650V:飛兆半導體IGBT提高功率轉換應用的效率和係統可靠性
發布時間:2012-03-29
產品特性:
- 具有大電流處理能力
- 具有較寬的安全工作區
- 能夠應對設計人員的高效、有效功率轉換挑戰
- 更高的擊穿電壓改善了寒冷環境溫度下的可靠性
適用範圍:
- 太陽能功率逆變器、不間斷電源(UPS)以及焊接應用
太陽能功率逆變器、不間斷電源(UPS)以及焊接應用的設計人員麵臨提高能效,滿足散熱法規,同時減少元件數目的挑戰。有鑒於此,飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發了一係列針對光伏逆變器應用的650V IGBT產品,幫助設計人員應對這一行業挑戰。
飛兆半導體公司的場截止IGBT技術能夠讓設計人員開發出具有更高輸入電壓的高可靠係統設計,同時提供具有低導通損耗和開關損耗的最佳性能。另外,650V IGBT具有大電流處理能力、正溫度係數、嚴格的參數分布,以及較寬的安全工作區等特點。
更高的擊穿電壓改善了寒冷環境溫度下的可靠性,隨著溫度的降低,IGBT和FRD阻斷電壓亦會下降,因而650V IGBT特別適合較冷氣候之下工作的太陽能光伏逆變器。仔細選擇IGBT和續流二極管是獲得最高效率的必要條件,650V IGBT提供了快速和軟恢複特性,能夠降低功率耗散,並減小開啟和關斷損耗。
特性和優勢
• 具有更高的阻斷電壓能力,無需犧牲性能
• 具有正溫度係數,易於並聯工作,可實現不發熱的嵌板應用,防止係統過載
• 大電流容量,實現大功率DC/AC轉換
• 最高結溫:TJ=175oC
• 低飽和壓降:Ic=40A / 60A額定電流下,VCE(sat)= 1.9V(典型值)
• 高開關速度,可讓係統保持高效率
• 低導通損耗和開關損耗
• 寬安全工作區 – 允許更高的功率耗散
• 嚴格的參數分布
• 滿足RoHS要求
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