產品特性：

• 具有極低導通電阻（RDSon）
• 極高的開關性能以及出色的品質和可靠性
• 已取得AEC-Q101認證
• 具有極低PPM水平

適用範圍：

• 汽車電子

恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. 日前宣布推出全新汽車級功率MOSFET器件係列，該係列采用恩智浦的Trench 6技術
，具有極低導通電阻（RDSon）、極高的開關性能以及出色的品質和可靠性。恩智浦新型汽車級MOSFET已取得AEC-Q101認證，成功通過了175℃高溫下超過1,600小時的延長壽命測試（性能遠超Q101標準要求），同時具有極低PPM水平。

恩智浦這一全新車用MOSFET係列中的首批產品將采用D2PAK封裝，電壓級分別為30V、40V、60V、80V和100V，全部具有出色的導通電阻（RDSon）性能。未來的Trench 6器件將會采用其他類型車用封裝形式，包括恩智浦高可靠性、高性能的Power-SO8 LFPAK56封(feng)裝(zhuang)，以(yi)此(ci)作(zuo)為(wei)產(chan)品(pin)組(zu)合(he)的(de)重(zhong)要(yao)擴(kuo)展(zhan)形(xing)式(shi)，為(wei)用(yong)戶(hu)提(ti)供(gong)全(quan)麵(mian)的(de)應(ying)用(yong)靈(ling)活(huo)性(xing)。該(gai)係(xi)列(lie)幾(ji)乎(hu)覆(fu)蓋(gai)所(suo)有(you)汽(qi)車(che)應(ying)用(yong)領(ling)域(yu)
，從(cong)簡(jian)單(dan)的(de)車(che)燈(deng)照(zhao)明(ming)到(dao)精(jing)密(mi)複(fu)雜(za)的(de)傳(chuan)動(dong)、車身及底盤等各係統的功率控製。

Trench 6將在前代TrenchMOS器件的基礎上進一步提升開關性能，可在給定導通電阻（RDSon）條件下實現超低QGD，因此是汽車DC-DC開關應用的理想選擇。恩智浦的汽車級功率MOSFET器件還為各類產品帶來真正的邏輯電平變體，這是一項將基準導通電阻性能與閾值電壓容限相結合的重要功能，可確保MOSFET器件在高溫下的正常控製。

恩智浦半導體產品市場經理Ian Kennedy表示，“我們的Trench 6汽車級功率MOSFET器件可以為車內幾乎每個MOSFET插口提供經過優化的、可靠性能極高的解決方案。廣泛嚴格的測試表明
，Trench 6的構架極其簡單，且在近兩年的標準MOSFET市場業績驕人


，一定可以滿足延長汽車壽命所需的品質和可靠性要求。”