【導讀】TLVR 結構是一種有效的實現方式，可在多相 VR 的負載瞬變期間加速動態響應。

TLVR 結構
　　

TLVR 結構是一種有效的實現方式
，可在多相 VR 的負載瞬變期間加速動態響應。

如圖 1 所示
，TLVR 結構利用 TLVR 電感器取代傳統多相 VR 中的輸出電感器。TLVR 電感器可以看作是具有初級和次級繞組的 1：1 變壓器。所有 TLVR 電感器都通過連接所有 TLVR 電感器的次級繞組進行耦合。TLVR 電感器次級側的電流 I立法會
，由所有不同相位的控製信號決定。由於耦合效應，一旦 VR 的一相的占空比發生變化以響應負載瞬態，所有相的輸出電流可以同時上升或下降。這就是為什麼 TLVR 結構可以實現出色的負載瞬態性能。

　　圖 1.（a） 沒有 TLVR 結構的傳統多相 VR 的電路圖和 （b） 有 TLVR 結構的多相 VR 的電路圖。圖片由 Bodo's Power Systems 提供

基於 Transformer 的 VR
　　

基於 Transformer 的 VR 一直是各種微處理器的有競爭力的電源解決方案。基於變壓器的 VR 配備降壓變壓器，具有高而靈活的降壓比
、簡單緊湊的結構
、高效率等特點。與無變壓器多相 VR 不同，基於變壓器的 VR 允許更高的輸入電壓
，為簡化 VR 設計和實現更高的效率開辟了一個全新的世界。

圖 2 顯示了基於 transformer 的 VR 的一個代表性示例的電路圖。VR dianlujuyouyigedaiyoulianggecijiraozudejiangyabianyaqi
，cijiceyouyigedianliubeizengqijiegou。keyishejigengduodecijiraozuyishixiangenggaodeshuchudianliuhegonglvmidu，bingqiecijicebuxuyaoewaidekongzhixinhao。tongguoshidangdekongzhidianluhecelve，tu 2 中的多個示例 VR 電路可以並聯連接
，為各種高性能微處理器提供所需的電流。因此
，圖 2 所示的 VR 電路是本文中的一個示例。

　　圖 2.一個基於 transformer 的 VR 示例的電路圖。圖片由 Bodo's Power Systems 提供

TLVR 結構在基於 Transformer 的 VR 中的優勢
　　

TLVR 結構可以顯著加速 VR 的動態響應，在負載瞬變期間無需任何降壓變壓器。然而，這種卓越的動態性能伴隨著許多挑戰。無需任何降壓變壓器，這些無變壓器 VR 通常在 TLVR 電感器的初級和次級側以低占空比和高電壓工作。TLVR 電感器次級側的高電壓秒級導致 TLVR 電感器次級側產生高循環電流，並在穩態運行期間產生額外的功率損耗。如圖 1b 所示
，應增加一個額外的電感器 Lc 以限製 TLVR 電感器次級繞組中的循環電流。1 額外的電感器進一步增加了係統損耗和成本。
　　

在基於 transformer 的 VR 中引入 TLVR 結構時，可以順利解決 TLVR 結構帶來的挑戰。通過將 TLVR 結構與降壓變壓器相結合
，由於主變壓器的高降壓比，TLVR 結jie構gou的de缺que點dian變bian得de不bu那na麼me明ming顯xian。同tong時shi，仍reng然ran可ke以yi實shi現xian極ji快kuai的de動dong態tai響xiang應ying，因yin為wei耦ou合he效xiao應ying推tui動dong所suo有you相xiang的de電dian流liu在zai負fu載zai瞬shun態tai期qi間jian同tong時shi響xiang應ying。由you於yu采cai用yong降jiang壓ya變bian壓ya器qi
，施shi加jia到dao TLVR 電感器上的電壓降低，從而降低了電感器損耗。TLVR 電(dian)感(gan)器(qi)次(ci)級(ji)側(ce)所(suo)需(xu)的(de)附(fu)加(jia)電(dian)感(gan)器(qi)的(de)電(dian)感(gan)值(zhi)可(ke)以(yi)低(di)得(de)多(duo)。事(shi)實(shi)上(shang)，通(tong)過(guo)利(li)用(yong)寄(ji)生(sheng)電(dian)感(gan)，可(ke)以(yi)消(xiao)除(chu)額(e)外(wai)的(de)電(dian)感(gan)，以(yi)及(ji)電(dian)感(gan)帶(dai)來(lai)的(de)進(jin)一(yi)步(bu)損(sun)耗(hao)和(he)成(cheng)本(ben)。此(ci)外(wai)
，與(yu) TLVR 電感器和附加電感相關的絕緣問題不再是一個問題。
　　

具有靈活 TLVR 結構的基於 Transformer 的 VR
　　

在具有 TLVR 結構的基於變壓器的 VR 中，電路中的所有輸出電感都被 TLVR 電感取代。此外，在基於 transformer 的 VR 中應用 TLVR 結構時，可以實現兩種類型的實現，這在實現此結構時提供了極大的靈活性。圖 3 顯示了兩種實現方式的電路圖
，使用圖 2 中所示的兩個 VR 模塊並聯連接。圖 3a 中的實現稱為串聯，因為 TLVR 電感器的所有次級繞組都是串聯的。圖 3b 所示的另一種實現稱為 串-並行連接。在模塊 1 中
，L11 和 L12 的次級繞組在與 L13 和 L14 的次級繞組的串聯並聯之前串聯。模塊 1 中 TLVR 電感器的次級繞組的這種連接終與模塊 2 中的對應連接串聯
，如圖 3b 所示。同樣，當兩個以上基於 transformer 的 VR 模塊並聯時
，可以實現圖 3 中具有 TLVR 結構的兩個實現。
　　

設計和實現中增強的靈活性不會增加控製複雜性。相同的控製方案適用於具有 TLVR 結構的基於 transformer 的 VR 的兩種實現。這裏以基於 transformer 的 VR 為例，其中三個模塊並聯。在不同 VR 模塊的控製信號之間插入相移。在模塊 1 和模塊 2 之間插入的相移為 60°，在模塊 2 和模塊 3 的控製信號之間插入 60° 的相移。如果 N 個模塊並聯
，則兩個相鄰模塊之間插入的相移為 180°/N。

施加到所有 TLVR 電感器的電壓都可以根據建議的控製方案得出。圖 4 總結了兩個並聯模塊的基於變壓器的 VR 中所有 TLVR 電感的電壓波形。由於圖 3 中的兩種類型的實現具有相同的控製信號，因此電感電壓波形也相同。還可以觀察到 L11 和 L13 具有相同的電壓波形，L12 和 L14 就是這種情況。這些電感電壓波形有效地解釋了為什麼圖 3b 中的串並聯連接是合法的。TLVR 電感器次級側的電流 I秒，在主降壓變壓器初級側的 MOSFET 開關頻率為 4× 時具有高頻紋波。當 N （N > 2） 模塊並聯時


，電流紋波 I秒將處於更高的頻率（開關頻率× 2N）
，並且 I 的幅度秒可以進一步減少。因此，所提出的帶移相的控製方案不僅可以減小輸出電壓紋波，而且可以有效抑製I的紋波秒;因此，TLVR 電感器次級側的傳導損耗。

　　圖 3.兩個基於 TLVR 結構的基於並聯變壓器的 VR 模塊的兩種實現方式：（a） 串聯連接和 （b） 串並聯連接。圖片由 Bodo's Power Systems 提供 

在具有 TLVR 結構的基於變壓器的 VR 中不需要額外的電感器。此外，還消除了額外電感帶來的額外成本和損耗，大大提高了係統的效率和成本。由於變壓器降壓比高（小 n），與采用 TLVR 結構的無變壓器 VR 相比，TLVR 電感器的電壓顯著降低。因此，無需在 TLVR 電感的次級側引入額外的補償電感 Lc 來抑製電流紋波。有關 TLVR 電感電壓的詳細信息，請參見圖 4。在這種情況下
，電路中的寄生電感和 TLVR 電感器的漏感在塑造 TLVR 電感器次級側的電流 I 中起著關鍵作用秒.為了進一步改善負載瞬態期間的動態性能
，降低 TLVR 電感器次級側的漏感和寄生電感非常重要。

　　圖 4.具有 TLVR 結構的基於變壓器的 VR 模塊（兩個模塊並聯）中 TLVR 電感器的電壓和次級電流波形。圖片由 Bodo's Power Systems 提供

原型和實驗結果
　　

設計和構建了具有 TLVR 結構的基於 transformer 的 VR 模塊的兩種實現方式
，包括串聯連接和串並聯連接版本。圖 5a 顯示了典型 TLVR 電感的 3D 模型。構建的模塊原型如圖 5b 所示。兩個版本的大小與沒有 TLVR 結構的版本相同。換句話說，采用 TLVR 電感器來實現 TLVR 結構，無論是串聯連接還是串並聯連接，都不會增加 VR 模塊的尺寸。
　　

具有 TLVR 結構的基於變壓器的 VR 的極快負載瞬態性能已在構建的原型中成功證明。實驗裝置由兩個並行運行的 VR 模塊組成，如圖 5b 所示。TLVR 電感器的次級側沒有安裝額外的電感器。負載瞬態介於 20 A 和 170 A 之間
，轉換速率為 125 A/μs。圖 6 所示的基線比較清楚地說明了具有 TLVR 結構的基於變壓器的 VR 具有出色的負載瞬態響應


，其中以串並聯連接版本為例。為了公平地進行比較
，沒有 TLVR 結構的情況是通過斷開 TLVR 電感器次級側的連接來實現的。當負載電流從 20 A 上升到 170 A 時，采用 TLVR 結構的基於變壓器的 VR 可以快速調節輸出電壓，峰峰值電壓紋波要低得多。

經過進一步改進

，采用 TLVR 結構的基於變壓器的 VR 實現了極快的負載瞬態響應。詳細的瞬態波形如圖 7 所示。在 20 A 至 170 A 的相同瞬態下，由於 TLVR 結構帶來的極快響應，峰峰值輸出電壓紋波僅為 23.7 mV。采用 TLVR 結構大幅加速了動態響應
，峰峰值輸出電壓紋波降低了 62%。測得的 115 kHz 高控製帶寬也證明了 TLVR 結構實現了極快的負載瞬態響應。表 1 總結了詳細的比較。

　　圖 5.（a） TLVR 電感器的 3D 模型和 （b） 兩個基於變壓器的 VR 原型，TLVR 結構在演示板上並聯。圖片由 Bodo's Power Systems 提供 [PDF]

表 1.具有 TLVR 結構和無 TLVR 結構的基於 transformer 的 VR 之間的動態響應比較。
　　

結構采用 TLVR 結構無 TLVR 結構
　　

輸出電容15.2 毫法郎15.2 毫法郎
　　

電壓紋波 （pk-pk）23.7 毫伏62 毫伏
　　

控製帶寬115 kHz45 赫茲

相位裕量69°40.7°

　　圖 6.基於變壓器的 VR 與 TLVR 結構和無 TLVR 結構的負載瞬態響應比較。圖片由 Bodo's Power Systems 提供

　　圖 7.具有 TLVR 結構的基於變壓器的 VR 的極快負載瞬態響應。圖片由 Bodo's Power Systems 提供 [PDF]

基於變壓器的穩壓器研究
　　

為了進一步展示基於 transformer 的 VR 與 TLVR 結構相結合的好處，本節根據實際應用的規範介紹了基於 transformer 的 VR 研究。實施和測試了帶和不帶 TLVR 結構的基於 Transformer 的 VR 解決方案，以提供 0.825 V/540 A 的電源軌。表 2 總結了規格和測試結果的詳細信息。具有相當的相位裕量和增益裕量，采用 TLVR 結構的基於變壓器的 VR 解決方案比沒有 TLVR 結構的 VR 解決方案實現了 61% 的控製帶寬。因此，再次證明了 TLVR 結構實現的極快瞬態，如圖 8 所示。峰峰值輸出電壓紋波僅為 40.92 mV，低於 0.825 V 輸出電壓的 5%。
　　

在節省 39% 的輸出電容後
，與沒有 TLVR 結構的 VR 解決方案相比，采用 TLVR 結構的 VR 解決方案仍然實現了低得多的峰峰值電壓紋波。因此，輸出電容的數量減少了 27%，從而大大減小了係統解決方案的尺寸。由於 TLVR 結構實現了快速瞬態響應，輸出電容器的成本可以降低 43%。
　　

通常，具有極快動態響應的 TLVR 結構的基於變壓器的 VR 可以有效降低輸出電容，同時在快速負載瞬變期間保持低輸出電壓紋波。此外，在具有 TLVR 結構的基於變壓器的 VR 中不需要額外的電感器。因此，具有 TLVR 結構的基於變壓器的 VR 解jie決jue方fang案an可ke以yi顯xian著zhu減jian小xiao總zong解jie決jue方fang案an尺chi寸cun，並bing大da幅fu降jiang低di解jie決jue方fang案an成cheng本ben
，尤you其qi是shi輸shu出chu電dian容rong器qi的de成cheng本ben。兩liang種zhong可ke供gong使shi用yong的de實shi施shi方fang式shi進jin一yi步bu帶dai來lai了le極ji大da的de靈ling活huo性xing;同時，控製複雜性不會增加。

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