【導讀】小型化一直是多層陶瓷片式電容器(MLCC)chanpinderemenqushi。dansuoxiaochicunbingfeiyishi，tebieshixuyaokaolvdaoxuduolinjietiaojian。suiranshuzigongjukeyiweiyonghutigonghenduodexiezhu，danruguoyonghuwanquanyilaizhexiegongju

，zhuwanghuihulveyixieguanjiandejishuwenti。

多層陶瓷片式電容器(MLCC)的體積很小，有利於實現小型化。然而，考慮ESD保護

、EM幹gan擾rao和he熱re管guan理li等deng因yin素su，以yi及ji與yu這zhe些xie因yin素su相xiang關guan的de典dian型xing特te性xing和he漂piao移yi，也ye是shi很hen重zhong要yao的de。雖sui然ran越yue來lai越yue多duo的de開kai發fa人ren員yuan使shi用yong數shu字zi工gong具ju來lai簡jian化hua選xuan擇ze組zu件jian的de過guo程cheng，但dan仍reng然ran需xu要yao考kao慮lv到dao上shang述shu各ge個ge方fang麵mian，才cai能neng夠gou快kuai速su實shi現xian設she計ji目mu標biao並bing避bi免mian不bu必bi要yao的de重zhong複fu設she計ji。

首先，建議用戶在縮小尺寸時

，不要簡單地沿用MLCC的現值組合，尤其是在電容(C值)和電壓方麵，而是要根據應用的實際需求甚至單個組件的功能來做出決定。理想情況下，應當考慮供應商的首選型款。除了C值和電壓外，其他的重要數值還包括阻抗和等效串聯電阻(ESR)。

特別是對於高電容(hi-cap)器件，即C值以μF為單位的MLCCchanpin，qizhiliupianzhixiaoyingyeshixuyaokaolvdezhongyaoyinsu。zhiliupianzhishijiyushijiadezhiliudianyaerdaozhidianrongjiangdidexiaoying。zaiedingdianyaxia，dianrongyoukenengxiajiangdaobiaochengzhide20%左右，具體數值取決於組件，因此在操作期間必須注意絕對最小C值。

圖1顯示了多個直流偏置曲線示例
，表明使用較小的組件可使直流偏置率提高很多。

圖1：較小結構MLCC具有較高的直流偏置率

圖源：村田

影響直流偏置性能的另一個因素是工作溫度
，如圖2的圖表所示，對於標稱值較高的較小結構MLCC電容
，直流偏置的剩餘電容和溫度遠遠高於標稱值較低的較大結構MLCC電容。

圖2：相比較大結構電容
，較小結構電容具有更高的剩餘電容。圖源：村田

在針對標C值MLCC進行分級時，開發人員應根據基本指導數值(表1至3)進行選擇，這表示，在理想情況下應僅使用具有標準容差的首選數值。事實上
，用戶已經不用再關注Z5U和Y5V陶瓷類型電容了
，因為這類器件逐漸停產
，實際上有些已經停產了。

表1：電容分級

表2：容差代碼

表3：首選MLCC參數組合(電容>1μF：首選E3係列)

除了直流偏置問題外
，二類陶瓷電容器(如X7R 和X5R)還需要考慮溫度漂移和老化問題。

使用表4可以比較容易確定溫度漂移。例如，這個表格顯示X5RMLCC在–55°C至+85°C的溫度範圍內具有±15%的可預測溫度漂移。

表4：不同MLCC器件的溫度漂移

圖源：三星

圖3：將MLCC放置在非常高的溫度下一段時間之後，可以逆轉老化效應。圖源：三星

MLCC—它們也會老化

老化現象會導致MLCC的電容值隨著時間的推移而損失，在每個對數尺度差距(perlogarithmic decade)下的損失大約在1%到6%之間，這意味著我們可以按此估算1小時後、10小時後、100小時後的電容數值損失
，依此類推。因此，MLCC的C值越高且內層越薄，MLCC就越容易老化。也就是說
，與直流偏置和溫度漂移的影響相比
，老化基本上是可以忽略不計的因素，盡管它在測量用於容差測試的C值時發揮關鍵作用。

與生物的老化不同，MLCC器件的老化是可逆轉的。適當的加熱處理可以逆轉老化效應。為了實現去老化，MLCC組件通常會放置在+150°C溫度下1小時，然後靜置24小時。電焊操作也可以去老化。

從整體來看各種C值漂移，很明顯應該提倡使用標稱容差範圍為±10%的二類電容器，而不是標準容差範圍為±5%的
，即使一些供應商仍然提供和交付標準容差範圍為±5%dedianrongchanpin。zhehuiyinqiduiyushifouzunshourongchafanweidewuyiyibianlun。zaiceliangguochengzhong，yonghujingchangwufamanzuyouguanceliangshebeiheceliangtiaojiandeyaoqiu。liruceliangdianya(通常定義為1.0V的有效值)在測量過程中出現下降，從而導致顯示的電容值過低。

最好根據電壓要求留有餘地

指定電壓通常是直流電壓(即使沒有明確標示)。如果該數值為交流電壓則會標明，例如“250V AC”。供應商通常會在其詳細數據表或規格/應用信息中提供其他的詳細信息，例如與紋波電流或峰峰值相關的信息。需要注意的是，具有相同C值但介電強度更高(不考慮可預測性或錯誤率方麵)的MLCC往往具有更厚的內層
，從而減弱了直流偏置效應。

也就是說，一些供應商繼續為目前支持50V電壓的電容器提供較低電壓規格。在這兩種情況中，規格超過電壓要求都不是問題
，例如
，對於16V電壓要求，可以使用指定規範電壓為25 V或50 V的MLCC電容器。

除了此處考慮的基本參數外，在選擇MLCC組件時還有許多其他方麵的因素
，例如，取決於應用和使用領域的所需質量水平或特性。此類特性可能包括汽車等級要求(通常符合AEC-Q200標準)或軟端接要求(也稱為flexiterm
、抗撓裂
、樹脂外部電極和聚合物端接，以及其他類似表達)
，可以防止在彎曲PCB時形成明顯可見的裂縫(圖4)。

圖4：具有特定屬性的MLCC可以滿足特殊要求

圖源：村田

實現小型化的動力

小型化背後的動機還有其他含義；雖然業界一直推動現代電子產品提供越來越多的性能以滿足要求，這日益限製了PCB上的空間，然而，現今推動小型化的主要因素更有可能是供貨和成本效益(圖5)，youqishizaigongyingshangzhijian。duiyukaifarenyuanlaishuo
，zheyiweizhetamenyuelaiyuexuyaoshiyinggongyingshangdebufa
，ruguotamenxiangbaochilinghuoxinghechengbenxiaoyi，jiubixuliuchuzugoudeyudi，yibianzaixuyaoshikezhaodaotidaipin，ershuanglaiyuancaigoushishixianzheyimubiaodeguanjian。zaichongmantiaozhandeshichangtiaojianxiayouqiruci，zhezhongqingkuangzongshihuichuxian
，jishizhishizanshide。

圖 5：各種結構尺寸MLCC電容的成本效益比較

圖源：威世

(本文作者係儒卓力陶瓷電容器技術支持Jürgen Geier）

免責聲明：本文為轉載文章，轉載此文目的在於傳遞更多信息
，版權歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權問題，請聯係小編進行處理。

推薦閱讀：

在DC/DC電源下方鋪銅是否有益？

如何使用DMA在低功耗可穿戴設備中加快外設監測

強魯棒性低側柵極驅動電路設計指南

集成1700V SiC MOSFET車規高壓開關不僅是多個第一

SiC MOSFET模塊的硬並聯