本屆研討會特邀報告

 

Tutorial 專題講座

題目：開關電源高頻下磁元件的機會與對策

時間：2021-9-10 

演講人：陳為，教授&博士

福州大學，中國

概述：cixingyuanjianjishuduigonglvbianhuanqidegexiangzhibiaodouyouguanjianyingxiang
，suizhebianhuanqigongzuopinlvdebuduantigao
，ciyuanjianjishudezhongyaoxingrixiantuchu。baogaojiangjieshaogaopingonglvdiancijishudeyanjiuneirong、主要技術瓶頸、對策以及技術和產品的發展趨勢，包括磁芯損耗
，繞組損耗，電磁幹擾
，平麵化和集成化磁性元件以及功能參數測試等方麵。

 

Keynote 主題演講

（一）題目：華為數字能源十大技術趨勢

時間：2021-9-9

演講人：張曉飛，博士

華為數字能源，中國

概述：zaiyongbaobiangedeyujingxia
，nengyuanchanyeqianxinglushangruhecainengshaozouwanlu，naizhibimiannanyuanbeizhe？zhaozhunjishufangxiangshiguanjian。jiyuzaishuzihenengyuanliangdalingyudechixushengeng
、技術創新和深厚積累，華為數字能源技術領域瞄準了十大技術趨勢：“CDE的極致要求”“100%新能源並網”“極速

、自由‘無感’充電”“第三代半導體加速替代矽器件”“安全的儲能係統”“配電電力電子化”“EV多融合”“熱管理智能化”“AI不可獲取”“綜合智慧能源”，這“十大趨勢”涉及到能源領域轉型升級的方方麵麵
，將會引領數字能源的技術新格局。

 

（二）題目：雙柵結構中SiC FET的電路保護

時間：2021-9-10

演講人：Anup Bhalla, V.P. Engineering

United Silicon Carbide Inc.

，美國

概述：Interest in solid state circuit breakers and solid state power controllers has grown rapidly in recent years. SiC JFETs have long been considered ideal devices for this application, given their ability to have low on-state resistance, without compromising their ability to limit current when needed. We examine the use of normally-off SiC FETs in a dual gate configuration to simplify the development of high current circuit breakers.

 

（三）題目：數據中心係統節能解決方案的挑戰和最新進展

時間：2021-9-11

演講人：章進法，博士

台達電子

，中國

概述：隨(sui)著(zhe)數(shu)字(zi)化(hua)轉(zhuan)型(xing)和(he)數(shu)據(ju)服(fu)務(wu)的(de)需(xu)求(qiu)持(chi)續(xu)增(zeng)加(jia)，數(shu)據(ju)中(zhong)心(xin)對(dui)電(dian)力(li)的(de)需(xu)求(qiu)持(chi)續(xu)提(ti)升(sheng)，電(dian)力(li)消(xiao)耗(hao)的(de)費(fei)用(yong)也(ye)已(yi)成(cheng)為(wei)係(xi)統(tong)運(yun)營(ying)的(de)主(zhu)要(yao)成(cheng)本(ben)。因(yin)此(ci)
，如(ru)何(he)提(ti)高(gao)電(dian)能(neng)使(shi)用(yong)效(xiao)率(lv)和(he)係(xi)統(tong)整(zheng)體(ti)電(dian)能(neng)轉(zhuan)換(huan)效(xiao)率(lv)已(yi)成(cheng)為(wei)數(shu)據(ju)中(zhong)心(xin)設(she)計(ji)的(de)重(zhong)要(yao)驅(qu)動(dong)力(li)。報(bao)告(gao)將(jiang)探(tan)討(tao)數(shu)據(ju)中(zhong)心(xin)從(cong)係(xi)統(tong)電(dian)源(yuan)架(jia)構(gou)到(dao)機(ji)架(jia)電(dian)源(yuan)架(jia)構(gou)的(de)節(jie)能(neng)解(jie)決(jue)方(fang)案(an)，以(yi)及(ji)主(zhu)板(ban)高(gao)效(xiao)率(lv)和(he)高(gao)密(mi)度(du)電(dian)源(yuan)解(jie)決(jue)方(fang)案(an)所(suo)麵(mian)臨(lin)的(de)挑(tiao)戰(zhan)和(he)最(zui)新(xin)的(de)技(ji)術(shu)進(jin)展(zhan)。

 

 

Best of PCIM Europe Digital Days 2021題目

 

●All SiC Module with 1700V Rated 2nd Generation Trench Gate SiC-MOSFETs

●Comparison of Three Methods Gate Bias Reduction, Series Ballast Resistor and BaSIC(EMM) to Improve Short Circuit Capability of 1.2 kV SiC Power MOSFETs

●Enhancement of Switching Performance and Output Power Density in 3.3 kV Full SiC Power Module

●Active Short Circuit Capability of Half-Bridge Power Modules Towards E-Mobility Applications

●Measures to Improve Efficiency, Peak Power Density and Current Density in an Automotive SiC Drive Train Inverter – Sensitivity Analysis of Design Parameters

●Evaluation of Quasi 2-level Modulation for MV Applications

●New Multi-Level Multiplexed Power Converter Topology for Medium-Voltage Power Drives

●Ideal Flyback Topology

 

 

回顧PCIM Asia 2020國際研討會

 

上屆PCIM Asia國際研討會共吸引298名現場聽眾和144名線上聽眾參與，以演講或牆報陳述形式共發表61篇學術論文。焦點議題涵蓋電力電子領域的熱點話題
、前沿技術、最新科研成果和行業發展前景。

 

 

PCIM Asia國際研討會彙聚世界各地的行業人士積極參與。上屆研討會迎來67名演講者
，分別來自德國、韓國
、加拿大
、美國、日本、瑞士
、台灣、希臘
、英國
、中國等國家和地區。其中39名演講者來自ABB Power Grids、Analog Devices、中車集團、台達電子
、富士電機、英飛淩、三菱電機、賽米控
、安森美半導體和Power Integrations等企業，其餘28名演講者分別來自清華大學
、謝菲爾德大學
、大阪大學、多倫多大學、塞薩洛尼基亞裏斯多德大學和上海大學等學術機構。

 

 

本屆PCIM Asia將首次在深圳國際會展中心舉行，由廣州光亞法蘭克福展覽有限公司、上海浦東國際展覽公司和德國美賽高法蘭克福展覽有限公司聯合舉辦。

掃碼報名，保留參會席位！

 

 

組團參會
，請直接聯係PCIM Asia 會務組：

Zoey Lin 林小姐

電話：+86 20 3825 1558 ext 246

www.pcimasia-expo.com.cn