快速瞬態響應和超低EMI

 

針對特定的應用，隻需采用兩個外部組件（VC引腳上的一個電阻器和一個電容器）以優化LT8646S的瞬態響應。圖3示出了5V/8A輸出LT8646S解決方案，圖4則顯示了采用優化補償所實現的負載瞬態響應。

　　

圖3.超低EMILT8646S5V、8A降壓型轉換器（擴展頻譜模式被啟用）。

　　

圖4.LT8646S12V至5V
、2A負載階躍瞬態響應（圖3所示設計，fSW=2MHz）。

 

在該解決方案中，開關頻率被設定在2MHz，因而允許使用一個小的1μH電感器。另外
，LT8645S/LT8646S還hai可ke在zai過guo載zai或huo短duan路lu情qing況kuang下xia安an全quan地di承cheng受shou電dian感gan器qi飽bao和he
，這zhe得de益yi於yu高gao速su峰feng值zhi電dian流liu模mo式shi架jia構gou。因yin此ci
，不bu必bi為wei了le應ying對dui過guo流liu瞬shun變bian而er使shi用yong過guo大da的de電dian感gan器qi，除chu非fei必bi需xu防fang止zhi出chu現xian持chi續xu時shi間jian很hen長chang的de過guo載zai或huo短duan路lu。

 

LT8645S/LT8646S均采用一種SilentSwitcher2架構，此架構結合了分離的熱環路和集成化旁路電容器。因此，EMI性能對電路板布局是不敏感的

，從而在那些要求超低EMI的設計中解除了工程師的這一設計擔憂。圖5給出了采用圖3所示解決方案時的CISPR25輻射EMI測試結果。利用鐵氧體磁珠和電容濾波器，電路能夠滿足嚴格的CISPR25Class5限製。

　　

圖5.圖3所示設計的LT8646SCISPR25輻射發射測試結果（14V輸入至5V/4A輸出，fSW=2MHz）。

 

小的最短導通時間和高降壓比

 

LT8645S和LT8646S具有僅40ns的最短導通時間，因而使其能支持高降壓比，甚至在2MHz的高開關頻率條件下也不例外。例如
，在2MHz頻率下將48V轉換至5V需要52ns的導通時間
，這是采用大多數轉換器都做不到的。該降壓比通常將要求工程師選擇一款兩級轉換器（具有一個中間電壓）

，但是，LT8645S和LT8646S單片式穩壓器則皆能單獨完成此轉換，從而降低了電源尺寸和複雜性。

 

圖6示出了一款用於達30V之輸入的1.8V/8A輸出解決方案，其采用了工作在1MHz開關頻率的LT8645S。如果跳過某些開關周期是可以接受的
，那麼輸入可升高至65V的絕對最大額定值。當輸出低於3.1V時，LT8645S的BIAS引腳可連接至一個高於3.1V（即3.3V或5V）的外部電源，以改善效率。

　　

圖6.穿越65V輸入瞬變過程運行的LT8645S1MHz1.8V/8A應用電路。

 

LT8645S和LT8646S8A同步超低EMI單片式開關穩壓器可提供小型6mmx4mmLQFN封裝。其獲專利的SilentSwitcher2架構可實現相當低的EMI輻射、高效率和緊湊的解決方案占板麵積。輸入可以高達65V。40ns的最短導通時間提供高降壓比，實現了直接低電壓輸出，不需要兩級轉換。