開關電源設計中，我們常常使用到一個電阻串聯一個電容構成的RC電路
， RC電路性能會直接影響到產品性能和穩定性。本文將為大家介紹一種既能降低開關管損耗，且可降低變壓器的漏感和尖峰電壓的RC電路。

高gao頻pin開kai關guan電dian源yuan在zai開kai關guan管guan關guan斷duan時shi，電dian壓ya和he電dian流liu的de重zhong疊die引yin起qi的de損sun耗hao是shi開kai關guan電dian源yuan損sun耗hao的de主zhu要yao部bu分fen
，同tong時shi，由you於yu電dian路lu中zhong存cun在zai寄ji生sheng電dian感gan和he寄ji生sheng電dian容rong，在zai功gong率lv開kai關guan管guan關guan斷duan時shi，電dian路lu中zhong也ye會hui出chu現xian過guo電dian壓ya並bing且qie產chan生sheng振zhen蕩dang。如ru果guo尖jian峰feng電dian壓ya過guo高gao，就jiu會hui損sun壞huai開kai關guan管guan。同tong時shi，振zhen蕩dang的de存cun在zai也ye會hui使shi輸shu出chu紋wen波bo增zeng大da。為wei了le降jiang低di關guan斷duan損sun耗hao和he尖jian峰feng電dian壓ya，需xu要yao在zai開kai關guan管guan兩liang端duan並bing聯lianRC緩衝電路以改善電路的性能。

圖1

圖1所示的是一個簡單的反激式開關電源電路，從圖中可以看出RC電路在圖中的出現過6次從RaCa—RfCf，每個RC電路的位置不同，作用也不一樣。本文介紹的是圖1中RbCb，RcCc構成的RC吸收電路。這兩個RC電路在圖中主要作用是：

減少導通或關斷損耗
；

降低電壓或電流尖峰；

可以間接的改善EMI特性。 

在設計RC吸收電路時，我們必須了解整個電源網絡的幾個重要參數，比如輸入電壓、輸入電流、尖峰電壓
、尖峰電流等。在圖1所示當Q1關斷時
，源極電壓開始上升到2Vdc，而電容Cb限製了源極(D)電壓的上升速度
，同時減小了上升電壓和下降電流的重疊，從而減低了開關管Q1的損耗。而在下次開關關斷之前，Cb必須將已經充滿的電壓放完
，放電路徑為Cb
、Rb、Q1。

圖2 開關管源極（D）的Vds電壓波形

圖2-A表示的是開關管Q1沒有加RC吸收電路的Vds電壓波形，圖中明顯的看出


，當開關管Q1斷開時，Vds電壓迅速上升至最高點，而後伴隨這震蕩下跌，震蕩頻率為20MHZ。

圖2-B表示的是開關管上加了RC吸收電路的Vds電壓波形，相對與圖2-A
，在加了RC吸收電路後，開關管斷開瞬間
，Vds電壓上升比較平緩，且在上升到最高電壓跌落時不會產生高頻震蕩，EMI特性也會偏好。

在(zai)感(gan)性(xing)負(fu)載(zai)中(zhong)，開(kai)關(guan)器(qi)件(jian)關(guan)斷(duan)的(de)瞬(shun)間(jian)，如(ru)果(guo)此(ci)時(shi)感(gan)性(xing)負(fu)載(zai)的(de)磁(ci)通(tong)不(bu)為(wei)零(ling)，根(gen)據(ju)愣(leng)次(ci)定(ding)律(lv)便(bian)會(hui)產(chan)生(sheng)一(yi)個(ge)自(zi)感(gan)電(dian)動(dong)勢(shi)，對(dui)外(wai)界(jie)辭(ci)放(fang)磁(ci)場(chang)儲(chu)能(neng)，為(wei)簡(jian)單(dan)起(qi)見(jian)，一(yi)般(ban)都(dou)采(cai)用(yong)RC吸收回路
，將這部份能量以熱能的方式消耗掉。

設計RC吸xi收shou回hui路lu參can數shu，需xu要yao先xian確que定ding磁ci場chang儲chu能neng的de大da小xiao，在zai反fan激ji變bian壓ya器qi中zhong

，磁ci場chang儲chu能neng由you兩liang部bu份fen辭ci放fang，其qi中zhong大da部bu份fen是shi通tong過guo互hu感gan向xiang二er次ci側ce提ti供gong能neng量liang
，隻zhi有you漏lou感gan部bu份fen要yao通tong過guoRC回路處理
，需要測量勵磁電感，互感及漏感值，再求得RC回路的初始電流值。

R的取值，以開關所能承受的瞬時反壓，比初始電流值；此值過小則動態功耗過大，引值過大則達不到保護開關的作用；

C的取值，則需要滿足在鉗位電平下能夠儲存磁能的一半，且滿足一定的dV/dt，C關斷緩衝，R開通限流
，電阻的阻值基本可以按照：

R=(sqrt(Llk/Cj))/n 這個公式計算
，功率根據實際情況選擇

，C一般都在102——103之間選擇，選C時在考慮吸收效果的同時還需考慮EMI的相位和後麵輸出電容的紋波電流應力，則有：

C=(Ip*Tf)/(2*2*Vdc)

Ip:峰值電流

Tf:集電極電流從初始值下降到零的時間

Vdc:輸入的直流電壓

R=Ton(min)/(3C)

Ton(min):開關管最小的導通時間

總結

根據以上給出的公式
，可以很方便地選擇出合適的RCxishoudianlu。danzaishejishi，yinggaigenjuzhenggedianyuanshejidexingnengzhibiao，tongguoshijitiaoshicainengdedaozhenzhengheshidecanshu。youshihou，weiledadaoxitongdexingnengzhibiao，xishengyidingdexiaolvyeshibiyaode。zongzhi
，zaishejiRC吸收電路參數時
，必須綜合考慮性能和效率，最終選擇合適的RC參數。