DDR測試係列之三—— 某SDRAM時鍾分析案例
發布時間:2009-12-18 來源:電子元件技術網
中心議題:
前(qian)個(ge)周(zhou)末(mo)接(jie)到(dao)了(le)一(yi)個(ge)朋(peng)友(you)的(de)電(dian)話(hua),詢(xun)問(wen)我(wo)如(ru)果(guo)內(nei)存(cun)有(you)問(wen)題(ti),需(xu)要(yao)測(ce)試(shi)哪(na)些(xie)項(xiang)目(mu)?對(dui)於(yu)這(zhe)個(ge)很(hen)常(chang)見(jian)的(de)問(wen)題(ti),我(wo)習(xi)慣(guan)性(xing)的(de)回(hui)答(da)他(ta)先(xian)測(ce)量(liang)內(nei)存(cun)時(shi)鍾(zhong)和(he)讀(du)寫(xie)時(shi)序(xu)看(kan)看(kan),然(ran)後(hou)結(jie)束(shu)了(le)通(tong)話(hua)。沒(mei)過(guo)一(yi)會(hui),我(wo)那(na)朋(peng)友(you)又(you)打(da)過(guo)來(lai),告(gao)訴(su)我(wo)他(ta)遇(yu)到(dao)一(yi)個(ge)怪(guai)事(shi),他(ta)用(yong)探(tan)頭(tou)點(dian)測(ce)內(nei)存(cun)時(shi)鍾(zhong)時(shi),係(xi)統(tong)的(de)程(cheng)序(xu)不(bu)卡(ka)了(le),可(ke)以(yi)順(shun)利(li)啟(qi)動(dong)並(bing)運(yun)行(xing)。聽(ting)到(dao)這(zhe)個(ge)描(miao)述(shu),我(wo)頓(dun)時(shi)感(gan)興(xing)趣(qu)了(le),開(kai)始(shi)仔(zai)細(xi)詢(xun)問(wen)待(dai)測(ce)試(shi)的(de)電(dian)路(lu)和(he)測(ce)試(shi)儀(yi)器(qi)。
待測試的電路板的內存控製器為A公司的ARM架構的MCU,內存為Micron的SDRAM,內存時鍾頻率為100MHz,測試儀器為某200M帶寬示波器,探頭為示波器標配的無源探頭。在以往的探頭培訓中,我曾多次給客戶講探頭的重要性,在我的幻燈片中有以下幾句話:
在把探頭連接到電路上時,可能會發生下麵三種情況:
1. 您可以把實際波形形狀傳送到示波器屏幕上。
2. 探頭可能會改變波形形狀,您會在示波器上觀察到不同形狀的信號。
3. 您可能會改變被測設備的運行(良好的設備可能會開始不能正確運行,或反之)
顯xian然ran,今jin天tian我wo這zhe位wei朋peng友you遇yu到dao的de情qing況kuang正zheng好hao滿man足zu第di三san種zhong的de最zui後hou三san個ge字zi,即ji探tan頭tou使shi運yun行xing異yi常chang的de設she備bei變bian正zheng常chang了le。如ru果guo這zhe樣yang的de情qing況kuang能neng經jing常chang發fa生sheng,想xiang必bi每mei位wei加jia班bandebug電路的工程師都可以不再苦惱,隻需一個合適的探頭就可以找到問題原因並解決問題了。
從無源探頭的原理來看,如圖1所示為常見的無源探頭的簡化電路圖,通常示波器標配的無源探頭的直流輸入電阻為10兆歐(探頭的9兆歐與示波器前端1兆歐串聯),輸入電容為10pf左右,與9兆歐電阻並聯。當待測試信號的頻率較高時,容抗隨著頻率升高而減小,所以無源探頭整體的輸入阻抗變小,當頻率為100MHz時,輸入阻抗為159歐。
回到和朋友的對話,既然無源探頭在100MHz時等效於100多歐的電阻,於是我建議他找個100歐的電阻並聯端接到內存芯片的時鍾上,即時鍾信號接100歐電阻到地。十多分鍾後,朋友告訴我並聯100歐電阻後係統正常工作了,可以結束加班了。不過從示波器僅有的200MHz帶寬來看,是根本無法準確測量100MHzdeshizhongxinhaode,suoyi,womenyuedingjitianhoubadianlubandaidaolikeshenzhendeshiyanshiyonggenggaodaikuandeshiboqijinxingceliang,zheyangkeyizhunquefenxiduanjiedianzuqianhoudeshizhongboxing。
幾天後,我們在實驗室重新測試了該係統的時鍾,測試儀器為SDA816Zi(帶寬16G,采樣率40G),探頭為ZS1500(帶寬1.5GHz)。由於待測試信號頻率僅為100MHz,所以通常1G以上示波器和探頭足以滿足需求(注:對於某些上升時間很快的時鍾,比如PCIExpress的100MHz時鍾,1GHz的帶寬是不夠的,需要更高帶寬的示波器)。下圖2左圖為未作端接時在SDRAM芯片端測量時鍾波形,右圖為靠近SDRAM顆粒並聯100歐電阻後的波形,兩者相比,前者的過衝高達7.8V,電路板不能正常工作;而後者過衝較小,電路板可以正常工作。
盡管並聯了100歐電阻後電路板能正常工作了,但是接收端測量到的峰峰值高達6.2V,對於SDRAM芯片3.3V的de工gong作zuo電dian壓ya來lai講jiang還hai是shi比bi較jiao大da的de,長chang期qi工gong作zuo可ke能neng會hui導dao致zhi內nei存cun芯xin片pian出chu問wen題ti,所suo以yi,我wo們men還hai需xu改gai進jin端duan接jie策ce略lve。在zai信xin號hao完wan整zheng性xing書shu籍ji中zhong,通tong常chang有you串chuan聯lian匹pi配pei、並聯匹配、RC網絡、戴維南網絡等端接方法,如下圖3所示。相比並聯匹配,串聯匹配不用提供DC電流到地或者電源,不會對輸出的高低電平產生影響,能減小過衝和EMI,所以我們接著嚐試串聯匹配下的信號質量。
由於電路中ARM的MCU輸出的一路100MHz時鍾要驅動兩個SDRAM芯片,布線上MCU出來的時鍾剛出來就分成兩路後連向兩個SDRAM的時鍾引腳,所以我們采用了在兩路時鍾分支上同時串聯100歐電阻加並聯10pf電容的端接方法。在PCB上割線,焊上電阻和電容後測量的結果如下圖4所示,改進後的時鍾峰峰值為3.44V,波形無過衝,信號質量良好。電路板係統運行正常。
下圖5所示為隻串聯100歐電阻時測量到的波形,信號有過衝,峰峰值為5.35V,偏大,對比圖4的端接方法,串聯電阻加上並聯電容是較好的解決方法。
總結:在這個案例中,我們得到的以下經驗:
1、 串聯匹配是較好的SDRAM的時鍾端接策略,在原理圖設計中,需要加上串聯的電阻和並聯的電容,如果MCU輸出的時鍾驅動能力弱,可以不使用並聯的電容或者換用較小的電阻。
2、 準確的測量內存時鍾需要足夠帶寬的示波器和探頭,無源探頭在高頻時阻抗太小,不能準確的測量波形,需要使用高帶寬的有源探頭。
- 無源探頭原理
- 改善SDRAM信號質量
- 串聯匹配是較好的SDRAM的時鍾端接策略
- 在原理圖設計中,需要加上串聯的電阻和並聯的電容
- 無源探頭在高頻時阻抗太小,不能準確的測量波形
- 需要使用高帶寬的有源探頭
前(qian)個(ge)周(zhou)末(mo)接(jie)到(dao)了(le)一(yi)個(ge)朋(peng)友(you)的(de)電(dian)話(hua),詢(xun)問(wen)我(wo)如(ru)果(guo)內(nei)存(cun)有(you)問(wen)題(ti),需(xu)要(yao)測(ce)試(shi)哪(na)些(xie)項(xiang)目(mu)?對(dui)於(yu)這(zhe)個(ge)很(hen)常(chang)見(jian)的(de)問(wen)題(ti),我(wo)習(xi)慣(guan)性(xing)的(de)回(hui)答(da)他(ta)先(xian)測(ce)量(liang)內(nei)存(cun)時(shi)鍾(zhong)和(he)讀(du)寫(xie)時(shi)序(xu)看(kan)看(kan),然(ran)後(hou)結(jie)束(shu)了(le)通(tong)話(hua)。沒(mei)過(guo)一(yi)會(hui),我(wo)那(na)朋(peng)友(you)又(you)打(da)過(guo)來(lai),告(gao)訴(su)我(wo)他(ta)遇(yu)到(dao)一(yi)個(ge)怪(guai)事(shi),他(ta)用(yong)探(tan)頭(tou)點(dian)測(ce)內(nei)存(cun)時(shi)鍾(zhong)時(shi),係(xi)統(tong)的(de)程(cheng)序(xu)不(bu)卡(ka)了(le),可(ke)以(yi)順(shun)利(li)啟(qi)動(dong)並(bing)運(yun)行(xing)。聽(ting)到(dao)這(zhe)個(ge)描(miao)述(shu),我(wo)頓(dun)時(shi)感(gan)興(xing)趣(qu)了(le),開(kai)始(shi)仔(zai)細(xi)詢(xun)問(wen)待(dai)測(ce)試(shi)的(de)電(dian)路(lu)和(he)測(ce)試(shi)儀(yi)器(qi)。
待測試的電路板的內存控製器為A公司的ARM架構的MCU,內存為Micron的SDRAM,內存時鍾頻率為100MHz,測試儀器為某200M帶寬示波器,探頭為示波器標配的無源探頭。在以往的探頭培訓中,我曾多次給客戶講探頭的重要性,在我的幻燈片中有以下幾句話:
在把探頭連接到電路上時,可能會發生下麵三種情況:
1. 您可以把實際波形形狀傳送到示波器屏幕上。
2. 探頭可能會改變波形形狀,您會在示波器上觀察到不同形狀的信號。
3. 您可能會改變被測設備的運行(良好的設備可能會開始不能正確運行,或反之)
顯xian然ran,今jin天tian我wo這zhe位wei朋peng友you遇yu到dao的de情qing況kuang正zheng好hao滿man足zu第di三san種zhong的de最zui後hou三san個ge字zi,即ji探tan頭tou使shi運yun行xing異yi常chang的de設she備bei變bian正zheng常chang了le。如ru果guo這zhe樣yang的de情qing況kuang能neng經jing常chang發fa生sheng,想xiang必bi每mei位wei加jia班bandebug電路的工程師都可以不再苦惱,隻需一個合適的探頭就可以找到問題原因並解決問題了。
從無源探頭的原理來看,如圖1所示為常見的無源探頭的簡化電路圖,通常示波器標配的無源探頭的直流輸入電阻為10兆歐(探頭的9兆歐與示波器前端1兆歐串聯),輸入電容為10pf左右,與9兆歐電阻並聯。當待測試信號的頻率較高時,容抗隨著頻率升高而減小,所以無源探頭整體的輸入阻抗變小,當頻率為100MHz時,輸入阻抗為159歐。

幾天後,我們在實驗室重新測試了該係統的時鍾,測試儀器為SDA816Zi(帶寬16G,采樣率40G),探頭為ZS1500(帶寬1.5GHz)。由於待測試信號頻率僅為100MHz,所以通常1G以上示波器和探頭足以滿足需求(注:對於某些上升時間很快的時鍾,比如PCIExpress的100MHz時鍾,1GHz的帶寬是不夠的,需要更高帶寬的示波器)。下圖2左圖為未作端接時在SDRAM芯片端測量時鍾波形,右圖為靠近SDRAM顆粒並聯100歐電阻後的波形,兩者相比,前者的過衝高達7.8V,電路板不能正常工作;而後者過衝較小,電路板可以正常工作。

盡管並聯了100歐電阻後電路板能正常工作了,但是接收端測量到的峰峰值高達6.2V,對於SDRAM芯片3.3V的de工gong作zuo電dian壓ya來lai講jiang還hai是shi比bi較jiao大da的de,長chang期qi工gong作zuo可ke能neng會hui導dao致zhi內nei存cun芯xin片pian出chu問wen題ti,所suo以yi,我wo們men還hai需xu改gai進jin端duan接jie策ce略lve。在zai信xin號hao完wan整zheng性xing書shu籍ji中zhong,通tong常chang有you串chuan聯lian匹pi配pei、並聯匹配、RC網絡、戴維南網絡等端接方法,如下圖3所示。相比並聯匹配,串聯匹配不用提供DC電流到地或者電源,不會對輸出的高低電平產生影響,能減小過衝和EMI,所以我們接著嚐試串聯匹配下的信號質量。

由於電路中ARM的MCU輸出的一路100MHz時鍾要驅動兩個SDRAM芯片,布線上MCU出來的時鍾剛出來就分成兩路後連向兩個SDRAM的時鍾引腳,所以我們采用了在兩路時鍾分支上同時串聯100歐電阻加並聯10pf電容的端接方法。在PCB上割線,焊上電阻和電容後測量的結果如下圖4所示,改進後的時鍾峰峰值為3.44V,波形無過衝,信號質量良好。電路板係統運行正常。

下圖5所示為隻串聯100歐電阻時測量到的波形,信號有過衝,峰峰值為5.35V,偏大,對比圖4的端接方法,串聯電阻加上並聯電容是較好的解決方法。

總結:在這個案例中,我們得到的以下經驗:
1、 串聯匹配是較好的SDRAM的時鍾端接策略,在原理圖設計中,需要加上串聯的電阻和並聯的電容,如果MCU輸出的時鍾驅動能力弱,可以不使用並聯的電容或者換用較小的電阻。
2、 準確的測量內存時鍾需要足夠帶寬的示波器和探頭,無源探頭在高頻時阻抗太小,不能準確的測量波形,需要使用高帶寬的有源探頭。
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