中心議題：

• 功率產品格局
• 功率分配的挑戰
• 解決方案選擇
• 功率的整合

功率產品格局
　　
盡管大多數功率半導體仍然以傳統的封裝形式如TO220銷售
，但功率半導體領域的界限卻日益變得模糊。本文將較為正確的描述這些界限。
　　
在過去的數年間，功率產品格局發生了最為重大的轉變，那就是功率半導體器件從用於諸如電動機
、磁盤驅動器、電視線圈、熒光燈等的各種機電負載
，向用於IC的純電子負載轉變。這種市場趨勢曾經主要集中在功率半導體的產品創新，同時也創造了許多新的控製IC機會
，從而誕生了一個新的代表性名詞來描述這種市場：功率管理。功率管理市場不僅巨大
，而且正在不斷增長。
　　
隨著IC工藝的不斷成熟
，現在的Vcc 水平達到了難以置信的地步，而且IC功能的不斷提高也能滿足IC對更多電流供給的需要。本文將詳細討論功率管理方麵存在的巨大差異。
　　
電子負載
　　
采cai用yong的de功gong率lv管guan理li方fang案an通tong常chang取qu決jue於yu係xi統tong限xian製zhi。例li如ru
，在zai某mou些xie設she計ji中zhong，電dian路lu板ban耗hao費fei的de總zong功gong率lv正zheng接jie近jin極ji限xian值zhi
，因yin此ci隻zhi能neng考kao慮lv那na種zhong能neng夠gou提ti供gong極ji高gao散san熱re效xiao率lv或huo者zhe不bu同tong散san熱re路lu徑jing的de解jie決jue方fang案an。在zai另ling外wai一yi些xie設she計ji中zhong，IC必須在數微秒內迅速從低電壓的備用模式向滿負荷處理功率模式轉化
，這就要求解決方案能夠提供1000A/ms 甚至更高的 dI/dt。
　　
功率分配的挑戰
　　
要讓單一供給源產生1.5～1.2V範圍的5路校準輸出是不可能的。其挑戰性在於輸出路數的多少以及如何產生所需的剩餘電壓。亞洲製造的大多數應用器件如計算機、服務器
、電視、DVD等都存在這種問題，這些器件通常采用單路或雙路的功率供給來產生5V或12V的總線，從而通過總線獲得較低的電壓。在網絡基礎設施方麵
，功率要求現在麵臨兩方麵的挑戰：5V總線上的電流增長使得 I2R耗損顯得特別重要，但達到 12V後又會引起另外的新問題 - 從12V到1V比從5V到1V的轉換效率要低得多。因此，爭論的焦點在於各種中間總線電壓的優點。
　　
解決方案選擇
　　
盡管線性調節器產品可達到5A
，但對要求3A或更高電流的解決方案而言，通常需要采用開關調節器。隨著非隔離降壓轉換器拓撲學在這些開關電路中的不斷使用，設計者要麵對的第一個選擇就是：設法獲得完整的模塊，或者創立自主的板上設計技術。由於基本的降壓轉換器相對比較簡單，它包括1個 PWM、2個MOSFET、1個電感 和1個電容，因此這種簡易性能夠鼓勵設計者擁有自主的板上設計技術。
　　
第二種選擇涉及使用何種半導體：集成器件或分立的解決方案。集成器件便於使用，是一種現存的解決方案。但是，如果性能和成本是考慮的首要問題，那麼采用1個PWM IC 和分立的 MOSFET 是最佳的選擇。如果高於 6A
，就不應該選擇單片式IC，所作出的選擇應介於分立和集成功率元件之間。這裏，有關成本和性能的界限不是很清楚
，下麵將作詳細討論。如果高於 20A， 就會有越來越多的 DSP湧入這一方向

，因而要求多相設計 。
　　
設計者一旦確定了電路在尺寸大小
、效率、成本、熱量控製
、瞬時性能方麵的要求，就可以開始選擇元件。MOSFET在過去數年間經曆了從TO220 發展到多種可用封裝技術的漫長曆程。目前，功率管理應用器件的熱點是增強型SO8

，裝於普通 SO8 IC封裝內的器件具有真正的功率處理能力。
　　
增強型SO8
　　
由於SO8 具有低矮外形和較好的芯片尺寸/封裝比，讓傳統的功率封裝如D2pak 和Dpak受益匪淺。但SO8存在的基本問題在於其本身是IC封裝，沒有真正的散熱路徑
，於是半導體供應商由此發明了許多新的封裝形式，如LFPak和QLPak。
　　
LFPak類似於Dpak等傳統的功率封裝
，但是由於Dpak引腳和內部引線的電感，設計頻率始終無法突破200kHz 甚至更低的值。而LFPak 采用內部夾層構造
，不再使用任何引線，從而在工作頻率方麵取得了重大突破
，今天的矽片可達到2MHz 。
　　
相對於LFPak，QLPak 提出了不同的主張：如果每個PCB的Si麵積占大部分，那麼QLPak就是最好的封裝方式。但是
，QLPak 內部構造中含有一個傳統的用於同源極連接的焊接引線接點，因此同LFPak相比，最大頻率將受到這種構造的限製。當然，較之Dpak，這種較短的焊接引線和無引腳結構實現了較低電感的封裝，從而有可能成倍提高最大工作頻率。
　　
QLPak 在器件組裝方麵有所突破，因為它是第一個可升級的功率封裝形式。隻需用極少的資金，就可以對QLPak組裝線進行重新配置，以生產不同封裝尺寸的器件。在深入改進方麵，飛利浦將采用無線源極接觸方法，實現低電感的LFPak。
　　
封裝尺寸更小
Trench技術的改進意味著在封裝方麵實現了非常有吸引力的 MOSFET 規格
，相對於SO8

，封裝尺寸更小。例如

，一個雙 TSSOP8 器件現在能夠具有相當於三年前兩個SO8的性能
，而其封裝尺寸隻有SO8的大約 25%！諸如 TSOP6

、SOT23、SC70等更小封裝尺寸的產品將引申出一種稱為微載體器件（MCD）的封裝概念 ，對於基本的 MOSFET 開關，還出現了芯片級封裝概念。
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功率的整合
　　
隨著封裝技術的進步
，現在已經能夠在同一封裝內集成控製IC和功率MOSFET 器件，且不需要昂貴的構造技術，也不會影響產品的成品率。以下介紹了飛利浦運用HVQFN封裝實現 PIP2xx範圍的動力傳輸和全集成降壓轉換器的實例。
　　
這些器件主要用於前麵所討論的相同負載點（PoL），它為分立的MOSFET賦予了各種不同的優點。例如，采用這種封裝的全集成降壓轉換器具有與低電流單片式功率IC相同的優點：使用方便、可(ke)及(ji)時(shi)應(ying)對(dui)市(shi)場(chang)等(deng)。集(ji)成(cheng)型(xing)功(gong)率(lv)器(qi)件(jian)的(de)成(cheng)本(ben)遠(yuan)不(bu)及(ji)分(fen)立(li)型(xing)，但(dan)與(yu)其(qi)他(ta)集(ji)成(cheng)產(chan)品(pin)相(xiang)比(bi)，如(ru)果(guo)采(cai)用(yong)如(ru)上(shang)所(suo)述(shu)的(de)基(ji)本(ben)構(gou)造(zao)，其(qi)成(cheng)本(ben)就(jiu)顯(xian)得(de)非(fei)常(chang)昂(ang)貴(gui)。
　　
如果降壓轉換器的頻率提高到1MHz甚至更高時，相對於分立產品，集成產品將顯示出明顯的性能優勢。當頻率在1MHz 及其以上時，在效率優化方麵，門- 源(yuan)環(huan)路(lu)的(de)控(kong)製(zhi)將(jiang)變(bian)得(de)特(te)別(bie)關(guan)鍵(jian)。集(ji)成(cheng)器(qi)件(jian)具(ju)有(you)完(wan)整(zheng)的(de)回(hui)路(lu)，在(zai)單(dan)一(yi)的(de)封(feng)裝(zhuang)內(nei)可(ke)以(yi)進(jin)行(xing)各(ge)種(zhong)控(kong)製(zhi)，並(bing)通(tong)過(guo)電(dian)路(lu)解(jie)敏(min)實(shi)現(xian)不(bu)同(tong)的(de)布(bu)局(ju)變(bian)化(hua)。因(yin)此(ci)，含(han)有(you)1個高端 / 低端驅動器IC和2個MOSFET的簡單產品將比任何分立解決方案的性能優越。
　　插圖說明 ：

圖1： 從未有過的小型封裝， MCD是 MOSFET 封裝的最終形式嗎?

圖2：飛利浦降壓轉換/動力傳輸集成器件的構造

圖 3： 盡管LFPak和 QLPak 的封裝區域與SO8同為 6 ′ 5 mm，但這兩種封裝之間卻存在明顯的差異，詳見下表2。

表 1：功率超時變化例子

表 2： LFPak 與 QLPak 比較