子產品中的負載切換

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布
，推出新款8V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiA436DJ。該器件采用占位麵積2mm x 2mm的熱增強型PowerPAK® SC-70封裝，具有N溝道器件中最低的導通電阻。


新的SiA436DJ在4.5V、2.5V、1.8V

、1.5V和1.2V下具有9.4mΩ、10.5mΩ、12.5mΩ、18mΩ和36mΩ的超低導通電阻。導通電阻數值比前一代方案最多低18%
，比2mm x 2mm占位麵積的最接近的N溝道器件最多低64%。

SiA436DJ可用於智能手機
、平板電腦，以及移動計算應用等便攜式電子產品中的負載切換。器件的超小尺寸PowerPAK SC-70封裝可在這些應用中節省PCB空間，同時其低導通電阻可以減少傳導損耗，達到降低功耗
、提高效率的目的。

MOSFET在1.2V電壓下就可導通，使MOSFET可以采用手持設備中常見的低壓電源軌進行工作，簡化了電路設計，使電池在兩次充電周期之間的工作時間更長。SiA436DJ的低導通電阻還可以減低負載開關上的電壓降，防止出現討厭的欠壓鎖定現象。

SiA436DJ通過了100%的Rg測試，符合IEC 61249-2-21的無鹵素規定，符合RoHS指令。

新的SiA436DJ TrenchFET功率MOSFET現可提供樣品
，並已實現量產
，大宗訂貨的供貨周期為十二周。