新聞事件：

• Vishay功率MOSFET榮獲《電子技術應用》雜誌“中國優秀電子產品”獎

事件影響：

• 功率MOSFET具有業內最低的導通電阻
• 低FOM減少開關應用中的損耗
• 器件的高效率使設計者提高係統的功率密度

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其Vishay Siliconix SiR662DP TrenchFET? 榮獲專業媒體《電子技術應用》(AET)的“中國優秀電子產品”獎。

在采用SO-8或PowerPAK? SO-8封裝的60V器件中
，SiR662DP 60V N溝道功率MOSFET具有業內最低的導通電阻
，以及60V器件中最低的導通電阻與柵極電荷乘積優值係數(FOM)。對於設計者，更低的MOSFET導通電阻使得傳導損耗更低，可減少功耗，尤其是在重負載條件下。低FOMjianshaolegaopinhekaiguanyingyongzhongdekaiguansunhao，tebieshizaiqingfuzaihedaijimoshixia。qijiandegaoxiaolvshishejizhenenggoutigaoxitongdegonglvmidu，huotongshizaigenglvsedeshejifanganzhongshixiangengdidenengyuansunhao。

在兩個月的時間內，用戶通過在www.ChinaAET.com投票的方式選出了中國優秀電子產品獎的獲獎者。118款提名產品中有31款獲獎，SiR662DP榮獲分立元器件類的獎項。