MOS管等效電路及應用電路如下圖所示：

    

 

把MOS管的微觀模型疊加起來，就如下圖所示：

 

 

我們知道，MOS管的輸入與輸出是相位相反
，恰好180度，也就是等效於一個反相器
，也可以理解為一個反相工作的運放，如下圖：

 

 

有了以上模型
，就好辦了，尤其從運放這張圖中
，可以一眼看出，這就是一個反相積分電路，當輸入電阻較大時
，開關速度比較緩慢，Cgd這顆積分電容影響不明顯，但是當開關速度比較高，而且VDD供電電壓表高

，比如310V下，通過Cgd的電流比較大
，強的積分很容易引起振蕩，這個振蕩叫米勒振蕩。所以Cgd也叫米勒電容，而在MOS管guan開kai關guan導dao通tong或huo者zhe關guan斷duan的de那na段duan時shi間jian，也ye就jiu是shi積ji分fen那na段duan時shi間jian，叫jiao米mi勒le平ping台tai，如ru下xia圖tu圓yuan圈quan中zhong的de那na部bu分fen為wei米mi勒le平ping台tai，右you邊bian的de是shi振zhen蕩dang嚴yan重zhong的de米mi勒le振zhen蕩dang：

 

 

因為MOS管(guan)的(de)反(fan)饋(kui)引(yin)入(ru)了(le)電(dian)容(rong)
，當(dang)這(zhe)個(ge)電(dian)容(rong)足(zu)夠(gou)大(da)，並(bing)且(qie)前(qian)段(duan)信(xin)號(hao)變(bian)化(hua)快(kuai)

，後(hou)端(duan)供(gong)電(dian)電(dian)壓(ya)高(gao)
，三(san)者(zhe)結(jie)合(he)起(qi)來(lai)，就(jiu)會(hui)引(yin)起(qi)積(ji)分(fen)過(guo)充(chong)振(zhen)蕩(dang)
，這(zhe)個(ge)等(deng)價(jia)於(yu)溫(wen)控(kong)的(de)PID中的I模型，要想解決解決這個米勒振蕩，在頻率和電壓不變的情況下，一般可以提高MOS管的驅動電阻，減緩開關的邊沿速度，其次比較有效的方式是增加Cgs電容。在條件允許的情況下，可以在Cds之間並上低內阻抗衝擊的小電容
，或者用RC電路來做吸收電路。

 

下圖給出常用的三顆大功率MOS管的電容值：LCR電橋直接測量，具體型號就不提了。

 

 

從圖上可以看出，Inifineon6代MOS管和APT7代MOS管性能遠遠不如碳化矽性能
，它的各個指標都很小，當米勒振蕩通過其他手段無法降低時
，可以考慮更換更小的米勒電容MOS管，尤其需要重視Cgd要盡可能的小於Cgs。