PMOS和NMOS在鋰離子電池保護電路中都有著廣泛的應用。通常PMOS 放到正端，NMOS放到負端。在正端，PMOS正常時候，G極低電平，保護時候高電平；而在負端
，NMOS正常時候G極高電平，保護時候低電平。而最近新出1芯片，將NMOS放到了正端
，通常NMOS會比PMOS成本低，導通阻值會偏小（NMOS導電溝道依靠電子），當然目前也有一些PMOS的導通阻值做到很小
，比如TPC8107
，做到了5.5個mohm左右。采用什麼樣的MOS，就需要有什麼樣的芯片來驅動。

 

在1-2串的鋰離子電池保護電路中幾乎都用到了NMOS，單cell的比如手機電池內用一個複合NMOS，而常用的保護芯片有S8241,S8261,R5426，MM3077等。2串鋰離子電池的比如一些DV電池同樣用到了NMOS
，而2串鋰離子電池常用保護芯片用S8232
，MM1412等。

 

3-4串主要用筆記本電池，此前所見到的都是在正端用PMOS，那為什麼NMOS相對廉價卻不采用呢

？通常NMOS一般放到負端，這樣便於芯片驅動，但是因為筆記本電池需要通訊

，包括SMBUS和HDQ都(dou)需(xu)要(yao)用(yong)到(dao)地(di)線(xian)，因(yin)此(ci)，當(dang)電(dian)池(chi)保(bao)護(hu)的(de)時(shi)候(hou)，負(fu)端(duan)中(zhong)斷(duan)，通(tong)訊(xun)無(wu)法(fa)進(jin)行(xing)。當(dang)然(ran)
，我(wo)們(men)可(ke)以(yi)為(wei)了(le)保(bao)證(zheng)通(tong)訊(xun)而(er)將(jiang)通(tong)訊(xun)所(suo)用(yong)到(dao)的(de)地(di)線(xian)獨(du)立(li)出(chu)來(lai)，直(zhi)接(jie)可(ke)以(yi)連(lian)接(jie)到(dao)B-，而主機端通訊的結構為開漏極，這樣在充電的時候，當MOSFET 關閉的時候，會有漏電流從下圖的D1 D2流過。 

因此在3-4串的筆記本電池中，通常是用到PMOS，當保護的時候

，驅動會在B+ 和P+處拉電。但是最近新出的一個筆記本電池解決方案中，在正端是采用NMOS。我們知道NMOS
，高電平導通，因此驅動就需要做到比B+ 和P+ 還要高，芯片內部的驅動必須用到charge pumps。

 

 

MM1414
，S8254，bq2040,2060,208x家族,20zx0家族。Maxim 有1780 1781 據說最近推出了1785
，Atmel 也出1款ATmega406
，Microchip PS401 PS501，瑞薩M37517家族，微電通道 GC1318+x3100,還有IC新銳凹凸的oz930等等。 

 

在5串以上的多串鋰離子電池保護電路方麵，因為目前的應用中隻是輸出1正1負
，還很少見到有通訊電路的，所以相對來講，大部分都采用了NMOS。erqiejianyudonglililizidianchizaiyingyongzhongdianliujiaoda，yibandoucaiyonglechongfangdianluxiangduifenkai，jinliangjianshaozaifangdianguochengzhonghuiluzukang。dangran，zaiyixiegaoduandeyingyongzhong
，caiyongletongxundegongneng，zaijiejuegongdidewentishang，caiyongleguangougelidefangfa
，jiangfachuzhilingyujieshouzhilingfenkai
，caiyong4線結構。