MOS管

 

MOS管即MOSFET，中文名金屬氧化物半導體絕緣柵場效應管。其特性，輸入阻抗高、開關速度快、熱穩定性好
、電壓控製電流等特性。

 

 

IGBT管

 

IGBT中文名絕緣柵雙極型場效應晶體管，是MOS管與晶體三極管的組合，MOS是作為輸入管
，而晶體三極管作為輸出管。於是三極管的功率做的挺大
，因此兩者組合後即得到了MOS管的優點又獲得了晶體三極管的優點。

 

 

zongshangsuoshudeliangzhongjingtiguan，shimuqiandianzishebeishiyongpinlvhengaodedianziyuanqijian，liangzhezaiwaixingjijingtaicanshujiqixiangsi，mouxiedianzichanpinshicunzaijishulongduan
， 在(zai)電(dian)路(lu)中(zhong)有(you)時(shi)它(ta)們(men)的(de)型(xing)號(hao)是(shi)被(bei)擦(ca)掉(diao)的(de)，截(jie)止(zhi)目(mu)前(qian)
，它(ta)們(men)在(zai)命(ming)名(ming)標(biao)準(zhun)及(ji)型(xing)號(hao)統(tong)又(you)沒(mei)有(you)統(tong)一(yi)標(biao)準(zhun)，而(er)外(wai)型(xing)及(ji)管(guan)腳(jiao)的(de)排(pai)列(lie)相(xiang)似(si)，根(gen)本(ben)無(wu)規(gui)律(lv)可(ke)循(xun)
，成(cheng)為(wei)維(wei)修(xiu)過(guo)程(cheng)中(zhong)的(de)攔(lan)路(lu)虎(hu)，如(ru)何(he)區(qu)分(fen)和(he)判(pan)斷(duan)成(cheng)為(wei)必(bi)要(yao)手(shou)段(duan)。

 

MOS管和IGBT管的辨別

 

帶阻尼的NPN型IGBT管與N溝道增強型MOMS管的識別帶阻尼的NPN型IGBT管與N溝道增強型MOMS管它們的柵極位置一樣，IGBT管的C極位置跟MODS管的D極位置相對應，IGBT管的e極位置跟MODS管的S極位置相對應，對它們的好壞判斷及及區分可以用動靜態測量方法來完成。

 

一、靜態測量判斷MOS管和IGBT管的好壞

 

先將兩個管子的管腳短路放掉靜電，MOS管的D極與S極之間有個PN接
，正向導通反向截止，於是有Rgd=Rgs=Rds=無窮大

，Rsd=幾千歐。IGBT管的G極到c
、e極的電阻應為無窮大，即Rgc=Rge=無窮大
，而IGBT管的之間有阻尼二極管的存在，因此具有單向導電反向截止特性，即Rce=無窮大，Rec=jiqianou。congzhelizhinengyongwanyongbiaodedianzudangpanduanchuguanzidehaohuai，quequfenbuchushinazhongguanzi。celiangdezuzhihenxiao，zeshuomingguanzibeijichuan，celiangzuzhihenda，shuomingguanzineibuduanlu。

 

動態測量區分MOS管和IGBT管

 

先用萬用表給管子的柵極施加電壓，是場效應管建立起溝道，然後測量D、S及c、e之間的阻值，根據阻值的差異來區分MOS管和IGBT管。

 

用萬用表的電阻檔測量兩個管子的D、S及c、e之間的電阻
，由於場效應管已經建立溝道，Rds=Rsd≈0，而Rce之間呈現電阻Rce，晶體三極管處於放大狀態的導通電阻，Rec為內部阻尼二極管的導通電阻，兩者均為幾千歐。因此根據測量可知，兩個管子的導通程度不一樣，MOS管的D、S之間電阻值是遠小於IGBT管c、e之間的電阻值，於是可以分辨出MOS與IGBT管。