產品特性：

• ±0.05 ppm/°C 和 ±0.2 ppm/°C 的超低絕對TCR
• 最高可提供±0.01%的嚴格容差匹配及0.1 ppm/°C 的TCR
• 倒裝芯片接頭采用卷繞方式
  ，可減少所需的電路板空間
• 可承受高達 25kV 的靜電放電
• 電阻範圍: 1 kΩ 至 10 kΩ
• 2000 個小時保持 ±0.005% 的負載壽命穩定率

應用範圍：

• 高精度儀器放大器、橋接網絡、差分放大器及電橋電路
• 醫療、測試及軍用設備等

日前
，Vishay宣布已增強VFCD1505分壓器的功能，器件具有小於 1 秒的幾乎瞬時熱穩定時間。當溫度範圍在 0°C 至 +60°C 和 55°C 至 +125°C（參考溫度為 +25°C）時

，該器件具有 ±0.05 ppm/°C 和 ±0.2 ppm/°C 的超低絕對 TCR，在額定功率時具有 ±5 ppm 的出色 TCR 跟蹤（“自身散熱產生的 ∆R”）及 ±0.005% (50 ppm) 的負載壽命穩定率。

VFCD1505 可在同時蝕刻在公共襯底上的一塊箔上的兩個電阻間提供 ±0.01%（可低至 ±0.005 %）的嚴格容差匹配及 0.1 ppm/°C 的 TCR 跟蹤。對設計人員而言，該一體化結構的電氣特性可改進性能,並實現比分離電阻和配對設計更高的構建利用率。

VFCD1505 的de倒dao裝zhuang芯xin片pian接jie頭tou采cai用yong卷juan繞rao方fang式shi，接jie頭tou片pian位wei於yu電dian阻zu下xia方fang而er不bu是shi側ce麵mian，因yin此ci可ke最zui大da限xian度du地di減jian少shao所suo需xu的de電dian路lu板ban空kong間jian。在zai由you兩liang個ge電dian阻zu和he三san個ge接jie頭tou組zu成cheng的de分fen壓ya器qi中zhong，倒dao裝zhuang芯xin片pian分fen壓ya器qi在zai電dian阻zu下xia方fang配pei置zhi三san個ge墊dian片pian，而er不bu是shi在zai側ce麵mian配pei置zhi四si個ge墊dian片pian。倒dao裝zhuang芯xin片pian早zao期qi的de缺que點dian被bei認ren為wei是shi防fang礙ai檢jian查zha焊han流liu，但dan這zhe一yi缺que點dian後hou來lai通tong過guo采cai用yong X 光和其他更先進的技術而得以克服。

VFCD1505 具有最強的靜電放電抗擾能力
，可承受高達 25kV 的靜電放電，從而提高了產品的可靠性。在 1 kΩ 至 10 kΩ 的電阻範圍內
，分壓器兩麵均可實現規定的電阻值。與所有 Vishay 箔電阻一樣，VFCD1505 不受標準值限製，可提供“所要求”的電阻值（如 7 kΩ 及 7.6543 kΩ）
，且不會增加成本或供貨時間。

該器件的應用包括高精度儀器放大器、橋接網絡、差分放大器及電橋電路中的比例臂,以生產具有超高穩定性和可靠性的產品，例如醫療、測試及軍用設備等。可根據 EEE-INST-002 標準進行篩選 (MIL-PRF 55342)。

VFCD1505 可在溫度為 70°C 時，連續 2000 個小時保持 ±0.005% 的負載壽命穩定率；0.1W 的額定功率（由兩個電阻按其電阻值比例分攤）；小於 0.1PPM/V 的低電壓係數；小於 -40 dB的電流噪聲
；及 0.05uV/°C 的熱 EMF。該器件具有 1.0 納秒的無振鈴快速響應時間，並且采用無電感 (<0.08uH) 和無電容設計。

即使具有較低的 TCR 跟蹤，電阻比率也可能會根據絕對 TCR 發生極大變化。為了確保良好的電阻比率穩定性，設計人員應利用絕對 TCR 盡可能低的電阻
，如 VFCD1505
，該器件采用 Vishay 的突破性“Z 箔”技術製成
，極大地降低了電阻元件對外加功率變化的敏感性。

在其他技術中，如薄膜與厚膜
，即使電阻比率為 1:1
，在相同功率負載條件下，電阻對之間仍有溫差。這是由於各電阻因設計及/或製造容差產生的自身散熱，及因封裝內熱阻差異產生的傳熱不對稱所致，即使外加功率極小（接近零）也不例外。

目前
，VFCD1505 分壓器可提供樣品，並已實現量產，樣品供貨周期為 72 小時，而標準訂單的供貨周期為 3 周。