新聞事件：

• 飛兆半導體與英飛淩科技簽署創新的汽車級MOSFET H-PSOF封裝工藝許可協議

事件影響：

• 協議確保設計人員可獲得可靠的創新封裝技術供應渠道
• 這種封裝相對於現有的D2PAK
  ，PCB板麵積和高度分別降低20%和50%
• TO-Leadless MOSFET封裝解決方案將應用於汽車行業

 
英飛淩科技股份公司與飛兆半導體公司近日宣布簽署英飛淩先進汽車級MOSFET封裝工藝H-PSOF（帶散熱盤的塑料小外形扁平引腳封裝）——符合JEDEC標準的TO-Leadless封裝（MO-299）——的許可協議。

這種封裝適用於大電流汽車應用，包括混合動力汽車的電池管理、電動助力轉向係統（EPS）、主動式發電機和其他重載電氣係統。TO-Leadless封裝是首個實現300安培電流能力的封裝。這種封裝相對於現有的D2PAK，PCB板麵積和高度分別降低20%和50%，從而大幅節省空間。

開發全新的啟停係統、電動助力轉向係統

、電dian池chi管guan理li和he主zhu動dong式shi發fa電dian機ji
，以yi滿man足zu更geng苛ke刻ke的de能neng效xiao和he排pai放fang要yao求qiu的de汽qi車che電dian子zi公gong司si
，正zheng在zai尋xun求qiu各ge種zhong創chuang新xin解jie決jue方fang案an，但dan他ta們men還hai必bi須xu最zui大da程cheng度du規gui避bi僅jin從cong一yi家jia供gong應ying商shang采cai購gou器qi件jian的de風feng險xian。為wei確que保bao可ke靠kao的de器qi件jian供gong應ying
，飛fei兆zhao半ban導dao體ti與yu英ying飛fei淩ling簽qian署shu該gai許xu可ke協xie議yi，旨zhi在zai將jiang領ling先xian業ye界jie的deTO-Leadless MOSFET封裝解決方案應用於汽車行業，同時最大程度降低從一家供應商采購器件的風險。

飛兆半導體公司計劃將TO-Leadless功率器件封裝工藝應用於其最新的MOSFET技術。采用TO-Leadless封裝的首批MOSFET樣品，預計將於2012年下半年開始提供，批量生產有望於2013年中期開始。

飛兆半導體汽車業務部副總裁Marion Limmer指出：“憑借多年來在汽車行業積累的豐富經驗，飛兆半導體在滿足當前各大汽車廠商的功率半導體需求方麵，遙遙領先。通過采用這種TO-Leadless功率器件封裝工藝，飛兆半導體幫助設計人員充分利用最新的低阻MOSFET技術，從而進一步提高我們在汽車市場的份額。”

英飛淩科技股份公司汽車電子業務部總裁Jochen Hanebeck表示：“擁有這個協議，汽車行業將受益於從其他可靠供應商訂購空間、nengxiaojixingnengfangmianjubeiyoushidedadianliugonglvqijian。zuoweiqichegonglvyingyongjishudelingdaozhe，yingfeilingliyongqijishuzhuanchangweiqichexitonggongyingshangtigongketigaonengxiaohexingnengdeMOSFET，同時還可最大程度降低從一家供應商采購的風險。”

飛(fei)兆(zhao)半(ban)導(dao)體(ti)與(yu)世(shi)界(jie)領(ling)先(xian)的(de)汽(qi)車(che)製(zhi)造(zao)商(shang)和(he)係(xi)統(tong)供(gong)應(ying)商(shang)合(he)作(zuo)，開(kai)發(fa)出(chu)廣(guang)泛(fan)支(zhi)持(chi)汽(qi)車(che)應(ying)用(yong)的(de)半(ban)導(dao)體(ti)解(jie)決(jue)方(fang)案(an)，包(bao)括(kuo)優(you)化(hua)現(xian)代(dai)汽(qi)車(che)的(de)電(dian)源(yuan)管(guan)理(li)架(jia)構(gou)

、降低燃耗和環境汙染等等。