【導讀】在電子工程領域

，向更高工作電壓發展的趨勢是由各種應用中對提高效率和功率密度的需求所推動的。氮化镓（GaN）技術正作為一種強大的解決方案來滿足這些需求。

在電子工程領域，向更高工作電壓發展的趨勢是由各種應用中對提高效率和功率密度的需求所推動的。氮化镓（GaN）技術正作為一種強大的解決方案來滿足這些需求。

在工業環境中，內部電壓軌也在向上發展。這些更高的電壓對於在電機驅動、壓縮機和大型HVAC係統等應用中提供更高功率至關重要。

新興經濟體的消費者和工業部門快速增長，麵臨電網不穩定的挑戰。電壓波動和線路膨脹（經常由於老化基礎設施而加劇）對電子係統構成了重大威脅。

矽器件在高壓環境中的挑戰

所有功率器件都有定義的操作限製。例如

，725 V的矽MOSFET通常可以安全工作到650 V，並降額到725 V。長期暴露在高於725 V的電壓下會導致雪崩擊穿，導致局部加熱和潛在的結構損壞。電壓尖峰（如閃電襲擊或電源接線錯誤）和電網不穩定導致的線路膨脹可以將這些器件推向極限，導致災難性故障。

PowiGaN技術在高壓應用中的優勢

相比之下，PowiGaN器件不表現出矽器件固有的雪崩擊穿機製。它們的內部級聯結構和高擊穿電壓（通常是額定電壓的兩倍以上）使(shi)它(ta)們(men)能(neng)夠(gou)承(cheng)受(shou)高(gao)電(dian)壓(ya)尖(jian)峰(feng)和(he)長(chang)期(qi)的(de)線(xian)路(lu)膨(peng)脹(zhang)。這(zhe)些(xie)器(qi)件(jian)在(zai)電(dian)壓(ya)尖(jian)峰(feng)期(qi)間(jian)會(hui)暫(zan)時(shi)增(zeng)加(jia)電(dian)阻(zu)，稍(shao)微(wei)降(jiang)低(di)效(xiao)率(lv)，但(dan)能(neng)迅(xun)速(su)恢(hui)複(fu)而(er)不(bu)會(hui)對(dui)性(xing)能(neng)產(chan)生(sheng)明(ming)顯(xian)影(ying)響(xiang)。即(ji)使(shi)在(zai)多(duo)個(ge)尖(jian)峰(feng)事(shi)件(jian)或(huo)長(chang)期(qi)膨(peng)脹(zhang)下(xia)，PowiGaN器件仍能保持安全有效的操作而不會退化。

PowiGaN在未來高壓應用中的作用

Power Integrations最近推出的1250 V PowiGaN器件標誌著一個重要的進步。該器件允許1000 V的操作峰值並具有顯著的降額，提供了對電網不穩定和電力幹擾的強大保護。這些器件現在正在進入傳統上由碳化矽（SiC）器件主導的領域，擴大了它們的應用範圍。

總之，在當前市場中，PowiGaN技術在麵對電網不穩定時具有顯著優勢。它確保在不斷擴大的消費市場中提供高質量、可靠的產品。此外
，PowiGaN的強大級聯結構和更高電壓應用的潛力使其成為未來電力電子領域的關鍵參與者。

文章來源：PI電源芯片

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