先上電路圖：
先談談PCBLAYOUT注意點：

大家都知道，EMC對地線走線畢竟有講究，針對PSR的初級地線，可以分為4個地線，如圖中所標示的三角地符號。這4個地線需采用“一點接地”的布局。
1.C8的地線為電源輸入地。
2.R5的地為功率地。
3.C2的地為小信號地。
4.變壓器PIN3的地為屏蔽地。

這4個地的交接點為C8的負端，即：輸入電壓經整流橋後過C1到C8地
，R5和變壓器PIN3的地分別采用單獨連線直接引致C8負端相連
，連線盡量短；R5地線因考慮到壓降和幹擾應盡量寬些。

C5,R10,U1PIN7和PIN8地線彙集致C2負端再連接於C8負端。
若為雙麵板，以上4條地線盡量不要采用過孔連接，不得以可以采用多個過孔陣列以減小過孔壓降。
以上地線布局恰當，產品的共模幹擾會很小。
因PSR線路負載時工作在PFM狀態下的DCM模式
，DI/DT的增大和頻率的提升，所以較難處理的是傳導150K~5M差模幹擾。
就依圖從左到右針對有影響EMC的元件進行逐個分析。
[page]
1.保險絲

將保險絲換用保險電阻理論上來講對產品效率是有負麵影響的，但實際表現並不明顯，
所以保險絲可以采用10/1W的保險電阻來降低150K附近的差模幹擾，對通過5級能耗並無太大影響，且成本也有所降低。

2.C1,L2,C8

PSR工作在DCM模式
，相對而言其輸入峰值電流會大很多，所以輸入濾波很重要。
峰值電流的增大會導致低壓輸入時母線電壓較低，且C8的溫升也會增加；
為了提高母線電壓和降低C8的溫升，需提高C1的容量和使用LOWESR的C1和C8。
因為提高C1的容量後，C1和C8的工作電壓會上升
，在輸出功率不變的情況下，輸入的峰值電流就會降低。
因L2的作用
，實際表現為增加C1的容量比增加C8的容量抑製EMC會更有效。
一般取C1為6.8uF，C8為4.7uF效果較好，若受空間限製，采用8.2u與3.3u也比采用2個2.7u的EMC抑製效果好。
L2一般從成本考慮采用色環電感
，因色環電感的功率有限，電感量太大會嚴重影響效率，一般取330u~2mH,
2mH是效率影響開始變得明顯，330u對差模幹擾的作用不夠分量，為了使效率影響最低且對差模幹擾抑製較佳
，建議采用1mH。
因為“一點接地”的布局彙集點在C8的負端，在C8負端輸入電流的方向是經過C1和BD1流回輸入端，根據傳導測試的原理
，這樣產生消極影響，所以需在C1與C8的地線上作處理
，有空間的可以再中間增加磁珠跳線，空間受限可以采用PCBlayout曲線來實現，雖然效果會弱些，但相比直線連接會改善不少。

3.R6,D2,R2,C4

RCD吸收對EMC的影響大家都應該已經了解，這裏主要說下R6與D2對EMC的影響。
R6的加入和D2采用恢複時間較慢的1N4007對空間輻射有一定的負作用，但對傳導有益。
所以在整改EMC時此處的修改對空間輻射與傳導的取舍還得引起注意。

4.R5

R5既為電流檢測點也是限功率設置點。
所以R5的取值會影響峰值電流也會影響OPP保護點。
建議在OPP滿足的情況下盡量取大些。
一般不低於2R
，建議取2.2R。
[page]
5.R4,R10,D3,R3,C2

在前部分有提到VCC電壓的升高對EMC有惡性影響。因IC內部的檢測有采用積分電路，所以當VCC電壓設置過高，就需要更長的積分時間
，在周期不變的情況下，TON的時間就會增加
，輸出功率不變的情況下MOS的峰值電流就會增加
，在RCD和D4的吸收R7,C11上的峰值都會增加
，且D3,R3,C2也對VCC有下拉和吸收作用，會使輸出電壓的過衝加劇
，同時影響延時檢測的開啟時間。這一係列的變化對EMC的影響是不可忽視的。

根據經驗，結合變壓器漏感考慮
，VCC電壓在滿載事最大值不宜超過19V，所以為使空載時VCC不至於太低導致蕩機，建議VCC電壓設計在15V，變壓器漏感最大不宜超過15%.

6.C5

C5是IC內部延時檢測補償設置端。C5dequzhidalehuidaozhidianyajiancedezhouqijiachang，xiaolehuidaozhidianyajiancedezhouqibianduan。jiancezhouqidebianhuahuiyingxiangdianyadecaiyanglv，yejiuhuiyingxiangzhenggechanpingechudedianliuwenbo，duiEMC也會造成一定影響
，一般選取0.01~0.1uF。

7.C3,C7

前麵提到C3和C7的容量取值對輸出電壓過衝的抑製作用和維持產品的穩定性。但C3,C7的容量也不是越大越好
，它會對EMC起消極作用。C3,C7容量的加大同樣會導致第5點講到的峰值電流加大
，所以不能盲目選擇。

對PSR原邊反饋控製開關電源的設計和調試經驗講解到此就告一段落了，希望能給大家的實際設計帶來幫助。

相關閱讀：
開關電源設計必看！盤點電源設計中最常用的計算公式
http://0-fzl.cn/power-art/80021732
低EMI、高效的零電壓開關反激式開關電源設計
http://0-fzl.cn/power-art/80021603
半橋式變壓器開關電源參數計算
——陶顯芳老師談開關電源原理與設計
http://0-fzl.cn/power-art/80021940
大牛獨創（五）：反激式開關電源設計方法及參數計算
http://0-fzl.cn/power-art/80021975