電子技術由集成電源模塊
 

碳化矽SiC是功率半導體器件晶片的理想材料，其優點是：禁帶寬
、工作溫度高（可達600℃）
、熱穩定性好、通態電阻小

、導熱性能好、漏電流極小、PN結耐壓高等
，有利於製造出耐高溫的高頻大功率半導體器件。

高壓IGBT單片耐壓已達到6500V，一般IGBT的工作頻率上限為20kHz～40kHz，基於穿通（PT）型結構應用新技術製造的IGBT，可工作於150kHz（硬開關）和300kHz（軟開關）。

其共同點是
，二 zhejichengdeduixiangdoushidianzidianlu。yinci，jichengdianluzhongdexuduojishudouweidianlidianzijichengjishusuojiejian。liru

，danpiandianlidianzijichengjishujiuhejichengdianlushifenxiangsi。qiyuanyujichengdianlufeng 裝技術的多芯片模塊（Multi Chip Module-MCM）技術就對電力電子集成技術有很大的借鑒意義。

共同點主要是：信息電力技術特別容易在單 個芯片上實現
，甚至出了片上係統（System on Chip-SOC）的概念和技術。而在電力電子集成中
，單片集成就要困難很多。

IGBT剛出現時，電壓、電流額定值隻有600V、25A。很長一段時間內
，耐壓水平限於1200V～1700V
，經過長時間的探索研究和改進，現在IGBT的電壓、電流額定值已分別達到3300V/1200A和4500V/1800A。

因為電力電子中主電 路通常電壓較高
、功率較大、發熱嚴重、電磁幹擾也嚴重

，而控製電路通常電壓較低、本身功耗不大也難於承受高壓，抗電磁幹擾性能也較弱。因此，電壓隔離、熱隔離、抗電磁幹擾就成為電力電子集成技術的三大問題。